脈衝功率器件及其應用 (第2版) 梁琳余嶽輝 9787111755050 【台灣高等教育出版社】

Name: 脈衝功率器件及其應用 (第2版) 梁琳 余嶽輝 9787111755050 【台灣高等教育出版社】
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書名：脈衝功率器件及其應用 (第2版)
ISBN：9787111755050
出版社：機械工業
著編譯者：梁琳余嶽輝
頁數：485
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1651843
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內容簡介

脈衝功率技術在軍事和工業的眾多領域都有著廣泛應用。脈衝功率開關是脈衝功率系統的核心器件之一，由於半導體器件具有體積小、壽命長、可靠性高等優點，脈衝功率開關出現了半導體化的趨勢。本書首先對脈衝功率開關的發展歷程進行了總體概述，然後分別論述了電流控制型器件（具體包括GTO晶閘管、GCT和IGCT、非對稱晶閘管）和電壓控制型器件（具體包括功率MOSFET、IGBT、SITH）的結構、工作原理、特性參數、封裝技術、可靠性及其在脈衝功率系統中的應用，特別討論了幾種新型專門用於脈衝功率領域的半導體開關（包括反向開關晶體管、半導體斷路開關、漂移階躍恢復二極體、光電導開關和快速離化晶體管）的機理模型和實際運用等問題，論述了部分新型碳化硅基器件，最後闡述了脈衝功率應用技術。本書可供電力電子技術、微電子技術以及脈衝功率技術等領域的研究牛和工程技術人員參考。

電力電子新技術系列圖書序言
第2版前言
第1版前言
第1章概論
1 1 脈衝功率技術的產生背景及應用
1 2 脈衝功率系統簡介
1 2 1 脈衝功率技術
1 2 2 脈衝功率系統的組成與分類
1 3 常用的傳統脈衝功率開關
1 3 1 觸發真空開關
1 3 2 偽火花開關
1 3 3 斷路開關
1 4 半導體器件在脈衝功率技術中的應用
參考文獻
第2章電流控制型脈衝功率器件
2 1 門極關斷(GTO)晶閘管
2 1 1 GTO的發展
2 1 2 GTO的結構
2 1 3 GTO的工作原理
2 1 4 GTO的特性優化
2 1 5 GTO的驅動電路和吸收電路
2 1 6 GTO的功耗
2 1 7 SiC GTO
2 1 7 1 浮空場環SiC GTO
2 1 7 2 多區域JTE終端SiC GTO
2 1 7 3 負斜角終端SiC GTO
2 1 7 4 電場阻斷緩衝層SiC GTO
2 1 7 5 採用MW-PCD法的對稱SiC GTO
2 1 7 6 SiC GTO的並聯運行
2 1 8 GTO的可靠性
2 1 8 1 單脈衝工況
2 1 8 2 重複頻率脈衝工況
2 1 8 3 寬脈衝工況
2 1 8 4 窄脈衝工況
2 2 門極換流晶閘管(GCT)和集成門極換流晶閘管(IGCT)
2 2 1 GCT的發展
2 2 2 GCT的結構和特點
2 2 3 IGCT的工作原理和開關波形
2 2 4 IGCT的驅動電路和開關特性
2 2 5 IGCT的特性改進
2 2 6 IGCT在直流斷路器中的應用
2 3 非對稱晶閘管
2 3 1 非對稱晶閘管概述
2 3 2 非對稱晶閘管的斷態電壓
2 3 3 非對稱晶閘管的最小長基區寬度WN(min)
2 4 脈衝晶閘管
2 5 激光晶閘管
2 6 碳化硅晶閘管
2 7 電流控制型器件在脈衝功率系統中的應用
參考文獻
第3章電壓控制型脈衝功率器件
3 1 功率場效應晶體管(Power MOSFET)
3 1 1 功率MOSFET的基本原理及分類
3 1 2 功率MOSFET的基本結構
3 1 3 功率MOSFET的特性和主要電學參數
3 1 4 新型結構的功率MOSFET——「超結」
3 1 5 功率MOSFET的柵極驅動
3 1 6 功率MOSFET在脈衝功率系統中的應用
3 1 6 1 功率MOSFET在高壓脈衝調製器中的應用
3 1 6 2 功率MOSFET在兆赫茲脈衝功率發生器中的應用
3 1 6 3 利用MOSFET的高電壓固態加法脈衝發生器的模擬幅度調製
3 1 6 4 為細菌轉化提供的基於MOSFET的脈衝電源
3 1 6 5 與脈衝變壓器串聯的由功率MOSFET轉換的20kV/500A/100ns脈衝發生器
3 1 6 6 基於MOSFET的簡單高電壓納秒級脈衝電路
3 1 7 功率MOSFET的封裝
第4章新型半導體脈衝功率器件
第5章脈衝功率應用技術

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