光刻技術 (原著第二版) 林本堅 9787122451514 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202408*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：光刻技術 (原著第二版) ISBN：9787122451514 出版社：化學工業 著編譯者：林本堅 頁數：369 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1672074 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書詳細介紹了半導體晶元製造中的核心技術——光刻技術。主要內容包括驅動光學光刻的基本方程和參數的相關知識、曝光系統和成像基礎理論、光刻系統組件、工藝和優化技術等；深入分析了光刻技術的發展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。 本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量製造方面的獨特經驗，增加了關於接近式曝光方面的全新內容，同時更新並擴展了曝光系統、成像、曝光-離焦（E-D）法、硬體組件、工藝和優化以及EUV光刻和浸沒式光刻等方面的資料。 本書可供半導體光刻領域的工程師、管理者以及研究人員閱讀，還可作為高校微電子、光學工程、集成電路等相關學科的參考教材。作者簡介 林本堅（Burn J Lin）博士是台灣清華大學（清大）特聘研究講座教授和台積電（TSMC）清大聯合研發中心主任。2000年加入台積電擔任資深處長，2011年至2015年擔任副總經理和傑出科技院士。早年間，自1970年加人美國IBM T J Watson研究中心后，在IBM公司擔任過各種技術和管理職務。半個世紀以來，他一直在拓展光學光刻技術的極限。1991年，他創建了Linnovation Inc ，至今仍是該公司的首席執行官， 林博士是Journal of Micro/ Nanolithography，MEMS，and MOEMS的創刊主編，美國國家工程院院士，中國台灣「中研院」院士、台灣工業技術研究院院士，IEEE和SPIE終身會士，台灣交通大學和台灣大學聯合特聘教授，俄亥俄大學和台灣大學傑出校友， 林博士獲得的榮警有2018年未來科學大獎數學與計算機科學獎，2017年SPIE獎〈因在1987年創辦了光學微光刻會議），2013年IEEE西澤潤一獎，2010年首個SEMI IC傑出成就獎，2009年IEEE Cledo Brunetti獎，2009年Benjamin G Lamme功成就獎，2007年工業技術進步獎，2006年傑出光學工程獎，2005年VLSI Research Inc 的晶元製造行業全明星最有價值專家，2005年台灣兩位最佳研發經理之一，2004年PWY基金會傑出研究獎，2004年首屆SPIE Frits Zernike獎，2003年傑出科技工作者獎，2002年台灣十大最佳工程師獎；在他的職業生涯中，還獲得過兩次台積電創新獎、十次IBM發明獎和一次IBM傑出技術貢獻獎 林博士在許多方面一直在開拓：深紫外光刻技術（1975年以來），多層光刻膠體系（1979年以來），2D部分相干成像模擬（1980年以來），曝光-離焦方法（1980年以來），解析度和焦深的比例方程（1986年以來），k1降低（1987年以來），1義掩模限制的證明（1987年以來），光學成像中的振動（1989年以來），接觸孔電測量（1989年以來），又射線接近式曝光的E-G樹（1990年以來），掩模反射率對成像影響的實驗演示（1990年以來），透鏡最佳NA（1990年以來），衰減型相移掩模（1991年以來），Signamization技術（1996年以來），LWD-n和LWD-p（1999年以來），解析度和焦深的非近軸比例方程（2000年以來），193nm浸沒式光刻（2002年以來），偏振相關雜散光（2004年以來）。他的創新和研究工作跨越了21代光刻技術，從5000nm節點開始，一直延伸到5nm節點。 林博士撰寫了兩本書以及其他書中的三章內容，發表了132篇以上文章，其中71篇他是唯一或第一作者，還擁有88項美國專利。