光刻膠材料評測技術-從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠 (精) 9787122438003 (日)關口淳
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物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202404*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：光刻膠材料評測技術-從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠 (精) ISBN：9787122438003 出版社：化學工業 著編譯者：(日)關口淳 頁數：254 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1651476 可大量預訂，請先連絡。 【台灣高等教育出版社簡體書】 光刻膠材料評測技術-從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠 (精) 787122438003 (日)關口淳 內容簡介 光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，在模擬半導體、發光二極體、微機電系統、太陽能光伏、微流道和生物晶元、光電子器件/光子器件中都有重要的應用。本書從光刻技術基礎知識出發，系統介紹了多種類型光刻膠應用工藝、評測技術。具體包括光刻膠塗布、曝光工藝、曝光后烘烤和顯影技術，以及g線和i線光刻膠、KrF和ArF光刻膠、ArF浸沒式光刻膠、EUV光刻膠等的特徵、應用工藝及評測技術，希望對國內的研究人員有很好的啟發和指導意義。作者簡介 關口淳，1983年畢業於芝浦工業大學工學部應用化學系。進入日本化學科技公司，在其分析研究所工作。1985年加入住友GCA公司。負責光刻膠塗覆和顯影裝置的工藝開發。此後，負責光刻膠顯影分析儀和光刻模擬軟體的開發。1993年，參与了LTJ公司的成立，任執行董事，負責光刻膠模擬軟體、顯影分析儀、虛擬光刻評估系統（VLES）、納米壓印評估設備等的開發。現任納米科學研究所所長。2000年在東京電機大學獲得博士學位（工學）。 2018-2020年 立命館大學綜合科學技術研究機構兼職教授 2020-現在 大阪公立大學大學院工學研究科兼職教授 應用物理學會、電子信息通信學會、電氣學會各員。 研究領域：光刻膠特性分析、光刻模擬、納米壓印技術目錄 第1章 光刻技術概述參考文獻 第2章 光刻膠的塗覆 2 1 光刻膠塗覆裝置 2 1 1 絲網印刷塗覆法 2 1 2 旋塗法 2 1 3 滾塗法 2 1 4 膜壓法 2 1 5 浸塗法 2 1 6 噴塗法 2 2 旋塗工藝 2 2 1 旋塗工藝流程 2 2 2 旋塗工藝影響因素 2 3 HMDS處理 2 3 1 HMDS處理原理 2 3 2 HMDS處理效果 2 4 預烘烤 2 5 膜厚評測 2 5 1 用高低差測量膜厚（數微米∼500μm） 2 5 2 光譜反射儀測量膜厚（50nm∼300μm） 2 5 3 橢圓偏光計（橢偏計）測量膜厚（1nm∼2μm） 參考文獻 第3章 曝光技術 3 1 曝光設備概述 3 1 1 接觸式對準曝光 3 1 2 近距離對準曝光 3 1 3 鏡面投影曝光 3 1 4 縮小的投影曝光系統—步進曝光機 3 2 曝光原理 3 2 1 近距離曝光的光學原理 3 2 2 步進曝光機的光學原理 3 2 3 獲得高解析度的方法 3 3 光刻膠的感光原理和ABC參數 參考文獻 第4章 曝光后烘烤（PEB）和顯影技術 4 1 曝光后烘烤概述 4 2 PEB中感光劑的熱分解 4 3 PEB法測定感光劑擴散長度 4 3 1 