集成電路與等離子體裝備 趙晉榮 9787030775467 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：科學
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202404*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：集成電路與等離子體裝備 ISBN：9787030775467 出版社：科學 著編譯者：趙晉榮 頁數：282 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1647505 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 全書主要介紹了集成電路中與等離子體設備相關的內容，具體包括集成電路簡史、分類和發展方向以及面臨的挑戰，氣體放電的基本原理和典型應用、等離子體刻蝕工藝與設備、等離子體表面處理技術與設備、物理氣相沉積設備與工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝與設備、高密度等離子體化學氣相沉積工藝與設備、爐管設備與工藝等。 本書適合集成電路專業高年級本科生、研究生閱讀參考，也可作為集成電路相關領域的科研人員和工程技術人員的參考用書。目錄 第1章 集成電路簡介1 1 集成電路的誕生簡史 1 1 1 電子計算機 1 1 2 晶體管 1 1 3 集成電路 1 2 集成電路的發展與挑戰 1 2 1 集成電路製造中的尺寸概念 1 2 2 平面工藝 1 2 3 摩爾定律 1 2 4 摩爾定律的延續 1 2 5 超越摩爾定律 1 3 集成電路分類 1 3 1 邏輯處理器 1 3 2 存儲器 1 3 3 微元件集成電路 1 3 4 模擬集成電路 1 4 集成電路的產業化 1 4 1 集成電路的產業化分工 1 4 2 集成電路產業化要求 1 4 3 集成電路產業化趨勢 1 5 集成電路領域中的等離子體設備簡介 1 5 1 集成電路製造中的等離子體設備簡介 1 5 2 集成電路封裝中的等離子體設備簡介 參考文獻 第2章 等離子體基礎 2 1 氣體放電的概念和基本過程 2 1 1 氣體放電的基本概念 2 1 2 氣體放電基本過程 2 2 等離子體放電的基本性質 2 2 1 等離子體的基本概念 2 2 2 等離子體的基本特徵 2 2 3 等離子體鞘層 2 2 4 等離子體振蕩 2 3 典型的氣體放電 2 3 1 輝光放電 2 3 2 容性放電 2 3 3 感性放電 2 3 4 電子迴旋共振等離子體放電 參考文獻 第3章 集成電路中的等離子體刻蝕工藝與裝備 3 1 刻蝕技術的起源和歷史 3 2 等離子體刻蝕裝備的分類 3 2 1 容性耦合等離子體源 3 2 2 電感應耦合等離子體源 3 2 3 電子迴旋共振等離子體源 3 3 等離子體刻蝕工藝過程 3 4 等離子體刻蝕工藝評價指標 3 4 1 刻蝕速率 3 4 2 刻蝕速率均勻性 3 4 3 刻蝕選擇比 3 4 4 刻蝕形貌 3 4 5 刻蝕線寬偏差 3 4 6 負載效應 3 4 7 刻蝕線邊緣和線寬粗糙度 3 4 8 終點檢測 3 5 等離子體刻蝕技術在集成電路製造中的應用 3 5 1 硅刻蝕 3 5 2 多晶硅刻蝕 3 5 3 介質刻蝕 3 5 4 金屬鋁刻蝕 3 6 等離子體刻蝕工藝在集成電路封裝中的應用 3 6 1 硅整面減薄工藝 3 6 2 深硅刻蝕工藝 3 6 3 等離子體切割工藝 3 6 4 硅微腔刻蝕工藝 3 7 等離子體刻蝕技術的挑戰 3 7 1 雙重成像曝光技術 3 7 2 鰭式場效應晶體管刻蝕技術 3 7 3 高深寬比刻蝕技術 參考文獻 第4章 集成電路中的等離子體表面處理工藝與裝備 4 1 集成電路中的等離子體表面處理工藝 4 1 1 等離子體去膠工藝 4 1 2 刻蝕后等離子體表面處理工藝 4 1 3 等離子體表面清潔工藝 4 1 4 等離子體表面改性工藝 4 1 5 翹曲片等離子體表面處理工藝 4 1 6 晶圓邊緣等離子體表面處理工藝 4 2 集成電路中的等離子體表面處理設備 4 2 1 遠程等離子體源 4 2 2 晶圓邊緣表面處理設備 4 3 等離子體表面處理技術的挑戰 4 3 1 等離子體表面處理的損傷問題 4 3 2 等離子體表面處理的顆粒問題 4 3 3 等離子體表面處理材料種類多樣化 4 3 4 晶圓邊緣等離子體表面處理設備均勻性 參考文獻 第5章 集成電路中的物理氣相沉積工藝與裝備 5 1 物理氣相沉積設備概述 5 1 1 蒸鍍設備 5 1 2 直流磁控濺射設備 5 1 3 射頻磁控濺射設備 5 1 4 磁控濺射和磁控管設計 5 2 磁控濺射真空系統及相關設備 5 2 1 靶材 5 2 2 真空系統 5 2 3 預加熱系統和去氣腔室 5 2 4 平台系統 5 3 磁控濺射沉積設備腔室結構 5 3 1 預清洗腔室 5 3 2 標準PVD腔室 5 3 3 長距PVD腔室 5 3 4 金屬離子化PVD腔室 5 3 5 DC/RFPVD腔室 5 3 6 MCVD/ALD腔室的集合 5 4 金屬薄膜沉積工藝評價指標 5 4 1 薄膜厚度和電阻 5 4 2 薄膜應力 5 4 3 薄膜反射率 5 4 4 顆粒和缺陷控制 5 4 5 薄膜組織結構 參考文獻 第6章 等離子體增強化學氣相沉積工藝與裝備 6 1 化學氣相沉積和等離子體增強化學氣相沉積 6 1 1 化學氣相沉積簡介 6 1 2 等離子體增強化學氣相沉積簡介 6 2 PECVD工藝原理 6 2 1 PECVD冷等離子體特點和電子能量分佈函數 6 2 2 PECVD等離子體α-mode和γ-mode 6 3 PECVD設備 6 4 PECVD設備在集成電路製造中的應用 6 4 1 刻蝕硬掩膜 6 4 2 光刻抗反射膜 6 4 3 關鍵尺寸空隙填充 6 4 43 DNAND柵極堆疊 6 4 5 應力工程和結構應用 6 4 6 電介質膜 6 4 7 低介電和擴散阻擋 6 5 PECVD工藝性能評價 6 5 1 變角度光學橢圓偏振儀 6 5 2 光譜反射計和稜鏡耦合器 6 5 3 傅里葉紅外光譜儀 6 5 4 C-V和I-V電學性質測量 參考文獻 第7章 高密度等離子體化學氣相沉積工藝與裝備 7 1 高密度等離子體化學氣相沉積工藝 7 1 1 淺溝槽 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
