微電子器件基礎 王穎 9787121477393 【台灣高等教育出版社】

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物品所在地:中國大陸
原出版社:電子工業
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書名:微電子器件基礎
ISBN:9787121477393
出版社:電子工業
著編譯者:王穎
頁數:304
所在地:中國大陸 *此為代購商品
書號:1639348
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內容簡介

本書較全面地介紹常見微電子器件的基本結構、特性、原理、進展和測量方法。為了便於讀者自學和參考,首先介紹微電子器件涉及的半導體晶體結構、電子狀態、載流子統計分佈和運動等基礎知識;然後,重點闡述半導體器件中的結與電容等核心單元的特性和機理;之後,詳細介紹雙極型晶體管、MOS場效應晶體管的基本工作原理、特性和電學參數;在對經典半導體器件基礎結構、工作機理和電學特性進行詳細闡述后,綜述近年來基於硅和新材料的代表性器件;最後,概述半導體器件的表徵與測量方法。本書提供配套的電子課件PPT、習題參考答案等。 本書可作為電子信息類專業本科生、研究生相關課程的教材,也可供相關行業的工程技術人員學習和參考。

目錄

第1章 半導體物理基礎
1 1 半導體晶格
1 1 1 半導體材料
1 1 2 晶體的晶向與晶面
1 1 3 典型半導體的晶體結構
1 2 半導體電子模型
1 2 1 價鍵模型
1 2 2 能帶模型
1 2 3 本徵半導體的分佈函數
1 2 4 半導體中的E-k關係和有效質量
1 3 載流子的運動與控制
1 3 1 半導體的摻雜
1 3 2 摻雜半導體的載流子分佈
1 3 3 摻雜半導體的載流子運動方程
1 3 4 載流子的複合理論
1 4 思考題和習題1
第2章 半導體器件中的結與電容
2 1 pn結
2 1 1 結構與組成
2 1 2 靜電特性
2 1 3 穩態響應
2 1 4 瞬態響應
2 2 異質結
2 2 1 形成異質結的材料
2 2 2 能帶圖
2 2 3 二維電子氣
2 2 4 靜電平衡態
2 2 5 電流-電壓特性
2 3 金屬-半導體結
2 3 1 肖特基接觸
2 3 2 歐姆接觸
2 4 pn結電容
2 4 1 pn結電容的來源
2 4 2 勢壘電容
2 4 3 擴散電容
2 4 4 pn結電導
2 5 MOS電容
2 6 思考題和習題2
第3章 雙極型晶體管
3 1 結構與工作原理
3 1 1 基本概念
3 1 2 靜電特性
3 1 3 特性參數
3 1 4 少子濃度分佈與能帶圖
3 2 穩態響應
3 2 1 電流響應
3 2 2 擊穿特性
3 3 頻率響應
3 3 1 基區輸運係數與頻率的關係
3 3 2 高頻小信號電流放大係數
3 4 開關特性
3 4 1 晶體管開關等效電路和工作區域
3 4 2 晶體管的開關過程
3 5 思考題和習題3
第4章 MOS場效應晶體管
4 1 結構與工作原理
4 1 1 MOSFET的類型
4 1 2 MOSFET的輸出特性
4 2 閾值電壓
4 2 1 MOS結構閾值電壓
4 2 2 MOS結構閾值電壓VT的影響因素
4 3 穩態響應
4 3 1 電流-電壓關係的概念
4 3 2 非飽和區電流響應
4 3 3 飽和區電流響應
4 3 4 關鍵參數的熱敏響應
4 3 5 MOSFET的擊穿電壓
4 3 6 MOSFET的亞閾區導電
4 4 頻率響應
4 4 1 MOSFET的小信號交流參數
4 4 2 MOSFET的小信號高頻等效電路
4 4 3 最高工作頻率和最高振蕩頻率
4 5 思考題和習題4
第5章 現代半導體器件
5 1 Si基場效應晶體管
5 1 1 高K柵MOSFET
5 1 2 SOI MOSFET
5 1 3 FinFET
5 1 4 U-MOSFET
5 1 5 超結MOSFET
5 2 非Si基場效應晶體管
5 2 1 SiC MOSFET
5 2 2 GaN HEMT
5 2 3 Ga2O3器件
5 2 4 碳基納米管器件
5 3 思考題和習題5
第6章 表徵與測量
6 1 來料檢查
6 1 1 表面缺陷檢測
6 1 2 電阻率
6 1 3 幾何尺寸
6 1 4 其他測試
6 2 工藝監控
6 2 1 工藝監控基礎
6 2 2 量測
6 2 3 檢測
6 2 4 複檢
6 3 晶圓可接受測試
6 3 1 可接受測試基礎
6 3 2 測試參數及方法
6 3 3 探針測試
6 4 測試
6 4 1 測試基礎
6 4 2 封裝工藝的測試
6 4 3 測試方法
6 4 4 測試參數
6 5 可靠性
6 5 1 可靠性測試
6 5 2 壽命試驗
6 5 3 環境試驗
6 5 4 電應力類試驗
6 6 失效分析
6 6 1 失效分析基礎
6 6 2 非破壞性分析
6 6 3 破壞性分析
6 7 思考題和習題6
參考文獻

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