CMOS射頻集成電路設計-第2版 托馬斯.H.李 9787121474538 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：電子工業
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202403*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：CMOS射頻集成電路設計-第2版 ISBN：9787121474538 出版社：電子工業 著編譯者：托馬斯.H.李 叢書名：國外電子與通信教材系列 頁數：595 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1632332 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 這本被譽為射頻集成電路設計指南的著作全面深入地介紹了設計吉赫茲（GHz）CMOS射頻集成電路的細節。本書首先簡要介紹了無線電發展史和無線系統原理；在回顧集成電路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串並聯和其他振蕩網路及分散式系統特點的基礎上，介紹了史密斯圓圖、S參數和帶寬估計技術；著重說明了現代高頻寬頻放大器的設計方法，詳細討論了關鍵的射頻電路模塊，包括低雜訊放大器（LNA）、基準電壓源、混頻器、射頻功率放大器、振蕩器和頻率綜合器。書中對於射頻集成電路中存在的各類雜訊及雜訊特性（包括振蕩電路中的相位雜訊）進行了深入的探討。本書最後考察了收發器的總體結構並展望了射頻電路未來發展的前景。 書中給出了許多非常實用的電路圖和其他插圖，並附有許多具有啟發性的習題。本書是高年級本科生和研究生學習射頻電子學方面課程的理想教材，對於從事射頻集成電路設計或其他領域的工程技術人員也是一本非常有益的參考書。作者簡介 托馬斯·H 李（Thomas H Lee）於1990年獲得美國麻省理工學院電機工程系博士學位，現為斯坦福大學電氣工程系教授。此外，他還是IEEE固態電路學會和IEEE微波理論與技術學會的傑出講演者。他在國際會議上贏得過四次「最佳論文」獎，並贏得Packard基金會（Packard Foundation Fellowship）的研究基金。Thomas H Lee教授發表過100餘篇學術論文並擁有30項美國專利。他還和其他人共同創辦了幾家公司，其中包括Matrix Semiconductor。目錄 第1章 無線電發展歷史的間斷回顧1 1 引言 1 2 麥克斯韋和赫茲 1 3 真空管發明前的電子學 1 4 真空管的誕生 1 5 Armstrong和再生放大器/檢波器/振蕩器 1 6 其他無線電電路 1 6 1 調諧與中和式調諧射頻接收器 1 6 2 返回式電路 1 7 Armstrong和超再生電路 1 8 Oleg Losev和第一個固態電路放大器 1 9 結束語 1 10 附錄A：真空管基礎 1 11 附錄B：究竟是誰發明了無線電 第2章 無線通信原理概述 2 1 無線系統簡史 2 1 1 新生代時期 2 1 2 行動電話服務的首次出現 2 1 3 第一代蜂窩電話系統 2 1 4 第二代蜂窩電話系統 2 1 5 第三代（3G）蜂窩電話系統 2 2 非蜂窩無線通信的應用 2 2 1 IEEE 802 11（WiFi） 2 2 2 藍牙 2 2 3 無線個人區域網（WPAN） 2 2 4 超寬頻（UWB） 2 3 香農定理、調製及其他主題 2 3 1 幅值調製（AM） 2 3 2 DSB-SC（SC-AM）與SSB 2 3 3 角度調製：FM和PM 2 3 4 數字調製 2 4 傳播 2 5 結論 2 6 附錄：其他無線系統的特性 第3章 無源RLC網路 3 1 引言 3 2 並聯RLC諧振迴路 