專利視角下的半導體量檢測關鍵技術 9787513094962 國家知識產權局專利局專利審查協作江蘇中心
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物品所在地：中國大陸
原出版社：知識產權
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202409*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：專利視角下的半導體量檢測關鍵技術 ISBN：9787513094962 出版社：知識產權 著編譯者：國家知識產權局專利局專利審查協作江蘇中心 頁數：218 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1684541 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書創新性地開展「雙線聯動」和「雙維定位」特色分析，重點研究了半導體產業關鍵核心技術的專利布局脈絡和重點申請人布局情況，研究內容緊扣當下產業急需和未來發展趨勢，不僅可以為現有科研工作提供有力的支撐，而且為未來的科研工作提供了有效的科研情報信息。本書是了解該行業技術發展現狀並預測未來走向、幫助企業做好專利預警的必備工具書。目錄 第1章 研究概述1 1 產業概況 1 1 1 半導體產業簡介 1 1 2 全球量檢測設備行業概況 1 1 3 中國量檢測設備行業概況 1 1 4 量檢測技術發展概況 1 2 政策背景 1 2 1 全球主要國家和地區產業規劃和政策 1 2 2 中國產業規劃和政策 1 3 研究必要性及研究目標 1 3 1 研究必要性 1 3 2 研究目標 1 3 3 研究邊界 1 4 研究對象和方法 1 4 1 技術分解 1 4 2 數據檢索 1 4 3 查全查准評估 1 4 4 相關事項和約定 第2章 量檢測技術專利申請概況 2 1 全球專利申請態勢 2 1 1 申請趨勢 2 1 2 技術生命周期 2 1 3 申請區域分佈 2 1 4 主要申請人 2 1 5 重點技術分支 2 2 中國專利申請態勢 2 2 1 申請趨勢 2 2 2 技術生命周期 2 2 3 申請區域分佈 2 2 4 主要申請人 2 3 小結 第3章 面向先進位程的量測重點技術 3 1 關鍵尺寸量測 3 1 1 全球專利申請態勢 3 1 2 在華專利申請態勢 3 1 3 基於小角X射線散射量測(CD-SAXS) 3 1 4 小結 3 2 套刻誤差量測 3 2 1 全球專利申請趨勢 3 2 2 中國專利申請趨勢 3 2 3 基於光學衍射的套刻誤差量測方法 3 2 4 基於光學圖像的套刻誤差量測方法 3 2 5 小結 第4章 面向先進位程的檢測重點技術 4 1 掩模板缺陷檢測 4 1 1 專利申請趨勢 4 1 2 DUV掩模板缺陷檢測 4 1 3 EUV掩模板缺陷檢測 4 1 4 雷泰光電專利分析 4 1 5 小結 4 2 晶圓缺陷檢測 4 2 1 全球專利申請趨勢 4 2 2 中國專利申請趨勢 4 2 3 散射法晶圓缺陷檢測 4 2 4 小結 第5章 國外重點申請人分析 5 1 科磊 5 1 1 科磊概況 5 1 2 專利申請態勢 5 1 3 重點發明人及團隊 5 1 4 重點專利技術 5 1 5 專利布局策略 5 1 6 小結 5 2 日立 5 2 1 日立概況 5 2 2 專利申請態勢 5 2 3 重點發明人 5 2 4 重點專利技術 5 2 5 小結 5 3 阿斯麥 5 3 1 阿斯麥概況 5 3 2 專利申請態勢 5 3 3 重點發明人 5 3 4 重點專利技術 5 3 5 小結 第6章 國內重點申請人分析 6 1 中科飛測 6 1 1 專利申請態勢 6 1 2 重點發明人及團隊 6 1 3 小結 6 2 御微半導體 6 2 1 專利申請態勢 6 2 2 專利布局策略 6 2 3 小結 第7章 「先進位程」專利特色分析方法 7 1 「雙線聯動」分析 7 2 「內外雙維」定位 7 3 特色分析成果 第8章 結論與建議 8 1 主要結論 8 1 1 量檢測技術發展現狀 8 1 2 先進位程量檢測技術堵點 8 1 3 先進位程量檢測技術突破路徑 8 2 主要建議 8 2 1 創新主體 8 2 2 產業戰略 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
