空間微電子.第二卷.空間用集成電路設計 9787515922997 阿納托利.貝盧斯 維塔利.薩拉杜哈 西亞爾.史維道

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書名:空間微電子.第二卷.空間用集成電路設計
ISBN:9787515922997
出版社:中國宇航
著編譯者:阿納托利.貝盧斯 維塔利.薩拉杜哈 西亞爾.史維道
頁數:480
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書號:1670717
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【台灣高等教育出版社簡體書】 空間微電子.第二卷.空間用集成電路設計 787515922997 阿納托利.貝盧斯 維塔利.薩拉杜哈 西亞爾.史維道

內容簡介

阿納托利·貝盧斯、維塔利·薩拉杜哈、西亞爾·史維道三位專家基於俄羅斯和白俄羅斯航天工業微電子技術應用和發展實踐,編著了《空間微電子》,結合微電子技術和工藝製程的新發展,介紹了俄羅斯和白俄羅斯航天工業在微電子元器件選用、工藝製程、降耗、抗輻射等方面的實踐與思考,可為國內相關行業提供參考和借鑒。本書為《空間微電子》第二卷,共九章,主要介紹了空間微電子的設計、生產工藝、測試及應用等相關內容,特別是結合空間應用的環境對元器件的可靠性要求,就相關的設計和工藝原理結合數據和案例進行了細緻的討論。

作者簡介

阿納托利·貝盧斯(Anatoly Belous)是白俄羅斯共和國國家科學院院士、技術科學博士、教授、白俄羅斯共和國國家獎獲得者、白俄羅斯共和國功勛發明家。 他1973年畢業於明斯克無線電技術大學電子工程專業,是70多個航天火箭工業微電子器件開發項目的首席設計工程師,包括能源、安加拉和質子運載火箭,撒旦(SS-18)彈道導彈,量子系列航天器,軌道和平號空間站,暴風雪號太空梭和國際軌道站的Kanopus系列地球遠程掃描衛星。 他被授予蘇聯勞動英雄金質獎章,同時發表了300多篇科學論文,擁有150多項專利,編撰了18部專著和5部教程。他是四種科學期刊的編委也是白俄羅斯共和國微波電子學、光子學、微電子學和納米電子學國家專家委員會主席,還是兩屆國際微電子年會計劃起草委員會的副主席。 多年來,他在俄羅斯、白俄羅斯、中國、印度、保加利亞、越南、波蘭和烏克蘭的技術大學開設了空間電子學專題講座。他在俄羅斯航天局的會議、研討會和工作會議上定期發表有關空間電子學的報告。