目錄 第1章 緒論1 1 光刻在集成電路製造中的作用 1 2 光刻的目標 1 3 光刻的度量標準 1 4 本書 內容簡介 第2章 接近式曝光 2 1 引言 2 2 接近式成像 2 3 各種衍射近似的有效區域 2 4 鄰近圖像 2 5 E-G圖 2 6 小結 參考文獻 第3章 曝光系統 3 1 投影式曝光及其與接近式曝光的比較 3 2 全晶圓視場 3 3 步進重複系統 3 4 步進掃描系統 3 5 縮小系統和1×系統 3 6 縮小系統製造的1×掩模 3 7 小結 參考文獻 第4章 成像 4 1 空間像 4 1 1 球面波前及其偏差的影響 4 1 2 球面波前 4 1 3 有限數值孔徑對球面波前的影響 4 1 4 球面波前的偏差 4 1 5 從掩模圖案成像 4 1 6 空間頻率 4 1 7 成像結果 4 2 反射和折射圖像 4 2 1 掩模反射和折射圖像的評估方法 4 2 2 多次反射對焦深的影響 4 3 潛像 4 4 光刻膠圖像 4 4 1 A、B、C係數 4 4 2 集總參數模型 4 4 3 β與η 4 5 從空間像到光刻膠圖像 4 6 轉移圖像 4 6 1 各向同性刻蝕 4 6 2 各向異性刻蝕 4 6 3 剝離 4 6 4 離子注入 4 6 5 電鍍 參考文獻 第5章 光刻的度量：曝光-離焦（E-D）工具 5 1 解析度和焦深比例方程 5 2 基於顯微術測定k1和k 5 3 基於光刻確定k1、k2和k 5 3 1 E-D分支、樹和區域 5 3 2 E-D窗口、DOF和曝光裕度 5 3 3 使用E-D窗口確定k1、k2和k 5 4 k1、k2和k3作為歸一化的橫向和縱向尺寸單位 5 5 E-D工具 5 5 1 構建E-D樹 5 5 2 曝光軸使用對數比例的重要性 5 5 3 橢圓E-D窗口 5 5 4 CD居中的E-D窗口與全CD範圍的E-D窗口 5 5 5 E-D窗口和CD控制 5 5 6 E-D工具的應用 參考文獻 第6章 光學光刻的硬體組件 6 1 光源 6 1 1 汞弧燈 6 1 2 準分子激光器 6 2 照明器 6 2 1 科勒照明系統 6 2 2 離軸照明 6 2 3 任意照明 6 3 掩模 6 3 1 掩模襯底和吸收體 6 3 2 護膜 6 3 3 掩模的關鍵參數 6 3 4 相移掩模 6 4 成像透鏡 6 4 1 典型透鏡參數 6 4 2 透鏡配置 6 4 3 透鏡像差 6 4 4 透鏡加工 6 4 5 透鏡維護 6 5 光刻膠 6 5 1 分類 6 5 2 光與光刻膠的相互作用 6 5 3 顯影的光刻膠圖像 6 5 4 抗反射塗層 6 6 晶圓 6 7 晶圓台 6 8 對準系統 6 8 1 離軸對準和通過透鏡對準 6 8 2 逐場、全局和增強全局對準 6 8 3 明場和暗場對準 6 9 小結 參考文獻 第7章 工藝與化 7 1 曝光機的化 7 1 1 NA的化 7 1 2 照明的化 7 1 3 曝光和焦點 7 1 4 焦深預算 7 1 5 曝光機的產率管理 7 2 光刻膠工藝 7 2 1 光刻膠塗覆 7 2 2 光刻膠烘焙 7 2 3 光刻膠顯影 7 2 4 光刻膠圖像的高寬比 7 2 5 環境污染 7 3 k1降低 7 3 1 相移掩模 7 3 2 離軸照明 7 3 3 散射條 7 3 4 光學鄰近效應校正 7 4 偏振照明 7 5 多重圖案化 7 5 1 多重圖案化技術原理 7 5 2 MPT工藝 7 5 3 MPT版圖 7 5 4 雙重圖案化技術的G規則 7 5 5 打-解技術 7 5 6 解析度倍增理論說明 7 5 7 MPT的套刻考慮 7 5 8 克服雙重成像的產率損失 7 6 CD均勻性 7 6 1 CD不均勻性分析 7 6 2 CDU的改進 7 7 對準和套刻 7 7 1 對準和套刻標記 7 7 2 使用測量數據進行對準 7 7 3 評估場間和場內套刻誤差成分 參考文獻 第8章 浸沒式光刻 8 1 引言 8 2 浸沒式光刻概述 8 3 解析度和焦深 8 3 1 波長縮短和空間頻率 8 3 2 解析度比例方程和焦深比例方程 8 3 3 使用浸沒式系統解析度和焦深 8 3 4 浸沒式系統中的NA 8 4 多層介質的焦深 8 4 1 多層介質中的透射和反射 8 4 2 晶圓離焦運動的影響 8 4 3 衍射焦深 8 4 4 所需焦深 8 4 5 可用焦深 8 4 6 耦合介質的選折射率 8 4 7 解析度和衍射焦深之間的權衡 8 5 光學成像中的偏振 8 5 1 不同偏振的成像 8 5 2 雜散光 8 6 浸沒式系統和組件 8 6 1 浸沒式系統的配置 8 6 2 浸沒介質 8 6 3 浸沒透鏡 8 6 4 浸沒介質中的氣泡 8 6 5 掩模 8 6 6 亞波長3D掩模 8 6 7 光刻膠 8 7 浸沒式光刻對工藝的影響 8 7 1 浸沒式光刻的模擬 8 7 2 多晶硅層 8 7 3 接觸層 8 7 4 金屬層 8 7 5 對三個技術節點的建議 8 8 浸沒式光刻技術實踐 8 8 1 曝光結果 8 8 2 減少缺陷 8 8 3 監測浸沒罩和殊路線 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