通過測量顯影速度計算感光劑的擴散長度 4 3 2 結果及分析 4 3 3 小結 4 4 表面難溶性參數的計算及評測 4 4 1 引言 4 4 2 顯影速度測量裝置的高精度化 4 4 3 表面難溶性參數的計算 4 4 4 表面難溶性參數的測量 4 4 5 小結 4 5 顯影技術 4 5 1 浸漬顯影 4 5 2 噴霧顯影 4 5 3 旋覆浸潤顯影 4 5 4 緩供液旋覆浸潤顯影 參考文獻 第5章 g線和i線光刻膠（酚醛樹脂光刻膠）評測技術 5 1 酚醛樹脂光刻膠概述 5 1 1 簡介 5 1 2 高解析度要求 5 2 利用光刻模擬對酚醛樹脂光刻膠進行評測 5 2 1 簡介 5 2 2 光刻模擬技術 5 2 3 參數的實測和模擬 5 2 4 小結 5 3 利用模擬進行工藝優化 5 3 1 簡介 5 3 2 實驗與結果 5 3 3 模擬研究 5 3 4 分析與討論 5 3 5 小結 參考文獻 第6章 KrF和ArF光刻膠評測技術 6 1 KrF光刻膠 6 2 化學增幅型光刻膠的脫保護反應 6 2 1 實驗裝置 6 2 2 傳統模型的問題以及對Spence模型的探討 6 2 3 實驗與結果 6 2 4 新脫保護反應模型的提出和對脫保護反應的分析 6 2 5 小結 6 3 曝光過程光刻膠的脫氣 6 3 1 利用QCM觀察曝光過程光刻膠質量變化 6 3 2 利用GC-MS分析曝光過程光刻膠的脫氣 6 3 3 利用FT-IR觀察曝光過程的脫保護反應 6 3 4 實驗與結果 6 3 5 小結 6 4 ArF光刻膠 6 5 PAG的產酸反應 6 5 1 實驗裝置 6 5 2 實驗與結果 6 5 3 分析與討論 6 5 4 小結 6 6 ArF光刻膠曝光過程的脫氣 6 6 1 脫氣收集設備和方法 6 6 2 實驗與結果 6 6 3 分析與討論 6 6 4 小結 6 7 光刻膠在顯影過程中的溶脹 6 7 1 實驗儀器 6 7 2 減少熱衝擊 6 7 3 實驗與結果 6 7 4 可重複性 6 7 5 TBAH顯影劑的溶脹行為 6 7 6 小結 6 8 通過香豆素添加法分析PAG的產酸反應 6 8 1 實驗過程 6 8 2 結果和討論 6 8 3 小結 參考文獻 第7章 ArF浸沒式光刻膠和雙重圖形化（DP）工藝評測技術 7 1 ArF浸沒式曝光技術 7 2 浸沒式曝光過程的評測—水滲入光刻膠膜與感光度變化 7 2 1 浸沒式曝光反應分析設備 7 2 2 浸沒式曝光的光刻膠材料評測 7 2 3 實驗與結果 7 2 4 小結 7 3 浸沒式曝光過程的評價—對溶出的評測 7 3 1 WEXA-2系統和採樣方法 7 3 2 分析方法 7 3 3 分析系統可靠性驗證 7 3 4 實驗與結果 7 3 5 小結 7 4 浸沒式DP曝光技術 7 4 1 LLE方法 7 4 2 雙重圖形工藝的評測 7 4 3 小結 參考文獻 第8章 EUV光刻膠評測技術 8 1 EUV曝光技術 8 2 利用光刻模擬軟體評估EUV光刻膠 8 2 1 系統配置 8 2 2 實驗與結果 8 2 3 模擬分析 8 2 4 小結 8 3 EUV光刻膠的脫保護反應 8 3 1 傳統方法的問題 8 3 2 與EUVL對應的新型脫保護反應分析裝置 8 3 3 實驗與結果 8 3 4 小結 8 4 EUV光刻膠脫氣評測 8 4 1 脫氣評估裝置概述 8 4 2 脫氣評估裝置EUVOM-9000 8 4 3 小結 參考文獻 第9章 納米壓印工藝的優化及評測技術 9 1 使用光固化樹脂進行納米壓印的工藝優化和評測 9 1 1 簡介 9 1 2 實驗設備 9 1 3 預曝光工藝（PEP） 9 1 4 實驗與結果 9 1 5 預曝光方法的影響 9 1 6 分析與討論 9 1 7 小結 9 2 使用光和熱固化樹脂進行納米壓印的工藝優化和評測 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