目錄

緒論
第1章 國產航天冊選用進口基礎電子元器件時應考慮的問題
1 1 空間工程用電子設備元器件選型工作的共性問題
1 2 國外針對俄羅斯的元器件出口限制
1 2 1 美國對ECB的出口限制
1 2 2 歐洲和其他國家對ECB的出口限制
1,2 3 國際出口管制組織
1 3 國外工業ECB在俄羅斯火箭和航天科技中應用的特點
1 4 偽造微電子產品及其甄別方法
1 4 1 偽造電子元器件的分類
1 4 2 甄別偽造產品的有效方法
1 4 3 航天應用微電子產品的電學測試
1 5 俄羅斯航天器在選擇和應用國外處理器方面的特點
1 5 1 國外處理器在俄羅斯航天器中的應用情況
1 5 2 UT 699和GR 712微處理器的版本和鑒定
1 5 3 Leon 3FT系列UT 699和GR 712微處理器的架構和硬體特性
1 5 4 微處理器Leon 3FT編程特點
1 6 航天和軍用抗輻射直流轉換器
1 6 1 總劑量效應(TID)
1 6 2 低劑量率輻照損傷敏感性增強效應(ELDRS)
1 6 3 單粒子效應(SEE)
1 6 4 最壞情況下的參數限制分析
1 6 5 MIL-PRF-38534標準的K級要求
1 6 6 無光耦混合型DC-DC轉換器
1 7 生產空間系統機載設備用電子元器件工作部署的最佳實踐
1 8 面向空間應用的基礎電子元器件的加速可靠性試驗
1 9 2009-2011年間俄羅斯購買微電路的測試結果分析
參考文獻
第2章 亞微米級晶體管和肖特基二極體的工藝製程特點和基本結構
2 1 關於亞微米級微電子學的術語
2 2 現代微電子技術發展趨勢與展望
2 2 1 微縮問題
2 2 2 現代亞微米技術:微處理器生產應用實例
2 3 亞微米MOS晶體管的特性
2 3 1 超大規模集成電路中MOS晶體管結構
2 3 2 改善MOSFET性能的方法
2 3 3 絕緣休上硅結構的MOS晶體管
2 3 4 雙柵、三柵和圓柱形柵晶體管
2 3 5 其他類型的品晶休管結構
2 3 6 模擬電路中品體管特性
2 4 高溫環境下肖特基二極體構造技術特點
2 4 1 肖特基二極體工作的物理機制
2 4 2 耐高溫肖特基二極體的設計技術特點
2 4 3 確保最小反向電流和最小正向電壓的方法
2 4 4 獲得最小正向電壓和最大反向電壓的方法
2 5 具有增強抗靜電放電能力的肖特基二極體結構的設計技術特點
參考文獻
選定書目
第3章 微電子元器件的功耗最小化方法
3 1 微電子元器件功耗參數的主要變化趨勢
3 2 降低CMOS LSIC功耗等級的方法
3 3 CMOS LSIC中功耗的主要來源
3 4 低功耗CMOS LSIC邏輯設計方法
3 4 1 低功耗CMOS電路的基本邏輯綜合
3 4 2 確定CMOS微電路的功耗來源
3 4 3 基於微電路單元開關活動預測的優化選項概率評估
3 4 4 設計低功耗CMOS VLSIC時基礎元器件的選擇
3 4 5 基於元器件庫的CMOS LSIC邏輯綜合
3 4 6 針對功耗的兩層邏輯電路優化
3 4 7 工藝無關功能電路的基本門選擇
3 4 8 多輸入門組成的多層邏輯電路的優化
3 4 9 由兩輸入門組成的多層邏輯電路的優化
3 4 10 工藝映射
3 4 11 在邏輯和電路級估計所設計CMOS大規模集成電路的功耗
3 4 12 使用PSLS設計低功耗CMOS大規模集成電路的技術
3 4 13 PSLS軟體包架構
3 4 14 軟體包PSLS的功能
3 5 現代介面LSIC的低功耗結構特性
3 5 1 RS-485介面收發器微電路
3 5 2 RS-232介面收發器微電路
3 5 3 低電源電壓1C介面電壓比較器的設計和原理性技術特色
3 5 4 低功耗介面LSIC發送器單元電路的設計特點
3 5 5 等同於半導體帶剛寬度的溫度無關基準電壓源
3 5 6 溫度無關基準電壓源的設計選項
3 5 7 提高微電路抗熱電子效應能力的電路結構方法
參考文獻
第4章 輻射對亞微米集成電路影響的特點
4 1 輻射對亞微米CMOS集成電路膨響的物理機理
4 1 1 MIC元器件輻照后的性能恢復
4 1 2 輻照條件對MIC元器件輻射容限的影響
4 2 輻照對雙極型模擬集成電路的影響
4 2 1 集成運算放大器的輻射效應
4 2 2 集成電壓比較器的輻射效應
4 3 保證集成電路抗輻射能力的主要方法
4 4 現代先進集成電路的抗輻射能力
4 5 推薦用於硅基微電路輻射效應實驗研究的元器件
4 5 1 CMOS集成電路基本邏輯單元
4 5 2 電可擦除可編程只讀存儲器元器件
4 5 3 CMOS邏輯集成電路
4 5 4 CMOS LSIC存儲器
4 5 5 基於SOI結構的CMOS LSIC SRAM
4 5 6 BiCMOS LSIC
4 6 微電路輻照測試結構及樣品研究的設備與方法
4 7 輻照后測試結構電參數的測量方法
4 7 1 EEPROM參數調節方法
4 8 穿透性輻射對雙極晶體管結構參數影響的實驗研究結果
4 9 電離輻射對雙極模擬集成電路參數影響的實驗研究
4 10 電離輻射對MOS晶體管參數及集成電路影響的實驗研究
4 10 1 γ輻射對MOS晶體管參數
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