半導體集成電路 (二版) 余寧梅 楊媛 郭仲傑 9787030759580 【台灣高等教育出版社】
圖書均為代購，正常情形下，訂後約兩周可抵台。
物品所在地：中國大陸
原出版社：科學
物品所在地：中國大陸
原出版社：科學
NT$439
商品編號:
供貨狀況:
尚有庫存
加入最愛
此商品 「 最高 」可以折抵紅利
0
點
(約等於 NT$0 )
商品介紹
| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202308*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體集成電路 (二版) ISBN：9787030759580 出版社：科學 著編譯者：余寧梅 楊媛 郭仲傑 頁數：320 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1586677 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書在簡述半導體集成電路的基本概念、發展和面臨的主要問題后，以「器件-工藝-電路-應用」為主線，首先介紹半導體集成電路的主要製造工藝、基本元器件的結構和工作原理，然後重點討論數字集成電路中組合邏輯電路、時序邏輯電路、存儲器、邏輯功能部件，最後介紹模擬集成電路中的關鍵電路和數-模、模-數轉換電路。 本書以問題為導向，在每一章節開始設置了啟發性問題，並以二維碼方式給出了關鍵章節的預習教學視頻。全書內容系統全面，敘述深入淺出，易於自學。配備了器件彩色三維結構圖，讀者可以通過掃描二維碼進行查看。 本書可作為普通高等學校電子科學與技術、微電子科學與工程和集成電路設計與集成系統等相關專業的專業課教材，也可作為相關領域研究生及工程技術人員的參考書。目錄 第1章 緒論1 1 半導體集成電路的概念 1 1 1 半導體集成電路的基本概念 1 1 2 半導體集成電路的分類 1 2 半導體集成電路的發展過程 1 3 半導體集成電路的發展規律 1 4 半導體集成電路面臨的問題 1 4 1 深亞微米集成電路設計面臨的問題與挑戰 1 4 2 深亞微米集成電路性能面臨的問題與挑戰 1 4 3 深亞微米集成電路工藝面臨的問題與挑戰 技術拓展：Chiplet（芯粒） 基礎習題 高階習題 第2章 雙極集成電路中的元件形成及其寄生效應 2 1 雙極集成電路的製造工藝 2 1 1 雙極型晶體管的單管結構和工作原理 2 1 2 雙極集成晶體管的結構與製造工藝 2 2 集成雙極晶體管的有源寄生效應 技術拓展：BCD工藝 基礎習題 高階習題 第3章 MOS集成電路中晶體管的形成及其寄生效應 3 1 MOSFET晶體管的結構及製造工藝 3 1 1 MOSFET晶體管器件結構與工作原理 3 1 2 MOSFET晶體管的製造工藝 3 2 CMOS集成電路的製造工藝 3 2 1 n阱CMOS工藝 3 2 2 p阱CMOS工藝 3 2 3 雙阱CMOS工藝 3 3 MOS集成電路中的有源寄生效應 3 3 1 場區寄生MOSFET 3 3 2 寄生雙極型晶體管 3 3 3 CMOS集成電路中的閂鎖效應 3 4 深亞微米CMOS集成電路工藝 技術拓展：絕緣體上硅技術 基礎習題 高階習題 第4章 集成電路中的無源元件 4 1 集成電阻器 4 1 1 雙極集成電路中常用的電阻 4 1 2 MOS集成電路中常用的電阻 4 2 集成電容器 4 2 1 雙極集成電路中常用的集成電容器 4 2 2 MOS集成電路中常用的電容器 4 3 互連線 4 3 1 多晶硅互連線 4 3 2 擴散層連線 4 3 3 金屬互連線 技術拓展：修調技術 基礎習題 高階習題 第5章 MOS晶體管基本原理與MOS反相器電路 5 1 MOS晶體管的電學特性 5 1 1 MOS晶體管基本電流方程的導出 5 1 2 MOS晶體管的I-V特性 5 1 3 MOS晶體管的閾值電壓和導電特性 5 1 4 MOS晶體管的襯底偏壓效應 5 1 5 MOS晶體管的二級效應 5 1 6 MOS晶體管的電容 5 2 MOS反相器 5 2 1 反相器的基本概念 5 2 2 E/R型nMOS反相器 5 2 3 E/E型nMOS反相器 5 2 4 E/D型nMOS反相器 5 2 5 CMOS反相器 技術拓展：3D晶體管 基礎習題 高階習題 第6章 CMOS靜態門電路 6 1 基本CMOS靜態門 6 1 1 CMOS與非門 6 1 2 CMOS或非門 6 2 CMOS複合邏輯門 6 2 1 異或門 6 2 2 其他複合邏輯門 6 3 MOS管的串並聯特性 6 3 1 晶體管串聯的情況 6 3 2 晶體管並聯的情況 6 3 3 晶體管尺寸的設計 6 4 CMOS靜態門電路的延遲 6 4 1 延遲時間的估算方法 6 4 2 緩衝器最優化設計 6 5 CMOS靜態門電路的功耗 6 5 1 CMOS靜態門電路功耗的組成 6 5 2 降低電路功耗的方法 6 6 功耗和延遲的折中 技術拓展：門控時鐘技術 基礎習題 高階習題 第7章 傳輸門邏輯和動態邏輯電路 7 1 基本的傳輸門 7 1 1 nMOS傳輸門 7 1 2 pMOS傳輸門 7 1 3 CMOS傳輸門 7 2 傳輸門邏輯電路 7 2 1 傳輸門邏輯電路舉例 7 2 2 傳輸門邏輯的特點 7 3 基於二叉判決圖BDD的傳輸門邏輯生成方法 7 4 基本CMOS動態邏輯電路 7 4 1 基本CMOS動態邏輯電路的工作原理 7 4 2 動態邏輯電路的優缺點 7 5 傳輸門隔離動態邏輯電路 7 5 1 傳輸門隔離動態邏輯電路工作原理 7 5 2 傳輸門隔離多級動態邏輯電路的時鐘信號 7 5 3 多米諾邏輯 7 6 動態邏輯電路中存在的問題及解決方法 7 6 1 電荷泄漏 7 6 2 電荷共享 7 6 3 時鐘饋通 7 6 4 體效應 技術拓展：如何選擇邏輯類型 基礎習題 高階習題 第8章 時序邏輯電路 8 1 電荷的存儲機理 8 1 1 靜態存儲機理 8 1 2 動態存儲機理 8 2 電平敏感鎖存器 8 2 1 CMOS選擇器型鎖存器 8 2 2 基於傳輸門多選器的D鎖存器 8 2 3 動態鎖存器 8 3 邊沿觸發寄存器 8 3 1 寄存器的幾個重要參數 8 3 2 CMOS靜態主從結構寄存器 8 3 3 傳輸門多路開關型寄存器 8 3 4 C2MOS寄存器 8 4 其他類型寄存器 8 4 1 脈衝觸發鎖存器 8 4 2 靈敏放大器型寄存器 8 4 3 施密特觸發器 8 5 帶複位及使能信號的D寄存器 8 5 1 同步複位D寄存器 8 5 2 非同步複位D寄存器 8 5 3 帶使能信號的同步複位D寄存器 8 6 寄存器的應用及時序約束 8 6 1 計數器 8 6 2 時序電路的時序約束 技術拓展：非同步數字系統 基礎習題 高階習題 第9章 MOS邏輯功能部件 9 1 多路開關 9 2 加法器和進位鏈 9 2 1 加法器定義 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
