半導體先進光刻理論與技術 (德)安德里 亞斯.愛德曼 9787122432766 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202308*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體先進光刻理論與技術 ISBN：9787122432766 出版社：化學工業 著編譯者：(德)安德里 亞斯.愛德曼 頁數：304 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1553260 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書是半導體先進光刻領域的綜合性著作，介紹了當前主流的光學光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術。主要內容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設備、關鍵部件、解析度增強、建模與模擬、典型物理與化學效應等，包括光刻技術的前沿進展，還總結了極紫外光刻的特點、存在問題與發展方向。書中融入了作者對光刻技術的寶貴理解與認識，是作者多年科研與教學經驗的結晶。 本書適合從事光刻技術研究與應用的科研與工程技術人員閱讀，可作為高等院校、科研院所相關領域的科研人員、教師、研究生的參考書，也可作為微電子、光學工程、微納加工、材料工程等專業本科生的參考教材，還可為晶元製造領域的科技工作者與管理人員提供參考。作者簡介 安德里亞斯·愛德曼，國際光學工程學會(SPIE)會士，德國弗勞恩霍夫(Fraunhofer)協會系統集成與元件研究所計算光刻和光學組學術帶頭人，德國埃爾朗根一紐倫堡大學客座教授。擁有25年以上光學光刻與極紫外光刻研發經驗。多次擔任國際光學工程學會光學光刻與光學設計國際會議主席，是Fraunhofer國際光刻模擬技術研討會組織者。為Dr LITHO等多款先進光刻模擬軟體的研發與發展做出了重要貢獻。目錄 常用符號中英文對照表第1章 光刻工藝概述 1 1 從微電子器件的微型化到納米技術 1 2 發展歷程 1 3 步進掃描投影光刻機的空間像 1 4 光刻膠工藝 1 5 工藝特性參數 1 6 總結 參考文獻 第2章 投影光刻成像理論 2 1 投影光刻機 2 2 成像理論 2 2 1 傅里葉光學描述方法 2 2 2 傾斜照明與部分相干成像 2 2 3 其他成像模擬方法 2 3 阿貝-瑞利準則 2 3 1 解析度極限與焦深 2 3 2 結論 2 4 總結 參考文獻 第3章 光刻膠 3 1 光刻膠概述、常見反應機制與唯象描述 3 1 1 光刻膠的分類 3 1 2 重氮??類光刻膠 3 1 3 最先進的正性化學放大光刻膠 3 1 4 唯象模型 3 2 光刻工藝與建模方法 3 2 1 光刻工藝簡介 3 2 2 曝光 3 2 3 后烘 3 2 3 1 重氮??光刻膠 3 2 3 2 化學放大光刻膠 3 2 4 化學顯影 3 3 建模方法與緊湊光刻膠模型 3 4 負性與正性光刻膠材料與工藝 3 5 總結 參考文獻 第4章 光學解析度增強技術 4 1 離軸照明 4 1 1 線空圖形的最佳離軸照明 4 1 2 適用於接觸孔陣列的離軸照明 4 1 3 由傳統和參數化光源形狀到自由照明 4 2 光學鄰近效應修正 4 2 1 孤立-密集圖形偏差的補償 4 2 2 線端縮短的補償 4 2 3 從基於規則的 OPC到基於模型的OPC，再到反向光刻 4 2 4 OPC模型與工藝流程 4 3 相移掩模 4 3 1 強相移掩模：交替型相移掩模 4 3 2 衰減型相移掩模 4 4 光瞳濾波 4 5 光源掩模優化 4 6 多重曝光技術 4 7 總結 參考文獻 第5章 材料驅動的解析度增強技術 5 1 解析度極限回顧 5 2 非線性雙重曝光 5 2 1 雙光子吸收材料 5 2 2 光閾值材料 5 2 3 可逆對比度增強材料 5 3 雙重與多重圖形技術 5 3 1 光刻-刻蝕-光刻-刻蝕 5 3 2 光刻-凍結-光刻-刻蝕 5 3 3 自對準雙重圖形技術 5 3 4 雙重顯影技術 5 3 5 雙重或多重圖形技術的選擇 5 4 導向自組裝 5 5 薄膜成像技術 5 6 總結 參考文獻 第6章 極紫外光刻 6 1 光源 6 2 EUV和多層膜薄膜中的光學材料特性 6 3 掩模 6 4 光刻機與成像 6 5 光刻膠 6 6 掩模缺陷 6 7 EUV光刻的光學解析度極限 6 7 1 6 xnm波長EUV光刻(BEUV光刻） 6 7 2 高數值孔徑光刻 6 7 3 減小工藝因子k1：EUV光刻解析度增強技術 6 8 小結 參考文獻 第7章 無需投影成像的光學光刻 7 1 無投影物鏡的光學光刻：接觸式與接近式光刻技術 7 1 1 成像及解析度極限 7 1 2 技術實現 7 1 3 先進的掩模對準光刻 7 2 無掩模光學光刻 7 2 1 干涉光刻 7 2 2 激光直寫光刻 7 3 無衍射極限的光學光刻 7 3 1 近場光刻 7 3 2 光學非線性光刻 7 4 三維光學光刻 7 4 1 灰度光刻 7 4 2 三維干涉光刻 7 4 3 立體光刻與 3D微列印技術 7 5 關於無光光刻的幾點建議 7 6 總結 參考文獻 第8章 光刻投影系統：進階主題 8 1 實際投影系統中的波像差 8 1 1 澤尼克多項式描述方法 8 1 2 波前傾斜 8 1 3 離焦像差 8 1 4 像散 8 1 5 彗差 8 1 6 球差 8 1 7 三葉像差 8 1 8 澤尼克波像差總結 8 2 雜散光 8 2 1 常數雜散光模型 8 2 2 基於功率譜密度的雜散光模型 8 3 高 NA投影光刻中的偏振效應 8 3 1 掩模偏振效應 8 3 2 成像中的偏振效應 8 3 3 光刻膠與硅片膜層材料界面引起的偏振效應 8 3 4 投影物鏡偏振效應與矢量光刻成像模型 8 3 5 偏振照明 8 4 步進掃描投影光刻機中的其他成像效應 8 5 總結 參考文獻 第9章 光刻中的掩模形貌效應與硅片形貌效應 9 1 嚴格電磁場模擬方法 9 1 1 時域有限差分法 9 1 2 波導法 9 2 掩模形貌效應 9 2 1 掩模衍射分析 9 2 2 斜入射效應 9 2 3 掩模引起的成像效應 9 2 4 EUV光刻中的掩模形貌效應與緩解策略 9 2 5 三維掩模模型 9 3 硅片形貌效應 9 3 1 底部抗反射塗層的沉積策略 9 3 2 多晶硅線附近的光刻膠殘留 9 3 3 雙重圖形技術中的線寬變化 9 4 總結 參考文獻 第10章 先進光刻中的隨機效應 10 1 隨機變數與過程 10 2 現象 10 3 建模方法 10 4 內在聯繫與影響 10 5 總結 參考文獻 附錄 附錄1 名詞中英文對照 附錄2 縮略語中英文對照 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
