*完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考,以到貨標的為正確資訊。 印行年月:202408*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況,謝謝。 台灣(台北市)在地出版社,每筆交易均開具統一發票,祝您中獎最高1000萬元。 書名:基於氮化鎵的高頻高效功率轉換技術 ISBN:9787560673134 出版社:西安電子科技大學 著編譯者:戈登齊奧.梅內蓋索 馬泰奧.梅內吉尼 恩里科.紮諾尼 頁數:206 所在地:中國大陸 *此為代購商品 書號:1689346 可大量預訂,請先連絡。 【台灣高等教育出版社簡體書】 基於氮化鎵的高頻高效功率轉換技術 787560673134 戈登齊奧.梅內蓋索 馬泰奧.梅內吉尼 恩里科.紮諾尼 內容簡介 本書共8章,主要內容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結構、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗證、寄生效應對GaN基功率轉換器的影響、GaN基AC/DC功率轉換器、GaN基開關模式功率放大器等。本書內容涵蓋範圍廣,從材料生長到器件製造、從特性分析到魯棒性驗證、從電路設計到系統應用,層次清晰且系統性較強,可讀性較高;其內容具有一定的前瞻性與先進性,所涉及的技術領域與工藝水平均為目前國際主流。 本書可作為微電子、電子信息工程、電氣工程等專業的本科生以及相關專業的研究生教材,也可以供從事半導體器件設計、器件可靠性分析、電力電子系統開發的工程技術人員參考。目錄 結論第1章 GaN體單晶襯底和Si基GaN外延 1 1 引言 1 2 GaN體單晶生長技術和襯底技術現狀 1 3 GaN的同質外延 1 4 GaN的異質外延 1 5 Ⅲ族氮化物的異質結構 1 6 Ⅲ族氮化物中的壓電場 1 7 Ⅲ族氮化物外延技術——金屬有機氣相外延 1 8 Si基AlGaN/GaN外延結構的構建 1 8 1 成核層 1 8 2 緩衝層 1 8 3 有源層 1 8 4 帽層和表面鈍化層 1 9 結論 參考文獻 第2章 橫向GaN基HEMT器件及其結構 2 1 引言 2 2 常規GaN基HEMT器件 2 3 具有高遷移率的結構 2 4 抑制電流崩塌的結構 2 5 在高壓狀態下工作的結構 2 6 在常關型狀態下工作的結構 參考文獻 第3章 垂直型GaN基電力電子晶體管 3 1 引言 3 2 電流孔徑垂直電子晶體管(CAVET) 3 2 1 CAVET的工作原理 3 2 2 功率開關中的CAVET 3 3 CAVET的開關特性 3 3 1 製造工藝的討論 3 3 2 凹槽型CAVET 3 4 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET) 3 4 1 基於再生長的MOSFET(OGFET) 3 4 2 OGFET的開關特性 3 5 結論 參考文獻 第4章 GaN基功率器件的可靠性 4 1 關態經時退化機制 4 2 p型柵器件的經時失效 4 3 MIS-HEMT結構中正負偏置下的閾值電壓不穩定性 4 3 1 MIS-HEMT器件正偏置閾值電壓的不穩定性 4 3 2 MIS-HEMT器件負偏置閾值電壓的不穩定性 4 3 3 恆定源極電流引起的退化 4 4 結論 參考文獻 第5章 GaN基功率器件的魯棒性驗證 5 1 引言 5 1 1 GaN基功率晶體管特有的可靠性問題 5 1 2 GaN基功率晶體管的開關安全工作區(SSOA) 5 2 嵌入式混合漏極結構的柵極注入晶體管(HD-GIT)的可靠性驗證 5 2 1 器件的結構 5 2 2 基本可靠性測試 5 2 3 短時間開關安全工作區(sSSOA)的確定 5 2 4 動態高溫工作壽命(DHTOL)的測試 5 2 5 長時間開關安全工作區(ISSOA)的確定 5 2 6 短路能力(SCC)的測試 5 3 HD-GIT具有高魯棒性的物理機制 5 4 結論 參考文獻 第6章 寄生效應對GaN基功率轉換器的影響 6 1 GaN基功率器件的寄生參數 6 1 1 米勒電荷比 6 1 2 內部柵極電阻 6 1 3 輸出電容電荷和二極體反向恢複電荷 6 1 4 特徵導通電阻 6 2 GaN封裝寄生參數 6 2 1 MOSFET封裝演變 6 2 2 直接影響GaN基器件性能的板級寄生參數 6 3 影響工作性能的外部元件及寄生參數 6 3 1 與開關節點相關的寄生電容 6 3 2 自舉電源的工作機制和寄生參數 6 4 GaN集成和寄生效應對FOM提升的影響 6 5 結論 參考文獻 第7章 GaN基AC/DC功率轉換器 7 1 GaN基單相AC/DC轉換器 7 1 1 器件直接替代和拓撲簡化 7 1 2 建立新的應用和拓撲 7 1 3 面臨的挑戰與潛在的解決方案 7 2 GaN基三相AC/DC轉換器 7 2 1 優勢 7 2 2 面臨的挑戰與潛在的解決方案 7 3 GaN基轉換器的散熱設計 7 4 結論 參考文獻 第8章 GaN基開關模式功率放大器 8 1 引言 8 1 1 概述 8 1 2 「功率放大器」和「逆變器」的背景 8 1 3 設計要素 8 2 基本的逆變器/功率放大器拓撲 8 2 1 D類、DE類「圖騰柱」拓撲 8 2 2 單開關逆變器 8 2 3 多開關設計 8 2 4 功率控制技術 8 3 高頻磁設計 8 3 1 高頻繞組損耗 8 3 2 空磁芯設計 8 3 3 高頻磁設計 8 3 4 磁芯設計 8 3 5 變壓器和阻抗轉換 參考文獻 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢,查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號,我們即儘速上架。 |