功率半導體器件-封裝.測試和可靠性 鄧二平 黃永章 9787122449344 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：化學工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202405*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：功率半導體器件-封裝.測試和可靠性 ISBN：9787122449344 出版社：化學工業 著編譯者：鄧二平 黃永章 頁數：398 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1638048 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書講述了功率半導體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數、器件特性和技術難點等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應力可靠性測試和壽命測試等，並詳細介紹了測試標準、方法和原理，同步分析了測試設備和數據等；重點從測試標準、方法、理論和實際應用各方面，詳細介紹了高溫可靠性測試和封裝可靠性測試及其難點。本書結合企業實際需求，貼近工業實踐，知識內容新穎，可為工業界以及高校提供前沿數據，為高校培養專業人才奠定基礎。 本書可作為功率半導體領域研究人員、企業技術人員的參考書，也可作為電力電子、微電子等相關專業高年級本科生和研究生教材。作者簡介 鄧二平，工學博士，合肥工業大學教授，安徽省海外高層次人才，中國能源學會專家委員。主要研究方向為功率器件的封裝、熱設計管理、可靠性評估技術、失效機理、在線狀態監測和壽命評估等。 長期從事功率半導體器件的封裝及可靠性研究，包括壓接型IGBT器件的封裝設計、可靠性測試方法、測試技術和測試設備的開發等。近5年以第一或通訊作者累計發表高水平論文100餘篇，其中SCI/EI檢索論文70餘篇；承擔各類企業合作項目20餘項，國家級項目3項，等等。目錄 第1章 功率半導體器件1 1 器件的應用和發展 1 2 材料特性分析 1 2 1 硅材料 1 2 2 碳化硅材料 1 2 3 氮化鎵材料 1 2 4 砷化鎵材料 1 2 5 其他半導體材料 1 3 功率半導體器件分類 1 4 器件工作原理 1 4 1 PiN二極體 1 4 2 MOS器件 1 4 3 IGBT器件 1 4 4 GaN器件 1 4 5 GaAs二極體 1 5 半導體模擬分析 1 5 1 TCAD模擬概述 1 5 2 模擬結構 1 5 3 物理模型 1 5 4 准靜態掃描 1 5 5 瞬態掃描 1 6 晶圓級測試 1 7 小結 參考文獻 第2章 功率器件的封裝 2 1 封裝的目的和意義 2 2 分立式封裝 2 2 1 分立式封裝的特點 2 2 2 分立式封裝的材料 2 2 3 分立式封裝的工藝 2 2 4 分立式封裝的設備 2 3 模塊式封裝 2 3 1 模塊式封裝的特點 2 3 2 模塊式封裝的材料 2 3 3 模塊式封裝的工藝 2 3 4 模塊式封裝的設備 2 4 壓接型封裝 2 4 1 壓接型封裝的特點 2 4 2 壓接型封裝的材料 2 4 3 壓接型封裝的工藝 2 4 4 壓接型封裝的設備 2 5 器件數據表的解讀 2 5 1 穩態額定值 2 5 2 靜態參數 2 5 3 動態參數 2 5 4 熱學參數解讀 2 5 5 極限能力參數解讀 2 6 柵極驅動技術 2 6 1 柵極驅動的必要性及難點 2 6 2 柵極驅動的保護功能 2 7 器件封裝的模擬分析 2 7 1 電流均衡模擬技術 2 7 2 結溫及分佈模擬技術 2 7 3 熱應力模擬技術 2 8 小結 參考文獻 第3章 器件特性測試 3 1 器件靜態參數測試 3 1 1 測試標準分析 3 1 2 測試技術和設備 3 1 3 正向壓降測試 3 1 4 柵極漏電流測試 3 1 5 集射極阻斷特性測試 3 1 6 閾值電壓測試 3 2 器件動態參數測試 3 2 1 測試標準分析 3 2 2 測試技術和設備 3 2 3 測試參數分析 3 2 4 測試難點分析 3 3 器件熱學參數測試 3 3 1 熱阻的定義 3 3 2 熱阻測試標準和方法 3 3 3 熱電偶法 3 3 4 瞬態雙界面法 3 3 5 結構函數法 3 4 小結 參考文獻 第4章 器件結溫測量 4 1 結溫的定義 4 2 結溫測量方法 4 2 1 物理接觸法 4 2 2 光學測量法 4 2 3 溫敏電參數法 4 2 4 其他方法 4 3 基於通態特性的測試方法 4 3 1 大電流飽和壓降法 4 3 2 小電流飽和壓降法 4 3 3 閾值電壓法 4 4 基於動態特性的測試方法 4 4 1 時間測量 4 4 2 斜率測量 4 5 基於封裝特性的測試方法 4 5 1 寄生電感 4 5 2 柵極內部電阻 4 6 結溫分佈測量 4 6 1 多晶元並聯結溫分佈 4 6 2 單晶元溫度分佈 4 7 小結 參考文獻 第5章 器件極限能力測試 5 1 極限能力的定義 5 1 1 反偏安全工作區（RBSOA） 5 1 2 短路安全工作區（SCSOA） 5 1 3 正偏安全工作區（FBSOA） 5 2 短路能力測試 5 2 1 短路測試標準 5 2 2 短路特性介紹 5 2 3 短路測試原理 5 2 4 短路測試設備 5 2 5 短路保護技術 5 2 6 短路對封裝的影響 5 2 7 短路能力提升技術 5 3 極限關斷能力測試 5 3 1 極限關斷能力的定義 5 3 2 極限關斷能力表徵 5 3 3 IGBT極限關斷能力提升 5 4 浪涌能力測試 5 4 1 浪涌能力測試標準 5 4 2 浪涌能力測試技術和設備 5 4 3 外置反並聯二極體浪涌能力 5 4 4 SiC MOSFET體二極體浪涌能力 5 4 5 浪涌能力提升技術 5 5 小結 參考文獻 第6章 環境可靠性測試 6 1 可靠性測試理論 6 2 環境可靠性測試分類 6 3 機械振動 6 3 1 測試技術 6 3 2 測試設備 6 3 3 失效機理 6 4 機械衝擊 6 4 1 測試技術 6 4 2 測試設備 6 4 3 失效機理 6 5 溫度衝擊 6 5 1 測試技術 6 5 2 測試設備 6 5 3 失效機理 6 6 高低溫存儲 6 6 1 測試技術 6 6 2 測試設備 6 6 3 失效機理 6 7 小結 參考文獻 第7章 電應力可靠性測試 7 1 壽命可靠性測試分類 7 2 測試技術和設備 7 3 高溫柵偏測試 7 3 1 測試原理和方法 7 3 2 失效機理和判定 7 3 3 可靠性提升技術 7 4 高溫反偏測試 7 4 1 測試原理和方法 7 4 2 失效機理和判定 7 4 3 可靠性提升技術 7 5 高溫高濕反偏測試 7 5 1 測試原理和方法 7 5 2 失效機理和判定 7 5 3 可靠性提升技術 7 6 模擬分析技術 7 6 1 環境溫度的模擬 7 6 2 偏置電壓的模擬 7 6 3 環境濕度的模擬 7 7 未來發展方向 參考文獻 第 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