3 2 1 Q值 3 2 2 諧振時的支路電流 3 2 3 帶寬與Q值 3 2 4 鈴振與Q值 3 3 串聯RLC網路 3 4 其他諧振RLC網路 3 5 作為阻抗變換器的RLC網路 3 5 1 最大功率傳輸理論 3 5 2 L形匹配 3 5 3 形匹配 3 5 4 T形匹配 3 5 5 作為阻抗匹配網路的抽頭電容諧振器 3 5 6 抽頭電感匹配 3 5 7 雙抽頭諧振器 3 6 實例 3 6 1 L形匹配求解 3 6 2 形匹配求解 3 6 3 抽頭電容匹配求解 3 6 4 抽頭電感匹配求解 習題 第4章 無源集成電路元件的特性 4 1 引言 4 2 射頻情況下的互連線：趨膚效應 4 3 電阻 4 4 電容 4 5 電感 4 5 1 螺旋電感 4 5 2 鍵合線電感 4 5 3 其他電感公式 4 6 變壓器 4 6 1 單片變壓器的實現方法 4 6 2 平面變壓器的解析模型 4 7 高頻時的互連選擇 4 8 小結 4 9 附錄：電容方程總結 習題 第5章 MOS器件物理特性回顧 5 1 引言 5 2 MOS簡史 5 3 場效應管：一個小故事 5 4 MOSFET物理特性：長溝道近似 5 4 1 線性區（三極體區）的漏極電流 5 4 2 飽和區的漏極電流 5 4 3 溝道長度調製 5 4 4 動態元件 5 4 5 高頻品質因子 5 4 6 長溝道限制內的工藝尺寸等比例縮小規律 5 5 弱反型區（亞閾值區）的工作情況 5 5 1 基礎知識 5 5 2 亞閾值模型公式 5 5 3 亞閾值模型小結 5 6 短溝道情況下的MOS器件物理特性 5 6 1 速度飽和對晶體管動態特性的影響 5 6 2 閾值電壓的降低 5 6 3 襯底電流 5 6 4 柵極電流 5 7 其他效應 5 7 1 背柵偏置 5 7 2 溫度的變化 5 7 3 垂直電場方向上的遷移率降低 5 8 小結 5 9 附錄A：0 5 μm Level-3 SPICE模型 5 10 附錄B：Level-3 SPICE模型 5 11 附錄C：Level-1 MOS模型 5 12 附錄D：一些非常粗略的尺寸縮小規律 習題 第6章 分佈參數系統 6 1 引言 6 2 集總和分佈參數範疇之間的聯繫 6 3 重複結構的策動點阻抗 6 4 關於傳輸線的更詳細討論 6 4 1 有損傳輸線的集總參數模型 6 4 2 有損傳輸線的特徵阻抗 6 4 3 傳播常數 6 4 4 γ與傳輸線參數的關係 6 5 有限長傳輸線的特性 6 5 1 終端匹配的傳輸線 6 5 2 終端接上任意負載阻抗的傳輸線 6 6 傳輸線公式小結 6 7 人工傳輸線 6 7 1 集總參數傳輸線的截止頻率 6 7 2 終止集總參數傳輸線 6 7 3 m參數半段網路 6 8 小結 習題 第7章 史密斯圓圖和S參數 7 1 引言 7 2 史密斯圓圖 7 3 S參數 7 4 附錄A：關於單位的一些說明 7 5 附錄B：為什麼採用50Ω（或75Ω） 習題 第8章 帶寬估算方法 8 1 引言 8 2 開路時間常數方法 8 2 1 觀察與解釋 8 2 2 開路時間常數的精度 8 2 3 其他重要考慮 8 2 4 一些有用的公式 8 2 5 其他公式 8 2 6 設計實例 8 2 7 開路時間常數方法小結 8 3 短路時間常數方法 8 3 1 引言 8 3 2 背景材料 8 3 3 觀察與解釋 8 3 4 短路時間常數的精度 8 3 5 其他重要考慮 8 3 6 小結與結論 8 4 補充讀物 8 5 上升時間、延時及帶寬 8 5 1 引言 8 5 2 級聯繫統的延時 8 5 3 級聯繫統的上升時間 8 5 4 上升時間相加規則的一個（簡單）應用 8 5 5 帶寬-上升時間之間的關係 8 5 6 開路時間常數、上升時間相加及帶寬縮小 8 6 小結 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
