熱絲化學氣相沉積技術 松村英樹 9787122456632 【台灣高等教育出版社】
圖書均為代購，正常情形下，訂後約兩周可抵台。
物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
NT$1,259
商品編號:
供貨狀況:
尚有庫存
加入最愛
此商品 「 最高 」可以折抵紅利
0
點
(約等於 NT$0 )
商品介紹
| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202406*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：熱絲化學氣相沉積技術 ISBN：9787122456632 出版社：化學工業 著編譯者：松村英樹 頁數：1 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1678280 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 催化化學氣相沉積（Cat-CVD）又名熱絲化學氣相沉積，可以在襯底溫度低於300℃條件下獲得器件級的高質量薄膜。本書系統介紹了Cat-CVD技術，包括其基本原理、設備設計及應用。具體包括Cat-CVD的物理基礎及其與等離子增強化學氣相沉積的區別、Cat-CVD中化學反應的分析方法及基本原理、Cat-CVD的物理化學基礎、Cat-CVD製備的無機薄膜性能、引發化學氣相沉積（iCVD）合成有機聚合物、Cat-CVD設備運行中的物理基礎與技術、Cat-CVD在太陽電池和各種半導體器件中的應用、Cat-CVD系統中的活性基團及其應用，最後介紹了利用Cat-CVD腔室中產生的活性基團，在低溫下進行半導體摻雜。 本書可供薄膜製備相關研發和技術人員參考使用，主要涉及半導體及薄膜太陽電池等領域。目錄 第1章 引言1 1 薄膜技術 1 2 Ca-t CVD的誕生 1 3 Ca-t CVD及相關技術的研究歷史 1 4 本書的結構 參考文獻 第2章 Cat-CVD的物理基礎及其與PECVD的區別 2 1 沉積腔室中的物理基礎 2 1 1 分子密度及其熱速率 2 1 2 平均自由程 2 1 3 固體表面的碰撞 2 1 4 腔室中基團的停留時間 2 2 Ca-t CVD和PECVD設備的差異 2 3 PECVD的基本特徵 2 3 1 PECVD的誕生 2 3 2 等離子體的產生 2 3 3 直流等離子體與射頻等離子 2 3 4 鞘層電壓 2 3 5 PECVD中分解的基團濃度 2 4 PECVD技術的缺點及改善方法 2 4 1 等離子體損傷 2 4 2 提高PECVD激發頻率 2 4 3 功率傳輸系統 2 4 4 大面積薄膜沉積的均勻性 2 5 Ca-t CVD的技術特點 附錄2 A Si、H原子低能量注入引起的Si、H原子分佈〈R〉和缺陷分佈〈Rdefect〉的粗略計算 參考文獻 第3章 Cat-CVD中化學反應的分析方法及基本原理 3 1 CVD過程中活性基團的重要性 3 2 活性基團檢測技術 3 3 單光子激光誘導熒光（LIF） 3 3 1 基本方法 3 3 2 兩態系統假設的有效性 3 3 3 熒光的各向異性 3 3 4 非輻射衰退過程的校正 3 3 5 光譜展寬 3 3 6 單光子LIF的典型裝置和實驗結果 3 3 7 分子基團的轉動和振動態的分佈 3 3 8 單光子LIF中絕對濃度的估算 3 4 雙光子激光誘導熒光 3 5 單通道真空紫外（VUV）激光吸收 3 6 其他激光光譜技術 3 6 1 共振增強多光子離化 3 6 2 光腔衰盪光譜 3 6 3 可調諧二極體激光吸收譜c 3 7 質譜測量技術 3 7 1 光致電離質譜法 