功率超結器件 章文通 張波 李肇基 9787115589347 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：人民郵電
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| *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。 印行年月：202307*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：功率超結器件 ISBN：9787115589347 出版社：人民郵電 著編譯者：章文通 張波 李肇基 叢書名：電子信息前沿專著系列 頁數：297 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1580052 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 超結是功率半導體器件領域的創新的耐壓層結構之一，它將常規阻型耐壓層質變為PN結型耐壓層，突破了傳統比導通電阻和耐壓之間的「硅極限」關係（Ron，sp?VB2 5），將2 5次方關係降低為1 32次方，甚至是1 03次方關係，被譽為功率半導體器件發展的「里程碑」。 本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研究中獲得的理論、技術與實驗結果，包括電荷場調製概念、超結器件耐壓原理與電場分佈、縱向超結器件非全耗盡模式與準線性關係（Ron，sp?VB1 03）、橫向超結器件等效襯底模型、全域優化法、最低比導通電阻理論等。在此基礎上，本書又提出了勻場耐壓層新概念，即以金屬-絕緣體-金屬元胞替代PN結元胞，並對這種勻場耐壓層的新應用進行了探索。本書可供半導體器件相關專業的科研工作者參考。作者簡介 章文通，電子科技大學副教授。從事功率半導體器件與功率集成技術方向研究。以第一作者身份在IEEE EDL、IEEE TED上發表論文19篇，2次入選EEE EDL 封面Highlight，授權國家發明專利34項，獲國防技術發明獎二等獎、中國產學研合作創新成果獎二等獎、電子科技大學學術新人獎等。目錄 第1章 功率半導體器件基礎1 1 概述 1 2 雪崩擊穿 1 2 1 碰撞電離率與Ec增強 1 2 2 雪崩擊穿的分析方法 1 3 結終端技術與RESURF技術 1 3 1 結終端技術 1 3 2 RESURF技術 1 4 功率MOS晶體管 1 5 IGBT 1 6 寬禁帶功率半導體器件 參考文獻 第2章 超結器件耐壓原理與電場分佈 2 1 超結器件基本結構 2 2 電荷場調製 2 2 1 電荷場分析 2 2 2 電荷場的普適性 2 3 超結耐壓層電場分佈 2 3 1 超結器件耐壓層電場概述 2 3 2 電場分佈解析 2 3 3 特徵厚度與電荷場 2 4 超結電場的二維性 2 4 1 超結電荷場的二維性 2 4 2 超結矢量場與電場三維分佈 2 4 3 等勢關係 2 5 超結器件全域優化與設計 2 5 1 功率半導體器件雪崩擊穿路徑 2 5 2 黃金分割優化法 2 5 3 神經網路預測 參考文獻 第3章 縱向超結器件 3 1 超結器件NFD模式 3 1 1 VB歸一化係數與電荷場歸一化因子 3 1 2 NFD模式 3 1 3 Ron，min歸一化判斷依據 3 1 4 縱向超結器件設計 3 1 5 超結器件Ec增強 3 2 縱向超結器件Ron，min理論 3 2 1 Ron，min物理與解析基礎 3 2 2 縱向超結R-阱模型 3 2 3 縱向超結Ron，min優化法 3 2 4 全域Ron，sp和電荷場歸一化因子與Ron，sp-VB關係 3 2 5 超結尺寸極限與3-D超結Ron，min 3 3 縱向半超結器件Ron，min優化 3 3 1 縱向半超結二維勢、場解析 3 3 2 縱向半超結Ron，min優化 3 4 縱向超結器件電流特性與安全工作區 3 4 1 電流特性 3 4 2 安全工作區 3 5 縱向超結器件瞬態特性 3 6 縱向超結器件實驗 3 7 SiC超結器件 3 7 1 SiC一般特性 3 7 2 SiC超結Ron，min 參考文獻 第4章 橫向超結器件 4 1 橫向超結器件SAD效應 4 2 ES模型 4 2 1 ES模型簡介 4 2 2 SAD效應與理想襯底條件 4 2 3 CCL摻雜分佈 4 3 橫向超結器件Ron，min優化 4 3 1 橫向超結與縱向超結器件Ron，min優化比較 4 3 2 橫向超結N、Ld設計 4 3 3 橫向超結Ron，sp-VB關係 4 4 橫向超結器件設計 4 5 橫向超結器件實驗 4 5 1 體硅襯底的橫向單元胞超結器件實驗 4 5 2 SOI襯底的SJ/ENDIF橫向超結器件實驗 4 5 3 基於歸一化導電優化的半超結實驗 4 5 4 超結Ron，sp?VB1 03關係初步實驗 參考文獻 第5章 典型超結器件結構 5 1 縱向超結器件結構 5 1 1 超結器件典型製造工 5 1 2 縱向超結器件新結構 5 2 橫向超結器件結構 5 2 1 抑制SAD效應的典型方法 5 2 2 橫向超結器件新結構 5 3 超結IGBT器件 5 3 1 准單極異位輸運模式 5 3 2 全域電導調製型超結IGBT 5 4 寬禁帶超結器件 5 4 1 SiC超結器件結構 5 4 2 GaN超結器件結構 5 5 高K耐壓層及器件新結構 5 5 1 高K耐壓層機理 5 5 2 高K器件新結構 參考文獻 第6章 勻場器件 6 1 勻場耐壓層 6 1 1 表面與體內MIS調製 6 1 2 新型勻場耐壓層勻場機制 6 2 勻場機理與模型 6 2 1 電荷自平衡 6 2 2 周期場調製模型 6 3 勻場器件 6 3 1 具有勻場耐壓層的LDMOS器件 6 3 2 互補耗盡機理與C-HOF器件 6 3 3 三維體內曲率效應與Trench-stop器件 6 4 勻場介質終端技術 6 5 勻場耐壓層實驗 6 5 1 勻場耐壓層實現關鍵工藝 6 5 2 勻場耐壓層工藝模擬 6 6 勻場器件實驗 6 6 1 勻場LDMOS器件實驗 6 6 2 C-HOF LDMOS器件實驗 6 6 3 具有漏端耗盡截止槽的C-HOFLDMOS器件實驗 6 6 4 介質終端技術實驗 6 7 勻場耐壓層應用探索 6 7 1 SOI器件 6 7 2 高壓互連技術與體內曲率結擴展技術 6 8 非完全式雪崩擊穿原理與more silicon發展 參考文獻 附錄1 功率半導體器件基本圖表 1 1 功率半導體材料性質 1 2 給定耐壓層長度L下的硅的理想擊穿電壓Vb 1 3 給定耐壓層長度L下的理想平均電場Epo 1 4 給定耗盡距離ts下的最高摻雜濃度Nmax與優化摻雜濃度N的範圍 1 5 給定耗盡距離t下的最高摻雜劑量Dmax與優化摻雜劑量D的範圍 1 6 給定摻雜濃度N下的比導通電阻Ron sp 附錄2 超結傅里葉級數法解的化簡與電荷場歸一化 附錄3 神經網路實例 附錄4 R-阱與Ron min優化演算法 附錄5 橫向超結耐壓層三維勢、場傅里葉級數法 附錄6 本書功率器件發展樹Power tree 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
