半導體材料 楊德仁 朱笑東 9787121479731 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：電子工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202405*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體材料 ISBN：9787121479731 出版社：電子工業 著編譯者：楊德仁 朱笑東 頁數：336 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1642271 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書詳細介紹了半導體材料的基本概念、基本物理原理、製備原理和製備技術，重點介紹了半導體硅材料（包括高純多晶硅、區熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導體材料）的製備、結構和性質，闡述了化合物半導體（包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料和氧化物半導體材料）的製備技術和基本性質，還闡述了有機半導體材料、半導體量子點（量子阱）等新型半導體材料的製備和性質。目錄 第1章 半導體材料概論1 1 半導體材料的研究和發展歷史 1 2 半導體材料的基本性質 1 2 1 半導體材料的分類 1 2 2 半導體材料的基本電學特性 1 2 3 半導體材料的材料結構特性 1 3 半導體材料的應用和產業 1 3 1 半導體材料在微電子產業的應用 1 3 2 半導體材料在光電子產業的應用 1 3 3 半導體材料在太陽能光伏產業的應用 1 4 半導體材料的展望 習題1 第2章 半導體材料物理基礎 2 1 載流子和能帶 2 1 1 載流子和電導率 2 1 2 能帶結構 2 1 3 電子和空穴 2 2 雜質和缺陷能級 2 2 1 摻雜半導體材料 2 2 2 雜質能級 2 2 3 深能級 2 2 4 缺陷能級 2 3 熱平衡狀態下的載流子 2 3 1 載流子的狀態密度和統計分佈 2 3 2 本徵半導體的載流子濃度 2 3 3 摻雜半導體的載流子濃度和補償 2 4 非平衡少數載流子 2 4 1 非平衡載流子的產生、複合和壽命 2 4 2 非平衡載流子的擴散 2 4 3 非平衡載流子在電場下的漂移和擴散 2 5 PN結 2 5 1 PN結的製備 2 5 2 PN結的能帶結構 2 5 3 PN結的電流-電壓特性 2 6 金屬-半導體接觸和MIS結構 2 6 1 金屬-半導體接觸 2 6 2 歐姆接觸 2 6 3 MIS結構 習題2 參考文獻 第3章 半導體材料晶體生長原理 3 1 半導體晶體材料的生長方式 3 2 晶體生長的熱力學理論 3 2 1 晶體生長的自由能和驅動力 3 2 2 晶體生長的均勻成核 3 2 3 晶體生長的非均勻成核 3 3 晶體生長的動力學理論 3 3 1 晶體生長單原子層界面模型 3 3 2 晶體生長機制 3 4 晶體的外形控制 3 4 1 晶體外形和界面自由能的關係 3 4 2 晶體外形和晶體生長界面的關係 3 4 3 晶體外形和晶體生長方向的關係 習題3 參考文獻 第4章 半導體材料晶體生長技術 4 1 熔體生長技術 4 1 1 直拉晶體生長技術 4 1 2 布里奇曼晶體生長技術 4 1 3 區熔晶體生長技術 4 2 溶液生長技術 4 2 1 溶液降溫生長晶體技術 4 2 2 溶液恆溫蒸發生長晶體技術 4 2 3 溶液溫差水熱生長晶體技術 4 2 4 溶劑分凝（助溶劑法）生長晶體技術 4 2 5 溶液液相外延生長晶體技術 4 3 氣相生長技術 4 3 1 真空蒸發法 4 3 2 升華法 4 3 3 化學氣相沉積法 4 3 4 低維半導體材料的生長和製備 習題4 參考文獻 第5章 元素半導體材料的基本性質 5 1 硅材料 5 1 1 硅的基本性質和應用 5 1 2 硅的晶體結構 5 1 3 硅的能帶結構 5 1 4 硅的電學性質 5 1 5 硅的化學性質 5 1 6 硅的光學性質 5 1 7 硅的力學性質 5 1 8 硅的熱學性質 5 2 鍺材料的基本性質 5 3 碳材料的基本性質 習題5 參考文獻 第6章 元素半導體材料的提純和製備 6 1 金屬硅的製備 6 2 高純多晶硅的提純和製備 6 2 1 三氯氫硅工藝製備高純多晶硅 6 2 2 硅烷熱分解工藝製備高純多晶硅 6 2 3 流化床工藝製備高純多晶硅 6 2 4 其他化學提純工藝製備高純多晶硅 6 2 5 物理冶金工藝製備太陽能級多晶硅 6 3 高純鍺半導體材料的提純和製備 6 3 1 鍺半導體材料的應用 6 3 2 金屬鍺的製備 6 3 3 高純鍺的製備 6 3 4 單晶鍺的製備 習題6 參考文獻 第7章 區熔單晶硅的生長和製備 7 1 分凝現象和分凝係數 7 1 1 分凝現象和平衡分凝係數 7 1 2 有效分凝係數 7 1 3 正常凝固和雜質分佈 7 2 區熔晶體生長理論 7 3 區熔單晶硅生長 習題7 參考文獻 第8章 直拉單晶硅的生長和製備 8 1 直拉單晶硅的生長工藝 8 1 1 直拉單晶硅生長的基本工藝 8 1 2 直拉單晶硅生長的主要控制因素 8 2 直拉單晶硅的新型生長工藝 8 2 1 磁控直拉單晶硅生長工藝 8 2 2 重複裝料直拉單晶硅生長工藝 8 2 3 連續加料直拉單晶硅生長工藝 8 3 硅片加工工藝 8 3 1 晶錠切斷 8 3 2 晶錠滾圓和切方 8 3 3 晶錠切片 8 3 4 硅片化學腐蝕 8 3 5 硅片倒角 8 3 6 硅片研磨 8 3 7 硅片拋光 習題8 參考文獻 第9章 直拉單晶硅的雜質和缺陷 9 1 直拉單晶硅的摻雜 9 1 1 直拉單晶硅的摻雜劑 9 1 2 直拉單晶硅的摻雜技術 9 1 3 直拉單晶硅的摻雜量 9 2 直拉單晶硅的雜質 9 2 1 氧雜質 9 2 2 碳雜質 9 2 3 氮雜質 9 2 4 鍺雜質 9 2 5 氫雜質 9 2 6 金屬雜質 9 3 直拉單晶硅的缺陷 9 3 1 單晶硅原生缺陷 9 3 2 硅片加工誘生缺陷 9 3 3 器件工藝誘生缺陷 習題9 參考文獻 第10章 硅薄膜半導體材料 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
