多尺度模擬方法在半導體材料位移損傷研究中的應用 9787030764690 賀朝會 唐杜 臧航 鄧亦凡 田賞
圖書均為代購，正常情形下，訂後約兩周可抵台。
物品所在地：中國大陸
原出版社：科學
物品所在地：中國大陸
原出版社：科學
NT$954
商品編號:
供貨狀況:
尚有庫存
加入最愛
此商品 「 最高 」可以折抵紅利
0
點
(約等於 NT$0 )
商品介紹
| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202309*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：多尺度模擬方法在半導體材料位移損傷研究中的應用 ISBN：9787030764690 出版社：科學 著編譯者：賀朝會 唐杜 臧航 鄧亦凡 田賞 叢書名：輻射環境模擬與效應叢書 頁數：212 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1581397 可大量預訂，請先連絡。 【台灣高等教育出版社簡體書】 多尺度模擬方法在半導體材料位移損傷研究中的應用 787030764690 賀朝會 唐杜 臧航 鄧亦凡 田賞 內容簡介 本書系統介紹了用於材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10-10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，並給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導體材料的位移損傷機理和規律，在核技術和輻射物理學科的發展、位移損傷效應研究、人才培養等方面具有重要的學術意義和應用價值。 本書可作為輻射物理、核技術、微電子學、空間電子學、電子元器件等領域科研人員的參考書，也可供輻射效應研究、半導體材料應用、宇航電子系統設計等領域的工程技術人員參考。目錄 叢書序前言 主要符號表 第1章 緒論 1 1 位移損傷效應 1 2 單粒子位移損傷效應 1 3 位移損傷的多尺度特點 1 4 位移損傷缺陷的產生及演化模擬 參考文獻 第2章 多尺度模擬方法 2 1 輻射與材料相互作用模擬方法 2 1 1 載能粒子與原子核的碰撞動力學 2 1 2 二體碰撞近似方法 2 2 分子動力學方法 2 3 動力學蒙特卡羅方法 2 4 第一性原理方法 2 4 1 第一性原理計算方法 2 4 2 VASP軟體 2 5 器件電學性能模擬方法 2 5 1 缺陷複合理論 2 5 2 位移損傷缺陷的電學性質 2 5 3 Sentaurus TCAD軟體 參考文獻 第3章 多尺度模擬方法在硅材料位移損傷研究中的應用 3 1 離子入射硅引起的位移損傷缺陷初態研究 3 1 1 離子入射硅初級碰撞過程的蒙特卡羅模擬 3 1 2 硅中離位級聯的分子動力學模擬 3 2 位移損傷缺陷的長時間演化機理研究 3 2 1 中子在硅中產生的初級反衝原子能量分佈計算 3 2 2 位移損傷缺陷長時間演化的動力學蒙特卡羅模擬 3 2 3 位移損傷缺陷的長時間演化機理 3 2 4 空間均勻分佈缺陷的長時間演化機理 3 2 5 位移損傷電流退火因子 3 3 重離子引起的單粒子位移損傷電流計算 3 3 1 單粒子位移損傷電流計算方法 3 3 2 252Cf輻照超低泄漏電流二極體的單粒子位移損傷電流計算 3 4 本章小結 參考文獻 第4章 多尺度模擬方法在砷化鎵材料位移損傷研究中的應用 4 1 質子在GaAs中初級離位碰撞模擬 4 1 1 物理模型 4 1 2 質子入射GaAs材料全射程模擬 4 1 3 質子垂直入射GaAs太陽電池模擬 4 2 GaAs中級聯碰撞的分子動力學模擬 4 2 1 計算方法 4 2 2 結果與討論 4 3 GaAs中輻照缺陷長時間演化的KMC模擬 4 3 1 GaAs中輻照缺陷相關性質計算及KMC模擬設置 4 3 2 結果與討論 4 4 本章小結 參考文獻 第5章 多尺度模擬方法在碳化硅材料位移損傷研究中的應用 5 1 中子與SiC材料初級碰撞模擬 5 1 1 初級碰撞模擬設置 5 1 2 初級碰撞模擬結果 5 2 PKA級聯碰撞的分子動力學模擬 5 2 1 勢函數與材料結構模型 5 2 2 計算內容與程序設計 5 2 3 數據處理方法 5 2 4 結果與討論 5 3 4H-SiC中缺陷長時間演化的KMC模擬 5 3 1 計算方法 5 3 2 程序設計 5 3 3 結果與討論 5 4 位移損傷致反向漏電流的計算 5 5 本章小結 參考文獻 第6章 多尺度模擬方法在氮化鎵材料位移損傷研究中的應用 6 1 不同中子能譜環境下GaN中產生的初級反衝原子能譜研究 6 2 10keV PKA在GaN中離位級聯的分子動力學模擬研究 6 2 1 點缺陷的演化規律 6 2 2 點缺陷的空間分佈及缺陷團簇 6 2 3 點缺陷產生與溫度的關係 6 3 基於動力學蒙特卡羅的GaN位移損傷缺陷演化的模擬研究 6 4 1MeV中子輻照GaN產生缺陷的演化模擬研究 6 4 1 1MeV中子在GaN中產生的初級反衝原子 6 4 2 不同能量PKA在GaN中產生缺陷的分子動力學模擬研究 6 4 3 基於動力學蒙特卡羅的位移損傷缺陷演化模擬研究 6 4 4 基於TCAD的GaN電學特性研究 6 5 本章小結 參考文獻 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
