半導體物理學簡明教程 孟慶巨 9787121226304 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：電子工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：201406*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體物理學簡明教程 ISBN：9787121226304 出版社：電子工業 著編譯者：孟慶巨 頁數：230 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1575961 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書以簡明的形式介紹了半導體的基本物理現象、物理性質、物理規律和基本理論。內容包括：晶體結構與晶體結合、半導體中的電子狀態、載流子的統計分佈、電荷輸運現象、非平衡載流子、半導體表面、PN結、金屬-半導體接觸、半導體的光學性質等。 本書可作為高等學校微電子學、光電子學等電子科學與技術各專業的教材，也可供有關專業研究生和從事微電子、光電子等專業的研究人員和工程技術人員參考。目錄 第1章 晶體結構與晶體結合1 1 晶體結構 1 1 1 晶格和晶胞 1 1 2 原胞 原基矢量 晶格平移矢量 1 2 晶列與晶面 1 2 1 晶向指數 1 2 2 晶面指數 1 3 倒格子 1 4 晶體結合 1 4 1 固體的結合形式和化學鍵 1 4 2 離子結合（離子鍵） 1 4 3 共價結合（共價鍵） 1 4 4 金屬結合（金屬鍵） 1 4 5 范德瓦爾斯結合（范德瓦爾斯鍵） 1 5 典型半導體的晶體結構 1 5 1 金剛石型結構 1 5 2 閃鋅礦型結構 1 5 3 纖鋅礦型結構 思考題與習題 第2章 半導體中的電子狀態 2 1 周期性勢場 2 2 布洛赫（Bloch）定理 2 2 1 單電子近似 2 2 2 布洛赫定理 2 2 3 布里淵區 2 3 周期性邊界條件（玻恩·馮-卡曼Born von-Karman邊界條件） 2 4 能帶 2 4 1 周期性勢場中電子的能量譜值 2 4 2 能帶圖及其畫法 2 5 外力作用下電子的加速度有效質量 2 5 1 外力作用下電子運動狀態的改變 2 5 2 有效質量 2 6 等能面、主軸坐標系 2 7 金屬、半導體和絕緣體的區別 2 8 導帶電子和價帶空穴 2 9 硅、鍺、砷化鎵的能帶結構 2 9 1 導帶能帶圖 2 9 2 價帶能帶圖 2 10 半導體中的雜質和雜質能級 2 10 1 替位式雜質和間隙式雜質 2 10 2 施主雜質和施主能級 N型半導體 2 10 3 受主雜質和受主能級 P型半導體 2 10 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質能級 2 10 5 等電子雜質等電子陷阱 2 11 類氫模型 2 12 深能級 2 13 缺陷能級 2 14 寬禁帶半導體的自補償效應 思考題與習題 第3章 載流子的統計分佈 3 1 能態密度 3 1 1 導帶能態密度 3 1 2 價帶能態密度 3 2 分佈函數 3 2 1 費米-狄拉克（Fermi-Dirac）分佈與費米能級 3 2 2 玻耳茲曼分佈 3 3 能帶中的載流子濃度 3 3 1 導帶電子濃度 3 3 2 價帶空穴濃度 3 4 本徵半導體 3 5 雜質半導體中的載流子濃度 3 5 1 雜質能級上的載流子濃度 3 5 2 N型半導體 3 5 3 P型半導體 3 6 雜質補償半導體 3 7 簡併半導體 3 7 1 簡併半導體雜質能級和能帶的變化 3 7 2 簡併半導體的載流子濃度 思考題與習題 第4章 電荷輸運現象 4 1 格波與聲子 4 1 1 格波 4 1 2 聲子 4 2 載流子的散射 4 2 1 平均自由時間與弛豫時間 4 2 2 散射機構 4 3 漂移運動 遷移率 電導率 4 3 1 平均漂移速度與遷移率 4 3 2 漂移電流 電導率 4 4 多能谷情況下的電導現象 4 5 電流密度和電流 4 5 1 擴散流密度與擴散電流 4 5 2 漂移流密度與漂移電流 4 5 3 電流密度與電流 4 6 非均勻半導體中的內建電場 4 6 1 半導體中的靜電場和勢 4 6 2 愛因斯坦關係 4 6 3 非均勻半導體中的內建電場 4 7 霍爾（Hall）效應 4 7 1 霍爾係數 4 7 2 霍爾角 思考題與習題 第5章 非平衡載流子 5 1 非平衡載流子的產生與複合 5 1 1 非平衡載流子的產生 5 1 2 非平衡載流子的複合 5 1 3 非平衡載流子的壽命 5 2 直接複合 5 3 通過複合中心的複合 5 3 1 載流子通過複合中心的產生和複合過程 5 3 2 凈複合率 5 3 3 小信號壽命公式——肖克利-瑞德公式 5 3 4 金在硅中的複合作用 5 4 表面複合和表面複合速度 5 5 陷阱效應 5 6 准費米能級 5 6 1 准費米能級 5 6 2 修正歐姆定律 5 7 連續性方程 5 8 電中性條件 介電弛豫時間 5 9 擴散長度與擴散速度 5 10 半導體中的基本控制方程 思考題與習題 第6章 半導體表面 6 1 表面態和表面空間電荷區 6 2 表面電場效應 6 2 1 表面空間電荷區的形成 6 2 2 表面勢與能帶彎曲 6 3 載流子積累、耗盡和反型 6 3 1 載流子積累 6 3 2 載流子耗盡 6 3 3 載流子反型 6 4 理想MOS電容 6 5 實際MOS電容的C-V特性 6 5 1 功函數差的影響 6 5 2 界面陷阱和氧化物電荷的影響 6 5 3 實際MOS的C-V曲線和閾值電壓 思考題與習題 第7章 PN結 7 1 熱平衡PN結 7 1 1 PN結空間電荷區 7 1 2 電場分佈與電勢分佈 7 2 偏壓PN結 7 2 1 PN結的單嚮導電性 7 2 2 少數載流子的注入與輸運 7 3 理想PN結二極體的直流電流-電壓（I-V）特性 7 4 空間電荷區複合電流和產生電流 7 4 1 正偏複合電流 7 4 2 反偏產生電流 7 5 隧道電流 7 6 PN結電容 7 6 1 耗盡層電容 7 6 2 擴散電容 7 7 PN結擊穿 7 8 異質結 7 8 1 熱平衡異質結 7 8 2 加偏壓的異質結 思考題與習題 第8章 金屬-半導體接觸 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
