*完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考,以到貨標的為正確資訊。 印行年月:202409*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況,謝謝。 台灣(台北市)在地出版社,每筆交易均開具統一發票,祝您中獎最高1000萬元。 書名:現代集成電路工廠中的先進光刻工藝研發方法與流程 ISBN:9787302664185 出版社:清華大學 著編譯者:李豔麗 伍強 叢書名:先進集成電路工藝技術叢書 頁數:329 所在地:中國大陸 *此為代購商品 書號:1681254 可大量預訂,請先連絡。 內容簡介 本書基於作者團隊多年的光刻工藝(包括先進光刻工藝)研發經驗,從集成電路工廠的基本結構、半導體晶元製造中常用的控制系統、圖表等基本內容出發,依次介紹光刻基礎知識,一個6晶體管靜態隨機存儲器的電路結構與3個關鍵技術節點中SRAM製造的基本工藝流程,光刻機的發展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型,光刻工藝標準化與光刻工藝模擬舉例,光刻技術的發展、應用以及先進光刻工藝的研發流程,光刻工藝試流片和流片的基本過程,光刻工藝試流片和流片中出現的常見問題和解決方法,光刻工藝中採用的關鍵技術舉例以及其他兩種與光刻相關的技術等內容。 本書不僅介紹光刻工藝相關基礎知識,還介紹了一種符合工業標準的標準化研發方法,通過理論與模擬相結合,力求更加清楚地展示研發過程。本書可供光刻技術領域科研院所的研究人員、高等院校的學生、集成電路工程的技術人員等作為學習光刻技術的參考書。作者簡介 伍強,1993年于復旦大學獲物理學學士學位j1999年于耶魯大學獲物理學博士學位。畢業后就職於美國國際商業機器(IBM)公司,擔任半導體集成電路光刻工藝研發工程師,在研發65nm邏輯光刻工藝時,在世界上首次通過建模精確測量了光刻工藝的重要參數:等效光酸擴散長度。2004年回國,先後擔任光刻工藝研發主管、光刻設備應用部主管,就職于上海華虹NEC電子有限公司、荷蘭阿斯麥(ASML)光刻設備製造(中國)有限公司、中芯國際集成電路製造(上海)有限公司、中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司和上海集成電路研發中心。目錄 第1章 集成電路工廠引論1 1 現代集成電路工廠的布局 1 2 工廠結構 1 3 工廠中的基本知識 1 3 1 產品 1 3 2 前表面可開放的統一硅片盒 1 3 3 批次 1 3 4 分片機 1 4 工廠中的系統簡介 1 4 1 製造執行系統 1 4 2 機台自動化程序 1 4 3 先進過程式控制制 1 5 工廠中光刻相關參數的控制 1 5 1 光刻顯影后線寬的SPC圖表舉例 1 5 2 光刻顯影后套刻的SPC圖表舉例 本章小結 參考文獻 第2章 光刻基礎知識簡介 2 1 光的特性 2 2 光學成像的類型 2 2 1 古代光學成像類型的描述 2 2 2 小孔成像的原理 2 2 3 鏡頭(透鏡)成像的原理 2 3 鏡頭成像過程中不同方向(X、Y、Z方向)成像倍率之間的關係 2 4 投影物鏡雙遠心結構成像的原理和必要性 2 5 光學系統的解析度 2 5 1 光學系統的衍射極限解析度 2 5 2 光學系統的k1因子 2 6 鏡頭中的主要像差以及像差表徵方法 2 6 1 澤尼克像差 2 6 2 常見像差產生原理與消除方法討論 2 7 傅里葉光學基礎 2 8 照明方式類型及其對光刻工藝窗口的影響 2 8 1 相干照明的解析度與對比度 2 8 2 非相干照明的解析度與對比度 2 8 3 部分相干照明的解析度與對比度 2 8 4 部分相干照明與非相干照明對比度的關係 2 8 5 