半導體納米器件-物理.技術和應用 大衛.A.里奇 9787122452795 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202408*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體納米器件-物理.技術和應用 ISBN：9787122452795 出版社：化學工業 著編譯者：大衛.A.里奇 頁數：302 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1675016 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 隨著先進的集成電路工藝節點不斷向納米級推進，對半導體納米器件的研究就顯得越發重要。本書詳細介紹了半導體納米器件的物理學原理、結構、製造工藝及應用等內容。開篇介紹了這一研究領域在過去幾十年的發展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括准一維電子氣、強電子相關的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學、雜訊測量、拓撲絕緣體納米帶、硅量子比特器件等；後半部分介紹光電子納米器件，包括半導體量子點單光子源的電學控制、量子點太陽能電池、量子點激光器、納米線激光器，以及氮化物單光子源等內容。 本書可供半導體器件、材料、物理相關科研人員和工程技術人員閱讀參考，也可作為高校相關專業的拓展學習資料。目錄 第1章 介紹、背景和內容第2章 准一維電子氣 2 1 介紹 2 2 實驗 2 3 一維器件的量子傳輸性質 2 3 1 冷卻 2 3 2 橫向電子聚焦 2 3 3 通過橫向電子聚焦的自旋排斥 2 3 4 多體效應和基態維格納晶體 2 3 5 跨雙行的源極-漏極偏壓 2 3 6 面內磁場對雙行的影響 2 3 7 無磁場分數態 2 3 8 載流子密度變化的影響 2 3 9 面內磁場的影響 2 3 10 具有分數態的非線性傳輸 參考文獻 第3章 半導體納米器件作為強電子相關的測量 3 1 費米液體理論的失效 3 1 1 朝永-盧廷格液體模型 3 1 2 自旋朝永-盧廷格液體 3 1 3 譜函數和冪律行為 3 2 朝永-盧廷格液體行為的早期研究 3 2 1 光電子能譜 3 2 2 輸運測量 3 2 3 磁隧穿譜 3 3 超越線性朝永-盧廷格液體近似 3 3 1 非線性朝永-盧廷格液體的移動雜質模型 3 3 2 遠離費米點的模式層次 3 4 非線性效應研究進展 3 4 1 一維「複製品」模式 3 4 2 動量相關的冪律 3 4 3 高能量下自旋子和空穴子的壽命 3 4 4 非線性碳納米管 3 5 一維相互作用效應其他進展 3 5 1 庫侖阻力 3 5 2 螺旋電流 3 5 3 冷原子 3 6 小結 參考文獻 第4章 量子點熱電特性 4 1 熱電的Landauer-Buttiker唯象理論 4 2 量子點模型 4 3 量子極限 4 4 庫侖振蕩和熱電勢 4 5 簡併的影響 4 6 功率因子和品質因數 4 7 對維德曼-弗蘭茲定律的違背 4 8 非線性區域 4 9 輸出功率和效率 4 10 應用 4 11 小結 參考文獻 第5章 單電子源 5 1 單電子源的類型 5 1 1 旋轉柵量子點單電子轉移 5 1 2 多結單電子泵 5 1 3 超導體-普通金屬混合旋轉柵 5 1 4 表面聲波單電子轉移 5 1 5 可調諧勢壘量子點泵 5 1 6 介觀電容器 5 1 7 懸浮子 5 2 量子電流標準 5 2 1 SI安培的實現 5 2 2 量子計量三角 5 2 3 多結泵電容器充電實驗 5 2 4 可調諧勢壘泵的電流量化精度 5 3 電子量子光學 5 3 1 漢伯里·布朗和特維斯幾何結構中的分區雜訊測量 5 3 2 Hong-Ou-Mandel效應的不可區分性測試 5 3 3 量子層析成像 5 3 4 波包傳輸中的退相干和弛豫 5 4 小結 參考文獻 第6章 半導體納米器件的雜訊測量 6 1 介紹 6 2 量子散粒雜訊的物理學 6 2 1 量子散粒雜訊的二項式統計 6 2 2 散粒雜訊的量子散射方法 6 3 雜訊測量技術 6 3 1 低頻散粒雜訊測量技術 6 3 2 高頻散粒雜訊測量技術 6 4 半導體納米器件中的散粒雜訊 6 4 1 散粒雜訊的量子抑制 6 4 2 散粒雜訊中的高頻效應 6 4 3 分數量子霍爾效應：分數電荷的散粒雜訊測量 6 4 4 使用散粒雜訊測量研究雙粒子相關性和干涉 6 4 5 用於電子量子光學的散粒雜訊測量 6 5 結論 參考文獻 第7章 拓撲絕緣體納米帶中的電學輸運和超導輸運 7 1 介紹 7 2 TI中的電學輸運概述 7 2 1 電導率的溫度依賴性 7 2 2 垂直磁場中的3D TI 7 3 TI納米帶中的電學輸運 7 4 TI納米帶中的超導輸運 7 4 1 TI納米帶中臨界電流的溫度依賴性 7 4 2 TI納米帶約瑟夫森結中的Aharonov-Bohm效應 7 5 總結與展望 參考文獻 第8章 硅量子比特器件 8 1 介紹 8 1 1 摩爾定律 8 1 2 量子計算 8 1 3 量子計算平台 8 1 4 關於本章 8 2 加工製造 8 2 1 硅主體材料 8 2 2 硅-金屬氧化物半導體（Si-MOS） 8 2 3 Si/SiGe 8 2 4 SOI 8 3 硅自旋量子比特 8 3 1 單自旋量子比特 8 3 2 單重態-三重態量子比特 8 3 3 自旋讀出 8 4 未來發展 參考文獻 第9章 半導體量子點單光子源的電學控制 9 1 介紹與動機 9 2 單量子點光子源的二極體設計 9 2 1 用於量子點電場控制的異質結構 9 2 2 提高單量子點光子收集效率的異質結構 9 3 量子點內部能級控制 9 3 1 中性躍遷的電場控制 9 3 2 帶電躍遷的電場控制 9 4 量子點控制的混合方法 9 4 1 可調諧電致發光量子點光源 9 4 2 採用可調光源結合相干光控制 9 4 3 應變和電場可調量子點 9 5 未來發展 參考文獻 第10章 半導體量子點太陽能電池 10 1 介紹 10 2 QD-IBSC中量子效率的漂移-擴散分析 10 2 1 介紹 10 2 2 模擬方法 10 2 3 結果與討論 10 3 使用場阻尼層提高QDSC中的載流子收集效率 10 3 1 使用場阻尼層的QDSC能帶結構工程 10 3 2 寬禁帶材料蓋帽對使用FDL的QDSC的影響 10 4 QDSC中TSPA過程的FTIR光譜 10 4 1 兩步光吸收光譜 10 4 2 In（Ga）As QDSC的FTIR 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
