微加工技術工藝原理與實驗 陳軍 9787302661214 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：清華大學
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202406*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：微加工技術工藝原理與實驗 ISBN：9787302661214 出版社：清華大學 著編譯者：陳軍 頁數：247 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1642368 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書系統介紹了微加工技術工藝原理和實驗教程。本書內容理論和實驗相結合，涵蓋了微加工技術工藝中的光刻、刻蝕、薄膜沉積、氧化和摻雜等工藝。理論部分著重對各種工藝技術的原理進行闡述。實驗部分列舉了光刻、刻蝕、薄膜製備和摻雜四大類工藝的單項實驗，器件製造工藝實驗和器件特性測量實驗。 本書對初步涉足這一領域的高等院校本科生、研究生以及相關科研人員、工程技術人員具有很好的參考價值，可作為高等院校微電子科學與技術、光電信息科學與工程、電子科學與技術、電子信息工程等專業本科生或研究生的相關課程教材。目錄 第一篇 導論第1章 集成電路與微納加工技術 1 1 引言 1 2 集成電路產業發展簡史 1 3 集成電路製造的發展路線 1 4 集成電路製造的基本流程 第2章 微加工工藝環境介紹 2 1 微加工工藝環境的建設 2 1 1 潔凈室簡介 2 1 2 微電子工藝潔凈實驗室建設 2 2 實驗室安全與注意事項 擴展閱讀：《潔凈室消防安全工作管理條例》 第二篇 單項工藝1：光刻 第3章 光刻技術 3 1 光刻技術介紹 3 2 光學光刻技術 3 2 1 光學曝光原理與方式 3 2 2 光刻的關鍵指標 3 2 3 解析度增強技術 3 2 4 光刻膠的類型和特性 3 3 其他的光學曝光技術 3 3 1 極紫外曝光 3 3 2 X射線曝光 3 3 3 激光掃描無掩模曝光 3 3 4 反射鏡陣列無掩模曝光 3 3 5 LIGA技術 3 4 非光學光刻技術 第4章 光刻工藝實驗 4 1 工藝原理 4 2 光刻工藝 4 3 光刻實例 4 4 光刻圖形的檢查和表徵 4 5 實驗報告與數據分析 4 6 思考題 擴展閱讀：儀器操作與說明 第三篇 單項工藝2：刻蝕 第5章 等離子體與刻蝕技術 5 1 刻蝕工藝介紹 5 2 刻蝕工藝基礎 5 3 濕法刻蝕工藝 5 3 1 介紹 5 3 2 氧化物的濕法刻蝕 5 3 3 硅的濕法刻蝕 5 3 4 氮化物的濕法刻蝕 5 3 5 金屬的濕法刻蝕 5 4 等離子體(干法)刻蝕 5 4 1 介紹 5 4 2 等離子體 5 4 3 刻蝕工藝的分類：化學、物理和反應離子刻蝕 5 4 4 等離子體刻蝕機理 5 4 5 等離子體刻蝕的腔室 5 4 6 刻蝕終止點 5 5 等離子體刻蝕工藝 5 5 1 介質的等離子體刻蝕 5 5 2 單晶硅刻蝕 5 5 3 多晶硅刻蝕 5 5 4 金屬刻蝕 5 5 5 光刻膠的去除 5 5 6 無圖案干法刻蝕工藝 5 5 7 等離子體刻蝕的安全性 5 6 化學機械拋光 5 7 刻蝕工藝受參數影響的變化趨勢 5 8 等離子體刻蝕技術的發展 第6章 刻蝕工藝實驗 6 1 工藝原理 6 1 1 濕法刻蝕工藝原理 6 1 2 干法刻蝕工藝原理 6 2 濕法刻蝕工藝實驗 6 2 1 實驗準備 6 2 2 濕法刻蝕工藝流程 6 2 3 實驗記錄 6 2 4 注意事項 6 3 干法刻蝕工藝實驗 6 3 1 實驗準備 6 3 2 干法刻蝕工藝流程 6 3 3 實驗記錄 6 3 4 注意事項 6 4 實驗報告與數據分析 6 5 思考題 擴展閱讀：儀器操作與說明 第四篇 單項工藝3：薄膜製備 第7章 薄膜製備技術 7 1 薄膜基礎知識 7 1 1 微納電子器件對薄膜的要求 7 1 2 薄膜生長的基礎知識 7 1 3 薄膜製備的特性指標 7 2 薄膜沉積技術簡介 7 3 物理氣相沉積技術 7 3 1 蒸發法 7 3 2 濺射法 7 3 3 蒸發和濺射的鍍膜質量和改善方法 7 4 化學氣相沉積技術 7 4 1 化學氣相沉積的基本知識 7 4 2 化學氣相沉積工藝與設備 7 4 3 典型材料的CVD工藝 7 4 4 採用CVD技術製備一維/二維納米材料 7 4 5 原子層沉積技術 第8章 薄膜製備工藝實驗 8 1 工藝原理 8 1 1 磁控濺射工藝原理 8 1 2 等離子增強化學氣相沉積工藝原理 8 1 3 原子層沉積工藝原理 8 2 磁控濺射工藝 8 2 1 實驗準備 8 2 2 磁控濺射工藝流程 8 2 3 實驗記錄 8 2 4 注意事項 8 3 化學氣相沉積工藝 8 3 1 實驗準備 8 3 2 化學氣相沉積工藝流程 8 3 3 實驗記錄 8 3 4 注意事項 8 4 原子層沉積工藝 8 4 1 實驗準備 8 4 2 原子層沉積工藝流程 8 4 3 實驗記錄 8 4 4 注意事項 8 5 實驗報告與數據分析 8 6 思考題 擴展閱讀：儀器操作與說明 第五篇 單項工藝4：摻雜 第9章 熱處理和離子注入 9 1 熱處理工藝 9 1 1 介紹 9 1 2 熱處理系統 9 2 氧化工藝 9 2 1 介紹 9 2 2 氧化工藝的應用 9 2 3 氧化前清洗 9 2 4 熱氧化的速率 9 2 5 干法氧化 9 2 6 濕法氧化 9 2 7 高壓氧化 9 2 8 氧化層的測量 9 2 9 氧化工藝的發展 9 3 擴散摻雜工藝 9 3 1 介紹 9 3 2 擴散工藝步驟 9 3 3 摻雜的測量 9 4 離子注入摻雜工藝 9 4 1 介紹 9 4 2 離子注入的優點 9 4 3 離子注入基礎 9 4 4 離子注入系統 9 4 5 離子注入的安全問題 9 5 熱退火工藝 9 5 1 離子注入后的熱退火 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