3 7 2 閾值電離質譜法 3 7 3 離子附著式質譜分析法 3 8 穩定分子的氣相組成測定 附錄3 A 原子和分子光譜學中使用的術語符號 參考文獻 第4章 催化化學氣相沉積的物理化學基礎 4 1 Ca-t CVD過程中的分子動力學 4 1 1 Ca-t CVD腔室中的分子 4 1 2 Ca-t CVD與PECVD氣體利用率對比 4 1 3 熱絲表面積的影響 4 2 熱絲表面發生了什麼——催化反應 4 3 表面分解氣體過程中的熱絲中毒問題 4 4 Ca-t CVD腔室內氣體溫度分佈 4 5 熱絲表面分解機理及氣相動力學 4 5 1 雙原子分子的催化分解：H2、N2、O2 4 5 2 H2O的催化分解 4 5 3 SiH4和SiH4/H2的催化分解及後續氣相反應 4 5 4 NH3的催化分解及後續氣相反應 4 5 5 CH4和CH4/H2的催化分解及後續氣相反應 4 5 6 PH3和PH3/H2的催化分解及後續氣相反應 4 5 7 B2H6和B2H6/H2的催化分解及後續氣相反應 4 5 8 H3NBH3的催化分解和從硼化熱絲中釋放B原子 4 5 9 甲基硅烷和六甲基二硅氮烷（HMDS）的催化分解 4 5 10 金屬絲上各種分子催化分解總結 4 6 Ca-t CVD中Si膜的形成機理 參考文獻 第5章 Cat-CVD製備的無機薄膜性能 5 1 Ca-t CVD製備非晶硅（a-Si）的性能 5 1 1 a-Si基礎 5 1 2 Ca-t CVD製備a-Si基礎 5 1 3 Ca-t CVD製備a-Si的一般特性 5 1 4 Ca-t CVD製備a-Si機理——生長模型 5 2 Ca-t CVD製備多晶硅（poly-Si）和微晶硅（μc-Si）的性能 5 2 1 晶態硅薄膜的生長 5 2 2 Ca-t CVD製備poly-Si薄膜的結構 5 2 3 Ca-t CVD製備poly-Si薄膜的性能 5 2 4 在c-Si襯底上生長晶硅薄膜 5 3 Ca-t CVD製備SiNx的性能 5 3 1 SiNx薄膜的應用 5 3 2 SiNx的製備基礎 5 3 3 採用NH3和SiH4混合氣製備SiNx 5 3 4 採用NH3、SiH4和大量H2的混合氣製備SiNx 5 3 5 採用NH3、SiH4和大量H2製備SiNx薄膜的保形台階覆蓋特性 5 3 6 採用HMDS製備Cat-CVD SiNx 5 4 Ca-t CVD製備氮氧化硅（SiOx Ny）的性能 5 4 1 採用SiH4、NH3、H2、N2和O2混合氣製備SiOx Ny薄膜 5 4 2 採用HMDS、NH3、H2和O2混合氣製備SiOx Ny薄膜 5 5 Ca-t CVD製備SiO2薄膜的性能 5 6 Ca-t CVD製備氧化鋁（Al2O3）薄膜的性能 5 7 Ca-t CVD製備AlN薄膜的性能 5 8 Ca-t CVD製備無機薄膜總結 參考文獻 第6章 引發化學氣相沉積（iCVD）合成有機聚合物 6 1 引言 6 2 iCVD法合成聚四氟乙烯 6 2 1 CVD PTFE薄膜的特性選擇及應用 6 2 2 催化熱絲材料對PTFE沉積的影響 6 3 iCVD的機理 6 3 1 引發劑和抑製劑 6 3 2 單體的吸附 6 3 3 沉積速率和分子量 6 3 4 共聚反應 6 3 5 保形性 6 4 iCVD製備具有功能性、表面活性和響應性有機薄膜 6 4 1 聚甲基丙烯酸縮水甘油酯（PGMA）：性能和應用 6 4 2 含全氟烴基官能團的iCVD薄膜：性質和應用 6 4 3 聚甲基丙烯酸羥乙酯（PHEMA）及其共聚物：性質和應用 6 4 4 有機硅烷和有機硅氮烷：性質和應用 6 4 5 苯乙 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
