圖說集成電路製造工藝 孫洪文 9787122432902 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202308*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：圖說集成電路製造工藝 ISBN：9787122432902 出版社：化學工業 著編譯者：孫洪文 頁數：271 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1544340 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 晶元是用管殼封裝好的集成電路。現代生活中隨處可見的電子產品，都離不開各式各樣的晶元。那麼，功能強大的晶元到底是怎樣製造而成的？讓我們跟著本書一探究竟吧！ 《圖說集成電路製造工藝》首先用輕鬆有趣的語言介紹了半導體行業的發展史；接著將整個晶元製造流程分為「加」「減」「乘」「除」四類，用圖說的形式，全面細緻地講解了氧化、化學氣相淀積、物理法沉積薄膜、擴散、離子注入、清洗硅片、刻蝕、化學機械拋光、離子注入退火、迴流、製備合金、光刻等核心工藝，同時對半導體材料、凈化間、化學試劑、氣體、半導體設備、掩膜版等必需條件也做了介紹。 《圖說集成電路製造工藝》一書內容全面，語言凝練，圖文並茂，是一本「硬核」科普書，非常適合集成電路行業人員、對集成電路及前沿科技感興趣的讀者閱讀，也可用作高等院校微電子、電子科學與技術等相關專業的教材及參考書。目錄 第1篇 集成電路製備前的準備工作第1章 點石成金的神奇行業 1 1 有趣的半導體產業歷史 1 1 1 電子管時代 1 1 2 晶體管時代 1 1 3 集成電路時代 1 2 半導體行業現狀 1 2 1 半導體行業概況 1 2 2 半導體設計業現狀 1 2 3 半導體製造業現狀 1 2 4 半導體封測行業現狀 1 2 5 中國大陸半導體產業現狀 1 3 晶元是怎樣煉成的？ 第2章 電子產業的基石——硅 2 1 煉丹爐里生長硅 2 2 硅的「脾性」 2 3 半導體器件的基礎——PN結 2 4 雙極型晶體管 2 5 MOS管 2 6 應力工程-應變硅 2 7 鰭式場效應晶體管 第3章 晶元製造的戰略支援部隊 3 1 比手術室還乾淨的地方——凈化間 3 1 1 良率——半導體製造的生命線 3 1 2 沾污的類型與來源 3 1 3 凈化間的結構 3 2 半導體製造中的化學品 3 2 1 化學溶液 3 2 2 氣體 3 3 半導體設備 3 4 半導體測量 3 5 集成電路設計與製造的橋樑——掩膜版 第4章 集成電路工藝概述 4 1 Fab的分區 4 2 典型CMOS工藝流程 4 3 集成電路工藝里的「加」「減」「乘」「除」 第2篇 集成電路工藝中的「加法」 第5章 氧化 5 1 二氧化硅的結構與性質 5 1 1 二氧化硅的結構 5 1 2 二氧化硅的物理性質 5 1 3 二氧化硅的化學性質 5 2 氧化工藝 5 2 1 氧化生長機制 5 2 2 干氧氧化 5 2 3 水汽氧化 5 2 4 濕氧氧化 5 2 5 影響氧化速率的因素 5 3 二氧化硅的應用 5 3 1 器件保護與表面鈍化 5 3 2 器件隔離 5 3 3 柵氧電介質 5 3 4 摻雜阻擋 5 3 5 金屬層間介質層 5 3 6 氧化硅的其他應用 5 3 7 氧化硅的應用總結 5 4 氧化設備 5 4 1 ?式爐 5 4 2 立式爐 5 4 3 快速熱處理（RTP）設備 5 5 氧化質量檢查及故障排除 5 5 1 氧化質量檢查 5 5 2 氧化故障排除 第6章 化學氣相淀積 6 1 薄膜淀積概述 6 2 化學氣相淀積工藝 6 2 1 CVD工藝概述 6 2 2 CVD淀積系統 6 2 3 APCVD 6 2 4 LPCVD 6 2 5 PECVD 6 2 6 HDPCVD 6 2 7 CVD過程中的摻雜 6 3 介質及其性能 6 3 1 介電常數k 6 3 2 低k材料 6 3 3 超低k材料 6 3 4 高k材料 6 4 外延 6 4 1 外延概述 6 4 2 氣相外延 （VPE） 6 4 3 分子束外延（MBE） 6 4 4 金屬有機CVD（MOCVD） 6 5 CVD薄膜質量影響因素及故障排除 6 5 1 CVD薄膜質量影響因素 6 5 2 CVD故障檢查及排除 6 5 3 顆粒清除 第7章 物理法沉積薄膜 7 1 集成電路工藝中的金屬 7 1 1 鋁 7 1 2 鋁銅合金 7 1 3 銅 7 1 4 硅化物 7 1 5 金屬填充塞 7 1 6 阻擋層金屬 7 2 金屬淀積工藝 7 2 1 蒸發 7 2 2 濺射 7 2 3 金屬CVD 7 2 4 銅電鍍 7 3 旋塗 7 4 鋁互連工藝流程 7 5 銅互連工藝流程 7 5 1 單大馬士革工藝 7 5 2 雙大馬士革工藝 7 6 金屬薄膜的質量檢查及故障排除 第8章 擴散 8 1 擴散原理 8 2 擴散工藝步驟 8 3 擴散應用 第9章 離子注入 9 1 離子注入工藝 9 2 離子注入機 9 3 離子注入中的溝道效應 9 4 離子注入的應用 9 5 離子注入后的質量測量 9 6 離子注入中的安全問題 第3篇 集成電路工藝中的「減法」 第10章 清洗硅片 10 1 清洗目的 10 2 清洗硅片的標準流程 10 3 干法清洗工藝 10 4 硅片清洗設備 第11章 刻蝕 11 1 刻蝕概述 11 1 1 刻蝕原理 11 1 2 刻蝕分類 11 1 3 刻蝕參數 11 2 濕法刻蝕 11 3 干法刻蝕 11 3 1 干法刻蝕概述 11 3 2 二氧化硅的干法刻蝕 11 3 3 多晶硅的干法刻蝕 11 3 4 氮化硅的干法刻蝕 11 3 5 金屬的干法刻蝕 11 3 6 光刻膠的干法刻蝕 11 3 7 干法刻蝕終點檢測 11 4 刻蝕質量檢查 第12章 化學機械拋光 12 1 平坦化概述 12 2 傳統平坦化工藝 12 3 化學機械拋光 12 3 1 CMP機理 12 3 2 CMP優缺點 12 3 3 CMP主要參數 12 3 4 CMP設備組成 12 3 5 CMP終點檢測 12 3 6 CMP后清洗 12 4 CMP應用 第4篇 集成電路工藝中的「乘法」 第13章 離子注入退火 13 1 摻雜離子注入之後的退火 13 2 離子注入製備SOI時的退火 13 3 製備高k介質時的退火 13 4 退火方式 第14章 迴流 14 1 PSG迴流 14 2 BPSG迴流 第15章 製備合金 15 1 製備多晶硅金屬硅化物（polycide） 15 2 製備自對準金屬硅化物（salicide） 15 2 1 製備Ti硅化物 15 2 2 製備Co硅化物 15 2 3 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
