現代集成電路製造技術 庫瑪爾.舒巴姆 安卡.古普塔 9787122454812 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202408*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：現代集成電路製造技術 ISBN：9787122454812 出版社：化學工業 著編譯者：庫瑪爾.舒巴姆 安卡.古普塔 頁數：252 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1688744 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書詳細介紹了半導體晶元製造中的晶片製備、外延、氧化、光刻、蝕刻、擴散、離子注入、薄膜沉積、封裝以及VLSI工藝集成等內容，涵蓋了集成電路製造工藝流程中主要步驟。本書圖文並茂，內容全面，理論與實踐緊密結合，有助於從事集成電路和半導體相關工作的技術人員迅速了解集成電路製造技術的關鍵工藝。 本書可供半導體製造領域從業者閱讀，也可供高校微電子、集成電路等相關專業教學參考。目錄 第1章 硅（Si）晶片處理概論1 1 簡介 1 2 超大規模集成電路的產生 1 3 潔凈室 1 4 半導體材料 1 5 晶體結構 1 6 晶體缺陷 1 7 硅的屬性及其提純 1 8 單晶硅製造 1 8 1 直拉法晶體生長技術 1 8 2 區熔技術 1 9 硅整形 1 10 晶片加工注意事項 1 11 本章小結 習題 參考文獻 第2章 外延 2 1 簡介 2 2 液相外延 2 3 氣相外延/化學氣相沉積 2 3 1 生長模型及理論 2 3 2 生長化學 2 3 3 摻雜 2 3 4 反應裝置 2 4 缺陷 2 5 化學氣相沉積硅外延的技術問題 2 5 1 均勻性/質量 2 5 2 埋層圖案轉移 2 6 自摻雜 2 7 選擇性外延 2 8 低溫外延 2 9 物理氣相沉積 2 10 絕緣體上硅（SOI） 2 11 藍寶石上硅（SOS） 2 12 二氧化硅基硅 2 13 本章小結 習題 參考文獻 第3章 氧化 3 1 簡介 3 2 生長和動力學 3 2 1 干法氧化 3 2 2 濕法氧化 3 3 硅氧化層的生長速率 3 4 雜質對氧化速率的影響 3 5 氧化層性質 3 6 氧化層電荷 3 7 氧化技術 3 8 氧化層厚度測量 3 9 氧化爐 3 10 本章小結 習題 參考文獻 第4章 光刻 4 1 簡介 4 2 光學光刻 4 3 接觸式光學光刻 4 4 接近式光學光刻 4 5 投影式光學光刻 4 6 掩模 4 7 光掩模製造 4 8 相移掩模 4 9 光刻膠 4 10 圖案轉移 4 11 基於粒子的光刻 4 11 1 電子束光刻 4 11 2 電子物質相互作用 4 12 離子束光刻 4 13 紫外光刻 4 14 X射線光刻 4 15 光刻技術的比較 4 16 本章小結 習題 參考文獻 第5章 蝕刻 5 1 簡介 5 2 蝕刻參數 5 3 濕法蝕刻工藝 5 4 硅蝕刻 5 5 二氧化硅蝕刻 5 6 鋁蝕刻 5 7 干法蝕刻工藝 5 8 等離子蝕刻工藝 5 8 1 等離子化學蝕刻工藝 5 8 2 濺射蝕刻工藝 5 8 3 反應離子蝕刻（RIE）工藝 5 9 電感耦合等離子體蝕刻（ICP） 5 10 干法蝕刻（等離子蝕刻）和濕法蝕刻的優缺點 5 11 蝕刻反應實例 5 12 剝離 5 13 本章小結 習題 參考文獻 第6章 擴散 6 1 簡介 6 2 擴散的原子機制 6 2 1 置換擴散 6 2 2 間隙擴散 6 3 菲克擴散定律 6 4 擴散分佈 6 4 1 恆定源濃度分佈 6 4 2 有限源擴散或高斯擴散 6 5 兩步擴散工藝 6 5 1 本徵和非本徵擴散 6 5 2 銻在硅中的擴散率 6 5 3 砷在硅中的擴散率 6 5 4 硼在硅中的擴散率 6 5 5 磷在硅中的擴散率 6 6 發射極推進效應 6 7 場輔助擴散 6 8 擴散系統 6 9 氧化物掩模 6 10 氧化物生長過程中的雜質再分佈 6 11 橫向擴散 6 12 多晶硅中的擴散 6 13 測量技術 6 13 1 染色 6 13 2 電容電壓（C-V）圖 6 13 3 四探針（FPP） 6 13 4 二次離子質譜（SIMS） 6 13 5 擴展電阻探針（SRP） 6 14 本章小結 習題 參考文獻 第7章 離子注入 7 1 簡介 7 2 離子注入機 7 2 1 氣體系統 7 2 2 電機系統 7 2 3 真空系統 7 2 4 控制系統 7 2 5 射線系統 7 3 離子注入阻止機制 7 4 離子注入的射程與分佈 7 5 掩模厚度 7 6 離子注入摻雜輪廓 7 7 退火 7 7 1 爐內退火 7 7 2 快速熱退火（RTA） 7 8 淺結形成 7 8 1 低能量注入 7 8 2 斜離子束 7 8 3 硅化物與多晶硅注入 7 9 高能量注入 7 10 埋層絕緣層 7 11 本章小結 習題 參考文獻 第8章 薄膜沉積：電介質、多晶硅和金屬化 8 1 簡介 8 2 物理氣相沉積（PVD） 8 2 1 蒸發 8 2 2 濺射 8 3 化學氣相沉積（CVD） 8 4 二氧化硅 8 5 氮化硅 8 6 多晶硅 8 7 金屬化處理 8 8 金屬化技術在VLSI中的應用 8 9 金屬化選擇 8 10 銅金屬化 8 11 鋁金屬化 8 12 金屬化工藝 8 13 沉積方法 8 14 沉積裝置 8 15 剝離過程 8 16 多層金屬化 8 17 金屬薄膜的特性 8 18 本章小結 習題 參考文獻 第9章 封裝 9 1 簡介 9 2 封裝類型 9 3 封裝設計注意事項 9 4 集成電路封裝 9 5 VLSI組裝技術 9 6 良品率 9 7 本章小結 習題 參考文獻 第10章 VLSI工藝集成 10 1 簡介 10 2 IC加工的基本考慮 10 3 nMOS集成電路技術 10 4 CMOS集成電路技術 10 4 1 n阱工藝 10 4 2 p阱工藝 10 4 3 雙阱工藝 10 5 雙極IC技術 10 6 Bi-CMOS工藝 10 7 Bi-CMOS製造 10 8 鰭式場效應晶體管（FinFET） 10 9 單片集成電路和混合集成電路 10 10 集成電路製造/生產 10 1 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
