半導體器件基礎 蔣玉龍 9787302661207 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：清華大學
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202406*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體器件基礎 ISBN：9787302661207 出版社：清華大學 著編譯者：蔣玉龍 頁數：247 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1655514 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結、雙極型晶體管和場效應晶體管的基本結構、關鍵參數、直流特性、頻率特性、開關特性，側重對基本原理的討論，藉助圖表對各種效應進行圖形化直觀展示，並詳細推導了各種公式。此外，還對小尺寸場效應晶體管的典型短溝道效應及其實際業界對策進行了較為詳細的闡述。 本書適合集成電路或微電子相關專業本科生在學習完半導體物理知識后，進一步學習半導體器件工作原理之用；也可作為集成電路相關專業研究生的研究工作參考書，還可作為集成電路代工廠或電路設計從業人員的專業參考書。作者簡介 蔣玉龍，復旦大學微電子學院教授，復旦大學教師教學發展中心副主任。研究方向為混合式教學研究、集成電路先進工藝與器件研究。承擔本科生和研究生「半導體物理」、「半導體器件原理」和「集成電路製造技術」等課程。2014年獲得上海市教學成果獎二等獎，2016年獲得復旦大學教學貢獻獎，2018年獲得上海市教學成果獎一、二等獎，2019年獲得上海市育才獎。目錄 第1章 PN結1 1 半導體物理基礎知識 1 1 1 導帶電子濃度 1 1 2 價帶空穴濃度 1 1 3 四種電流 1 1 4 突變PN結耗盡區寬度 1 1 5 一維擴散方程的穩態解 1 1 6 玻耳茲曼分佈規律的應用 1 2 PN結直流特性 1 2 1 基本結構 1 2 2 正偏下的電流 1 2 3 非平衡PN結的能帶圖 1 2 4 正向偏壓下非平衡少子的分佈 1 2 5 反向偏壓下非平衡少子的分佈 1 2 6 理想PN結的電流電壓關係 1 3 PN結交流特性 1 3 1 交流小信號下的PN結少子分佈 1 3 2 擴散電流 1 3 3 交流小信號導納 1 3 4 交流小信號等效電路 1 4 PN結的開關特性 1 4 1 PN結二極體的開關作用 1 4 2 導通過程 1 4 3 關斷過程 習題 第2章 雙極型晶體管 2 1 工作原理 2 1 1 晶體管的發明 2 1 2 基本結構 2 1 3 放大原理 2 1 4 共基極電流放大係數 2 1 5 共射極電流放大係數 2 2 直流特性 2 2 1 BJT中的少子分佈 2 2 2 理想晶體管的電流電壓方程 2 2 3 電流放大係數表達式 2 2 4 理想晶體管的輸入與輸出特性 2 3 BJT的非理想現象 2 3 1 發射結面積對γ的影響 2 3 2 基區寬度調製效應（Early效應） 2 3 3 發射結複合電流影響 2 3 4 大注入效應之一——Webster效應 2 3 5 大注入效應之二——Kirk效應 2 3 6 大注入效應之三——發射極電流集邊效應（基極電阻自偏壓效應） 2 3 7 實際晶體管的輸入與輸出特性 2 4 反向特性 2 4 1 晶體管的反向電流 2 4 2 晶體管反向擊穿電壓 2 4 3 晶體管穿通電壓 2 5 晶體管模型 2 6 頻率特性 2 6 1 晶體管的放大作用 2 6 2 低頻交流小信號等效電路 2 6 3 放大係數的頻率特性 2 6 4 高頻等效電路 2 6 5 漂移型晶體管 2 6 6 異質結雙極型晶體管 2 7 開關特性 2 7 1 晶體管的開關作用 2 7 2 電荷控制理論和晶體管開關時間 習題 第3章 場效應晶體管基礎 3 1 表面電場效應 3 1 1 表面電導 3 1 2 MOSFET發明簡史 3 2 工作原理 3 3 MOSFET的閾值電壓 3 3 1 閾值電壓的定義 3 3 2 影響閾值電壓的因素 3 4 MOSFET的直流特性 3 4 1 MOSFET非平衡時的能帶圖 3 4 2 IDS-VDS的關係 3 4 3 MOSFET的亞閾值特性 3 4 4 MOSFET的直流參數和低頻小信號參數 3 4 5 MOSFET的二級效應 3 4 6 擊穿特性 3 5 MOSFET的頻率特性 3 5 1 交流小信號等效電路 3 5 2 高頻特性 3 6 MOSFET的開關特性 3 6 1 電阻型負載MOS倒相器 3 6 2 增強型-增強型MOS倒相器 3 6 3 增強型-耗盡型MOS倒相器 3 6 4 互補型MOS倒相器 3 7 MOSFET的功率特性 習題 第4章 小尺寸MOSFET 4 1 小尺寸效應 4 1 1 MOSFET的短溝道效應 4 1 2 閾值電壓「滾降」 4 1 3 反常短溝道效應 4 1 4 窄溝道效應 4 1 5 漏感應勢壘降低 4 1 6 短溝道MOSFET的亞閾特性 4 1 7 熱載流子效應抑制——新型漏結構 4 2 小尺寸MOSFET的直流特性 4 2 1 載流子速度飽和效應 4 2 2 短溝道器件溝道中的電場 4 3 MOSFET的按比例微縮規律 4 3 1 按比例微縮規律概述 4 3 2 MOSFET的微縮規則 4 3 3 微縮的限制及對策 習題 附錄A EbersMoll方程模擬NPN BJT共射極輸出特性曲線的MATLAB程序樣例 附錄B 均勻基區NPN BJT交流小信號情況下的超相移因子 附錄C 集電結勢壘區輸運係數βd（ω）和集電結渡越時間τd的推導 附錄D 氧化物隔離雙極型晶體管典型工藝流程 附錄E 淺槽隔離平面CMOS晶體管典型工藝流程 附錄F 淺槽隔離立體FinFET典型工藝流程 附錄G MOSFET重要參數的業界測量方案 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
