半導體工藝可靠性 甘正浩 黃威森 9787111764946 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：機械工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202410*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體工藝可靠性 ISBN：9787111764946 出版社：機械工業 著編譯者：甘正浩 黃威森 叢書名：半導體與集成電路關鍵技術叢書 頁數：488 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1686435 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 半導體製造作為微電子與集成電路行業中非常重要的環節，其工藝可靠性是決定晶元性能的關鍵。本書詳細描述和分析了半導體器件製造中的可靠性和認定，並討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規範定義、測試結構設計、測試結構數據分析，以及工藝的最終認定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和後端互連的測試結構設計的實際範例。 本書適合從事半導體製造及可靠性方面的工程師與研究人員閱讀，也可作為高等院校微電子等相關專業高年級本科生和研究生的教材和參考書。目錄 譯者序第1部分 概述 第1章 引言 1 1 背景 1 2 工藝可靠性項 1 2 1 FEOL 1 2 2 BEOL 1 3 工藝相關的可靠性 1 4 可靠性評估方法 1 5 本書的組織結構 參考文獻 第2章 器件物理基礎 2 1 基本材料特性介紹 2 1 1 導體、半導體和絕緣體 2 1 2 電子和空穴能量 2 1 3 半導體中的碰撞與能量交換 2 2 PN結 2 2 1 PN結能帶 2 2 2 PN結偏置 2 2 3 結電容 2 3 金屬-氧化物-半導體電容的物理基礎 2 3 1 金屬-氧化物-半導體電容的能帶 2 3 2 金屬-氧化物-半導體電容的電容-電壓曲線 2 4 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管物理特性 2 4 1 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的電流-電壓特性 2 4 2 長溝道金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的Vt 2 4 3 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管中的電容 2 5 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的二階效應 2 5 1 短溝道效應 2 5 2 寬度效應 2 5 3 柵致漏極泄漏電流 2 5 4 硼滲透 2 5 5 襯底偏置的影響 2 6 界面陷阱和氧化層陷阱 參考文獻 第3章 金屬-氧化物-半導體製造工藝流程 3 1 前道工藝 3 2 Cu雙大馬士革後端工藝 參考文獻 第4章 可用於器件可靠性表徵的測量 4 1 電容-電壓測量 4 2 直流電流-電壓 4 2 1 從直流電流-電壓測量中提取界面陷阱 4 2 2 從直流電流-電壓測量中提取氧化層陷阱 4 3 柵控二極體方法 4 4 電荷泵測量 4 5 用於界面和氧化層陷阱分離的中間帶隙測量 4 6 載流子分離測量 4 7 電流-電壓特性 參考文獻 第2部分 前道工藝(FEOL) 第5章 熱載流子注入 5 1 最大溝道電場 5 2 HCI的物理機制 5 2 1 電場驅動的CHC機制 5 2 2 能量驅動的溝道-熱載流子機制：電子-電子散射 5 2 3 多重振動激發機制 5 2 4 NMOS熱載流子注入機理/模型 5 2 5 PMOS熱載流子注入機理/模型 5 3 熱載流子注入表徵方法 5 3 1 監控的器件參數 5 3 2 熱載流子注入退化模型 5 3 3 壽命外推 5 4 對熱載流子注入屏蔽效應的表徵 5 5 熱載流子注入退化飽和 5 6 溫度對熱載流子注入的影響 5 7 體偏置對熱載流子注入的影響 5 8 結構對熱載流子注入的影響 5 8 1 溝道寬度對熱載流子注入的影響 5 8 2 溝道長度對熱載流子注入的影響 5 8 3 補償側牆對熱載流子注入的影響 5 8 4 柵極邊緣與淺溝槽隔離邊緣間距的影響 5 9 工藝對熱載流子注入性能的影響 5 9 1 漏區工程 5 9 2 柵極氧化層的魯棒性 5 10 熱載流子注入認定實踐 參考文獻 第6章 柵極氧化層完整性和時間相關的介質擊穿 6 1 金屬-氧化物-半導體結構的隧穿 6 1 1 柵極泄漏隧穿機制 6 1 2 依賴極性的Qbd和Tbd 6 1 3 柵極泄漏電流與Vbd/Tbd的關係 6 2 柵極氧化層介質擊穿機理 6 2 1 本徵與非本徵擊穿 6 2 2 隨時間變化的介質擊穿 6 2 3 Vbd與Tbd的相關性 6 2 4 缺陷產生模型 6 2 5 軟擊穿 6 3 應力誘導的泄漏電流 6 4 柵極氧化層完整性測試結構和失效分析 6 4 1 體結構 6 4 2 多晶硅邊緣密集結構 6 4 3 淺溝槽-隔離-邊緣密集結構 6 4 4 淺溝槽隔離拐角密集結構 6 4 5 柵極氧化層完整性失效分析 6 5 柵極氧化層時間相關介質擊穿模型，壽命外推法 6 5 1 Weibull分佈 6 5 2 活化能 6 5 31 /E模型、E模型、V模型和冪律模型 6 5 4 面積按比例變化 6 6 工藝對柵極氧化層完整性和時間變化的介質擊穿改進的影響 6 6 1 氧化層厚度的影響 6 6 2 氮化的影響 6 6 3 氫/D2的影響 6 6 4 金屬污染 6 6 5 多晶硅晶粒結構的影響 6 6 6 多晶硅剖面的影響(多晶硅基腳) 6 6 7 柵極氧化層預清洗和刻蝕的影響 6 6 8 犧牲氧化後退火環境的影響 6 6 9 無犧牲氧化層效應 6 6 10 光刻膠附著力的影響 6 6 11 銦注入的影響 6 6 12 冪律模型指數的工藝因子 6 7 工藝認定實踐 參考文獻 第7章 負偏置溫度不穩定性 7 1 負偏置溫度不穩定性退化機制 7 1 1 反應-擴散模型 7 1 2 恢復 7 1 3 退化飽和機理 7 2 退化時間指數n，活化能Ea，電壓/電場加速因子γ 7 2 1 退化時間指數n 7 2 2 活化能(Ea) 7 2 3 電壓/電場加速因子γ 7 3 表徵方法 7 3 1 時延(恢復)對錶征的影響 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
