圖解入門-功率半導體基礎與工藝精講 (原書第3版) 佐藤淳一 9787111737964 【台灣高等教育出版社】

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物品所在地:中國大陸
原出版社:機械工業
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書名:圖解入門-功率半導體基礎與工藝精講 (原書第3版)
ISBN:9787111737964
出版社:機械工業
著編譯者:佐藤淳一
叢書名:集成電路科學與技術叢書
頁數:193
所在地:中國大陸 *此為代購商品
書號:1597245
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內容簡介

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體製造工藝的各個技術環節。全書共分為11章,分別是:功率半導體的全貌、功率半導體的基本原理、各種功率半導體的原理和作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用於功率半導體的硅片、功率半導體製造工藝的特點、功率半導體生產企業介紹、硅基功率半導體的發展、挑戰硅極限的碳化硅與氮化鎵、功率半導體開拓的碳減排時代。 本書適合與半導體業務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、對功率半導體感興趣的職場人士和學生閱讀。

作者簡介

佐藤淳一,京都大學工學研究生院碩士。1978年加入東京電氣化學工業股份有限公司(現TDK);1982年加入索尼股份有限公司。一直從事半導體和薄膜設備,以及工藝技術的研發工作。其間,在半導體尖端技術(Selete)創立之時被借調,並擁有擔任長崎大學工學部兼職講師、行業委員會委員等經驗。

目錄

前言
詞語表述和閱讀方法說明
第1章 功率半導體的全貌
1-1 功率半導體到底是什麼
1-2 把功率半導體比作人的身體
1-3 身邊的功率半導體
1-4 電子信息產業中功率半導體的定位
1-5 半導體器件中的功率半導體
1-6 晶體管構造的差異
第2章 功率半導體的基本原理
2-1 半導體的基本原理
2-2 關於PN結
2-3 晶體管的基本原理
2-4 雙極型晶體管的基本原理
2-5 MOS晶體管的基本原理
2-6 功率半導體的歷史回顧
2-7 功率型MOSFET的登場
專欄:單面與雙面
2-8 雙極型晶體管與MOSFET的結合——IGBT的登場
2-9 信號轉換
第3章 各種功率半導體的原理和作用
3-1 單嚮導通的二極體
3-2 大電流雙極型晶體管
3-3 雙向晶閘管
3-4 具有高速開關特性的功率型MOSFET
3-5 環保時代的IGBT
3-6 功率半導體課題的探索
第4章 功率半導體的用途與市場
4-1 功率半導體的市場規模
4-2 電力基礎設施與功率半導體
4-3 交通工具與功率半導體
4-4 汽車與功率半導體
4-5 辦公與功率半導體
4-6 家用電器與功率半導體
第5章 功率半導體的分類
5-1 按用途分類
5-2 按材料分類
5-3 按構造、原理分類
5-4 從額定參數看功率半導體
第6章 用於功率半導體的硅片
6-1 硅片是什麼
6-2 硅片的製造方法與差異
6-3 FZ硅晶體的特點
6-4 FZ硅片為何重要
6-5 硅材料的局限
第7章 功率半導體製造工藝的特點
7-1 功率半導體與集成電路的區別
7-2 器件構造的研究
7-3 外延生長法的廣泛應用
7-4 正反面曝光工藝
專欄:關於校準器的回憶
7-5 反面雜質激活
7-6 晶圓減薄工藝
7-7 後段工藝與前段工藝的差異
7-8 切割工藝的小差異
7-9 晶元鍵合工藝的特點
7-10 引線鍵合使用更寬的引線
7-11 封裝材料的不同
第8章 功率半導體生產企業介紹
8-1 摩爾定律路線圖走到盡頭
專欄:路線圖就是領跑者
8-2 氣勢高漲的「日之丸」功率半導體
8-3 保持垂直統合模式的綜合性電氣企業
8-4 專業企業如何生存
8-5 歐洲生產企業是垂直統合模式嗎
專欄:以創始人名字命名的公司
8-6 美國企業的動向
第9章 硅基功率半導體的發展
9-1 功率半導體的時代
9-2 IGBT所要求的性能
9-3 穿通與非穿通型IGBT
9-4 場截止型IGBT的登場
9-5 IGBT的發展趨勢探索
9-6 功率半導體在智能功率模塊(IPM)中的進展
9-7 冷卻與功率半導體
第10章 挑戰硅極限的碳化硅與氮化鎵
10-1 8英寸碳化硅晶圓的出現
10-2 碳化硅晶圓的製造方法
10-3 碳化硅的優點與研究課題有哪些
10-4 實用性不斷提升的碳化硅晶片
10-5 氮化鎵晶圓的難題——異質外延
10-6 氮化鎵的優點與挑戰
10-7 氮化鎵常閉型器件的挑戰
10-8 晶圓生產企業的動向
專欄:時代總是在循環
第11章 功率半導體開拓的碳減排時代
11-1 碳減排時代與功率半導體
11-2 對可再生能源而言不可或缺的功率半導體
11-3 智能電網與功率半導體
11-4 電動汽車(EV)與功率半導體
11-5 21世紀交通基礎設施與功率半導體
11-6 跨領域的功率半導體技術令人期待
專欄:基礎材料和核心器件
參考文獻
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