半導體物理學 茅惠兵 9787030763402 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：科學
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| *數量非實際在台庫存 *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為實際資訊。 印行年月：202309*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體物理學 ISBN：9787030763402 出版社：科學 著編譯者：茅惠兵 頁數：316 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1595023 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書較全面地討論了半導體物理學的基礎知識。全書共11章，主要包括：半導體的品體結構與電子狀態，半導體的缺陷與摻雜，熱平衡時的電子和空穴分佈，半導體中的載流子輸運，非平衡載流子的產生、複合及運動，pn結，金屬-半導體接觸，金屬-絕緣層-半導體結構，半導體異質結與低維結構，半導體光學性質，以及半導體的其他性質。 本書可作為普通高等學校電子科學與技術、微電子科學與工程及集成電路設計與集成系統等專業本科生的教材，也可供相關科技人員參考。目錄 第1章 半導體的晶體結構與電子狀態1 1 半導體的晶體結構與布里淵區 1 1 1 半導體晶體結構 1 1 2 倒格子和布里淵區 1 2 半導體中的電子態 1 2 1 半導體能帶的形成 1 2 2 能帶中電子的速度、加速度和有效質量 1 2 3 導體、半導體和絕緣體的能帶 1 2 4 半導體中的空穴 1 3 半導體能帶的基本特徵 1 3 1 半導體能帶 1 3 2 導帶結構 1 3 3 立方結構半導體的價帶結構 1 3 4 迴旋共振 1 4 Si和Ge的能帶結構 1 4 1 Si 和Ge單晶的能帶結構 1 4 2 Si1-xGex合金的結構與能帶結構 1 5 Ⅲ-V族化合物半導體的能帶結構 1 5 1 Ⅲ-V族化合物半導體概況 1 5 2 GaAs的能帶結構 1 5 3 GaP和InP的能帶結構 1 5 4 氮化物半導體的能帶結構 1 6 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構 1 7 多元半導體的能帶結構 1 8 SiC的晶體結構與能帶 1 9 Ga2O3的結構與能帶 習題 第2章 半導體的缺陷與摻雜 2 1 缺陷的分類 2 1 1 缺陷類型 2 1 2 半導體中的缺陷與摻雜 2 1 3 雜質的補償效應 2 2 Si、Ge半導體的摻雜 2 2 1 淺能級雜質電離能的計算 2 2 2 Si、Ge半導體中的主要缺陷能級 2 3 Ⅲ-V族化合物半導體中的雜質能級 2 3 1 一般Ⅲ-V族半導體的摻雜 2 3 2 GaN中的缺陷與摻雜 2 4 其他寬禁帶半導體中的雜質與缺陷能級 2 4 1 SiC中的雜質能級 2 4 2 Ga2O3中的雜質能級及其他缺陷態 習題 第3章 熱平衡時的電子和空穴分佈 3 1 狀態密度與載流子分佈函數 3 1 1 狀態密度 3 1 2 導帶、價帶載流子的分佈規律 3 1 3 非簡併條件下導帶電子濃度和價帶空穴濃度 3 1 4 載流子濃度積n0p0 3 2 本徵載流子濃度 3 3 含單一雜質的半導體載流子濃度 3 3 1 雜質能級的佔有概率 3 3 2 單雜質摻雜半導體的載流子濃度 3 4 補償半導體中的載流子統計 3 4 1 補償半導體中載流子的處理方法 3 4 2 n型補償半導體的載流子濃度計算方法 3 4 3 p型補償半導體的載流子濃度和費米能級 3 4 4 補償性高阻：半絕緣半導體 3 5 簡併半導體 3 5 1 簡併半導體中載流子濃度的計算 3 5 2 禁帶變窄效應 習題 第4章 半導體中的載流子輸運 4 1 半導體的電導率與遷移率 4 1 1 半導體中載流子運動的基本特徵 4 1 2 電場中載流子的運動電導率和遷移率 4 1 3 電子散射的運動氣體模型 4 1 4 半導體的主要散射機制 半導體中的電流 4 2 1 外電場中的漂移電流 4 2 2 擴散電流和總電流 4 3 半導體中載流子遷移率的變化規律 第5章 非平衡載流子的產生、複合及運動 第6章 pn結 第7章 金屬-半導體接觸 第8章 金屬-絕緣層-半導體結構 第9章 半導體異質結與低維結構 第10章 半導體光學性質 第11章 半導體的其他性質 參考文獻 附錄 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
