高壓厚膜SOI-LIGBT器件關鍵技術 張龍 孫偉鋒 劉斯揚 等 9787115584816 【台灣高等教育出版社】

圖書均為代購,正常情形下,訂後約兩周可抵台。
物品所在地:中國大陸
原出版社:人民郵電
NT$948
商品編號:
供貨狀況: 尚有庫存

此商品參與的優惠活動

加入最愛
商品介紹
*完成訂單後正常情形下約兩周可抵台
*本賣場提供之資訊僅供參考,以到貨標的為正確資訊。
印行年月:202307*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況,謝謝。
台灣(台北市)在地出版社,每筆交易均開具統一發票,祝您中獎最高1000萬元。
書名:高壓厚膜SOI-LIGBT器件關鍵技術
ISBN:9787115584816
出版社:人民郵電
著編譯者:張龍 孫偉鋒 劉斯揚 等
叢書名:電子信息前沿專著系列
頁數:201
所在地:中國大陸 *此為代購商品
書號:1564043
可大量預訂,請先連絡。

內容簡介

單片智能功率晶元是一種功能與結構高度集成化的高低壓兼容晶元,其內部集成了高壓功率器件、高低壓轉換電路及低壓邏輯控制電路等,高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件(高壓厚膜SOI-LIGBT器件)在其中被用作開關器件,是該晶元中的核心器件,其性能直接決定了晶元的可靠性和功耗。本書共7章:介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理,分析了器件的耐壓、導通、關斷原理;然後圍繞高壓厚膜SOI-LIGBT器件的關鍵技術,研究了高壓互連線屏蔽技術、電流密度提升技術和快速關斷技術三大類技術,分析了U型溝道電流密度提升技術、雙溝槽互連線屏蔽技術、複合集電極快速關斷技術等9種技術;圍繞高壓厚膜SOI-LIGBT器件的魯棒性,研究了關斷失效、短路失效、開啟電流過充、低溫特性漂移;探討了厚膜SOI-LIGBT器件的工藝和版圖。 本書內容基於過去8年單片智能功率晶元國產化過程中的創新設計和工程實踐積累進行編寫,兼具理論啟發性和工程實用性,適合功率半導體器件與集成電路領域內的科研、生產、教學人員閱讀和參考。

作者簡介

劉斯揚 2008年于合肥工業大學獲學士學位,2011年、2015年于東南大學分別獲碩士、博士學位,2015至2017年在東南大學從事博士后研究工作,目前為東南大學青年首席教授,國家高層次人才,博士生導師,博士論文曾入選2016年度中國電子學會優秀博士學位論文。主要研究方向為功率半導體集成工藝、器件及可靠性。

目錄

第1章 緒論
1 1 單片智能功率晶元與厚膜SOI工藝
1 1 1 單片智能功率晶元
1 1 2 厚膜SOI工藝
1 1 3 LIGBT器件及其應用需求
1 2 高壓厚膜SOI-LIGBT器件的研究現狀
1 2 1 互連線技術
1 2 2 電流密度提升技術
1 2 3 短路魯棒性
1 2 4 關斷魯棒性
1 2 5 快速關斷技術
1 3 本書內容
參考文獻
第2章 高壓厚膜SOI-LIGBT器件的基本原理
2 1 耐壓原理
2 2 導通原理
2 3 關斷原理
2 3 1 開關波形
2 3 2 關斷的物理過程
2 4 短路過程與失效機理
參考文獻
第3章 高壓厚膜SOI-LIGBT器件的互連線技術
3 1 HVI導致擊穿電壓下降的機理
3 2 等深雙溝槽互連線技術
3 3 非等深雙溝槽互連線技術
3 4 本章小結
參考文獻
第4章 高壓厚膜SOI-LIGBT器件的電流密度提升技術
4 1 電流密度與閂鎖電壓的折中關係
4 2 直角U型溝道技術
4 3 非直角U型溝道技術
4 4 本章小結
參考文獻
第5章 高壓厚膜SOI-LIGBT器件的魯棒性
5 1 關斷魯棒性
5 1 1 多跑道並聯SOI-LIGBT器件的非一致性關斷特性
5 1 2 非一致性關斷行為的改進
5 2 短路魯棒性
5 2 1 雙柵控制型器件及其短路能力
5 2 2 溝槽柵U型溝道器件的特性
5 2 3 平面柵與溝槽柵U型溝道器件的短路特性對比
5 3 開啟電流過沖與di/dt控制技術
5 3 1 U型溝道SOI-LIGBT器件的di/dt可控性
5 3 2 預充電控制技術
5 4 擊穿電壓漂移現象
5 4 1 低溫動態雪崩測試
5 4 2 動態雪崩穩定性機理
5 4 3 優化策略討論
5 5 本章小結
參考文獻
第6章 高壓厚膜SOI-LIGBT器件的快速關斷技術
6 1 漂移區深溝槽技術
6 1 1 漂移區雙溝槽器件及其關斷特性
6 1 2 漂移區三溝槽器件及其關斷特性
6 2 電壓波形平台的產生機理與消除技術
6 2 1 電壓波形平台的產生機理
6 2 2 電壓波形平台的消除技術
6 3 複合集電極技術
6 3 1 複合集電極結構與原理
6 3 2 複合集電極SOI-LIGBT器件的特性
6 4 橫向超結技術
6 4 1 橫向超結的排列方式
6 4 2 關斷過程電壓波形分析
6 4 3 橫向超結優化策略
6 5 陽極短路技術
6 5 1 結構和工作機理
6 5 2 電學特性
6 6 本章小結
參考文獻
第7章 高壓厚膜SOI-LIGBT器件工藝流程與版圖設計
7 1 工藝流程
7 2 版圖設計
7 2 1 直條區域
7 2 2 拐角區域與HVI
7 2 3 跑道和隔離溝槽
參考文獻
符號、變數註釋表
縮略語

詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢,查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號,我們即儘速上架。
規格說明
運送方式
已加入購物車
已更新購物車
網路異常,請重新整理