照明條件演變過程 2 9 表徵光刻工藝窗口的三個重要參數 2 9 1 曝光能量寬裕度的定義與影響因素 2 9 2 掩模誤差因子的定義與影響因素 2 9 3 焦深的定義、影響因素以及計算方式 2 10 禁止周期產生的原因以及改善方法 2 10 1 光學鄰近效應重要表現形式之一——禁止周期 2 10 2 禁止周期線寬減小的原因 2 10 3 禁止周期線寬「波谷」現象與照明光瞳的關係 2 10 4 光學鄰近效應修正之後的禁止周期 本章小結 參考文獻 第3章 6T SRAM電路結構與關鍵技術節點中的工藝流程簡述 3 1 光刻工藝處於工藝流程中的位置 3 2 6T SRAM的電路結構和基本工作原理 3 2 1 一個6T SRAM的電路結構和基本原理 3 2 2 對SRAM單元進行「讀」的操作 3 2 3 對SRAM單元進行「寫」的操作 3 3 晶體管結構的發展趨勢及關鍵技術節點中的工藝流程 3 3 1 晶體管結構的發展趨勢 3 3 2 某接近193nm水浸沒式光刻極限的設計規則及HKMG平面晶體管的工藝流程簡述 3 3 31 4nm技術節點關鍵層次設計規則以及FinFET的工藝流程簡述 3 3 43 nm關鍵層次設計規則以及CFET的工藝流程簡述 本章小結 參考文獻 第4章 光刻工藝簡介 4 1 光刻機及其重要子系統的發展歷史和最先進光刻機的工作原理 4 1 1 光刻機發展歷史和重要的時間節點 4 1 2 光刻機中曝光光源的發展歷史 4 1 3 光刻機中照明系統的發展歷史 4 1 4 光刻機中投影物鏡鏡頭的發展歷史 4 1 5 光刻機中雙工件台的基本工作原理 4 2 軌道機光刻機一體機簡介 4 3 光刻工藝8步工藝流程 4 4 線寬和套刻的測量設備與原理 4 4 1 線寬測量的原理 4 4 2 套刻測量的原理 4 5 先進光刻工藝中不同顯影類型的光刻膠 4 6 掩模版類型與製作流程簡介 4 6 1 掩模版類型簡介 4 6 2 掩模版製作流程簡介 本章小結 參考文獻 第5章 光刻工藝發展歷程與工藝標準 5 1 主要技術節點中關鍵層次的工藝細節 5 1 1 250∼65nm技術節點的工藝細節 5 1 2 45∼7nm技術節點的工藝細節 5 1 3 5∼1 5nm技術節點的工藝細節 5 1 4 250∼1nm技術節點的光刻工藝實現方式 5 2 符合工業標準的光刻工藝探討 5 3 照明光瞳的選擇 5 3 1 照明光瞳選擇的理論基礎 5 3 2 通過簡單的模擬結果判斷如何選擇合適的照明光瞳 5 3 3 模擬舉例照明光瞳對線端線端的影響 本章小結 參考文獻 第6章 光刻技術的發展和應用、工藝的研發流程 6 1 確定設計規則 6 1 1 設計規則中圖形類型 6 1 2 設計規則形狀與排布方向 6 2 確立基本光刻工藝模型 6 3 對光刻機中像差的要求 6 3 1 彗差(Z7,Z8)對光刻工藝的影響 6 3 2 球差(Z9)對光刻工藝的影響 6 4 選擇合適的光刻材料 6 4 1 選擇合適的光刻膠 6 4 2 選擇合適的抗反射層 6 5 線寬均勻性、套刻以及焦深的分配方式 6 5 1 線寬均勻性的分配方式 6 5 2 套刻的分配方式 6 5 3 焦深的分配方式 6 6 對掩模版的類型與規格的要求 6 7 先進光刻工藝的研發流程 6 7 1 先進晶元工藝研發的重要時間節點 6 7 2 光刻工藝研發的一般流程 6 7 3 製作測試掩模版 6 7 4 光刻工藝模擬條件的確定 6 7 5 光刻材料的選擇和評估 6 8 光學鄰近效應修正簡介 6 8 1 OPC修正的必要性 6 8 2 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢,查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號,我們即儘速上架。 |