半導體乾法刻蝕技術-原子層工藝 索斯藤.萊爾 9787111734260 【台灣高等教育出版社】
圖書均為代購，正常情形下，訂後約兩周可抵台。
物品所在地：中國大陸
原出版社：機械工業
物品所在地：中國大陸
原出版社：機械工業
NT$757
商品編號:
供貨狀況:
尚有庫存
加入最愛
此商品 「 最高 」可以折抵紅利
0
點
(約等於 NT$0 )
商品介紹
| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202309*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體乾法刻蝕技術-原子層工藝 ISBN：9787111734260 出版社：機械工業 著編譯者：索斯藤.萊爾 叢書名：集成電路科學與工程叢書 頁數：225 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1580053 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 集成電路製造向幾納米節點工藝的發展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術，原子層刻蝕（ALE）技術應運而生。本書主要內容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉向半導體製造的新興刻蝕技術，涵蓋了定向和各向同性ALE的最新研究和進展。本書以特定的刻蝕應用作為所討論機制的示例，例如柵極刻蝕、接觸孔刻蝕或3D NAND通道孔刻蝕，有助於對所有干法刻蝕技術的原子層次理解。 本書概念清晰，資料豐富，內容先進，可作為微電子學與固體電子學、電子科學與技術、集成電路科學與工程等專業的研究生和高年級本科生的教學參考書，也可供相關領域的工程技術人員參考。作者簡介 索斯藤·萊爾（Thorsten Lill），博士，美國泛林集團（Lam Research）新興刻蝕技術和系統事業部副總裁。他在德國弗萊堡大學獲得物理學博士學位，並在美國阿貢國家實驗室進行博士后研究。他在該領域發表了88篇文章，擁有89項專利。目錄 譯者序縮寫詞表 第1章 引言 參考文獻 第2章 理論基礎 2 1 刻蝕工藝的重要性能指標 2 1 1 刻蝕速率（ER） 2 1 2 刻蝕速率不均勻性（ERNU） 2 1 3 選擇性 2 1 4 輪廓 2 1 5 關鍵尺寸（CD） 2 1 6 線寬粗糙度和線邊緣粗糙度（LWR和LER） 2 1 7 邊緣放置誤差（EPE） 2 1 8 深寬比相關刻蝕（ARDE） 2 2 物理吸附和化學吸附 2 3 解吸 2 4 表面反應 2 5 濺射 2 6 注入 2 7 擴散 2 8 三維形貌中的輸運現象 2 8 1 中性粒子輸運 2 8 2 離子輸運 2 8 3 反應產物輸運 2 9 刻蝕技術的分類 參考文獻 第3章 熱刻蝕 3 1 熱刻蝕的機理和性能指標 3 1 1 刻蝕速率和ERNU 3 1 2 選擇性 3 1 3 輪廓和CD控制 3 1 4 ARDE 3 2 應用示例 參考文獻 第4章 熱各向同性ALE 4 1 熱各向同性ALE機制 4 1 1 螯合/縮合ALE 4 1 2 配體交換ALE 4 1 3 轉化ALE 4 1 4 氧化/氟化ALE 4 2 性能指標 4 2 1 刻蝕速率（EPC） 4 2 2 ERNU（EPC非均勻性） 4 2 3 選擇性 4 2 4 輪廓和ARDE 4 2 5 CD控制 4 2 6 表面光滑度 4 3 等離子體輔助熱各向同性ALE 4 4 應用示例 4 4 1 區域選擇性沉積 4 4 2 橫向器件的形成 參考文獻 第5章 自由基刻蝕 5 1 自由基刻蝕機理 5 2 性能指標 5 2 1 刻蝕速率和ERNU 5 2 2 選擇性 5 2 3 輪廓和ARDE 5 2 4 CD控制 5 3 應用示例 參考文獻 第6章 定向ALE 6 1 定向ALE機制 6 1 1 具有定向改性步驟的ALE 6 1 2 具有定向去除步驟及化學吸附和擴散改性的ALE 6 1 3 具有定向去除步驟和通過反應層沉積進行改性的ALE 6 2 性能指標 6 2 1 刻蝕速率（EPC） 6 2 2 ERNU（EPC非均勻性） 6 2 3 選擇性 6 2 4 輪廓和ARDE 6 2 5 表面平整度和LWR/LER 6 3 應用示例 6 3 1 具有定向改性步驟的ALE 6 3 2 具有定向去除步驟及化學吸附和擴散改性的ALE 6 3 3 具有定向去除步驟和通過反應層沉積進行改性的ALE 參考文獻 第7章 反應離子刻蝕 7 1 反應離子刻蝕機制 7 1 1 同時發生的物種通量 7 1 2 化學濺射 7 1 3 混合層形成 7 1 4 刻蝕產物的作用 7 2 性能指標 7 2 1 刻蝕速率 7 2 2 ERNU 7 2 3 ARDE 7 2 4 選擇性 7 2 5 輪廓控制 7 2 5 1 側壁鈍化 7 2 5 2 刻蝕物種的選擇 7 2 5 3 溫度 7 2 6 CD控制 7 2 7 表面光滑度 7 2 8 LWR/LER 7 3 應用示例 7 3 1 圖案化 7 3 1 1 自對準圖案化 7 3 1 2 極紫外（EUV）光刻 7 3 2 邏輯器件 7 3 2 1 Fin刻蝕 7 3 2 2 柵極刻蝕 7 3 2 3 側牆刻蝕 7 3 2 4 接觸孔刻蝕 7 3 2 5 BEOL刻蝕 7 3 3 DRAM和3DNAND存儲器 7 3 3 1 DRAM電容單元刻蝕 7 3 3 2 高深寬比3DNAND刻蝕 7 3 4 新興存儲 7 3 4 1 相變存儲器（PCM） 7 3 4 2 ReRAM 參考文獻 第8章 離子束刻蝕 8 1 離子束刻蝕的機理和性能指標 8 2 應用示例 參考文獻 第9章 刻蝕物種產生 9 1 低溫等離子體概述 9 2 電容耦合等離子體 9 3 電感耦合等離子體 9 4 離子能量分佈調製 9 5 等離子體脈衝 9 6 格柵源 參考文獻 第10章 新興刻蝕技術 10 1 電子輔助化學刻蝕 10 2 光子輔助化學刻蝕 參考文獻 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
