圖解芯片製造技術 吳元慶 劉春梅 王洋 9787122438034 【台灣高等教育出版社】

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物品所在地:中國大陸
原出版社:化學工業
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書名:圖解芯片製造技術
ISBN:9787122438034
出版社:化學工業
著編譯者:吳元慶 劉春梅 王洋
叢書名:科技前沿探秘叢書
頁數:213
所在地:中國大陸 *此為代購商品
書號:1590790
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內容簡介 芯片(晶元)是近年來備受關注的高科技產品,在電子、航空航天、機械、船舶、儀錶等領域發揮著不可替代的作用。本書圍繞晶元製造技術展開,從單晶硅晶體的拉制講起,介紹了多種硅晶體的沉積和拉制、切割技術,著重介紹了光刻技術和光刻設備,並簡要介紹了集成電路封裝技術。 本書適宜對晶元技術感興趣的讀者參考。

作者簡介 吳元慶,男,1982年生,遼寧庄河人,滿族,博士,渤海大學物理科學與技術學院副教授。2003年畢業於西安電子科技大學電子科學與技術專業獲學士學位,2012年畢業於天津大學微電子學與固體電子學專業獲博士學位。主要研究方向為微機電系統的設計與製造,微電子器件的設計等。主講課程包括「微電子學概論」「微電子專業導讀」「EDA技術與版圖設計」「太陽能電池材料與器件」等課程。參与「863」項目1項、「973」子項目一項,天津市基金項目2項,主持教育部產學研協同育人項目6項,參与完成教育部「藍火計劃」產學研合作項目1項,主持渤海大學博士科研啟動基金項目1項,在相關領域發表論文多篇,專利多項。

目錄 第1章 集成電路簡介
1 1 集成電路製造技術簡介
1 2 集成電路晶元發展歷程
1 3 集成電路的發展規律——摩爾定律
1 4 集成電路的分類
1 5 晶元製造工藝
1 6 晶元製造要求
1 6 1 超凈環境
1 6 2 超純材料
第2章 硅片的製備
2 1 硅材料的性質
2 2 多晶硅的製備
2 2 1 冶鍊
2 2 2 提純
2 3 單晶硅生長
2 3 1 直拉法
2 3 2 磁控直拉法
2 3 3 懸浮區熔法
2 4 切制硅片
2 4 1 切片工藝
2 4 2 硅片規格及用途
2 5 硅片的缺陷
第3章 氧化
3 1 二氧化硅的結構
3 2 二氧化硅的物理化學性質
3 3 二氧化硅在集成電路中的作用
3 4 硅的熱氧化
3 4 1 熱氧化的反應原理
3 4 2 常用的硅熱氧化工藝
3 4 3 熱氧化工藝流程
3 4 4 熱氧化規律
3 4 5 其他氧化方式
第4章 擴散
4 1 雜質的擴散類型
4 1 1 替位式擴散
4 1 2 間隙式擴散
4 1 3 間隙-替位式擴散
4 2 擴散係數
4 3 擴散摻雜
4 3 1 恆定表面源擴散
4 3 2 限定表面源擴散
4 3 3 兩步擴散工藝
4 4 缺陷對擴散的影響
4 4 1 氧化增強擴散
4 4 2 發射區推進效應
4 4 3 橫向擴散效應
4 5 擴散方式
4 5 1 氣態源擴散
4 5 2 液態源擴散
4 5 3 固態源擴散
第5章 離子注入
5 1 離子注入的特點
5 2 離子注入原理
5 2 1 離子注入的行程
5 2 2 注入離子的碰撞
5 3 注入離子在靶中的分佈
5 3 1 縱向分佈
5 3 2 橫向效應
5 3 3 單晶靶中的溝道效應
5 3 4 離子質量的影響
5 4 注入損傷
5 5 退火
5 6 離子注入設備與工藝
5 6 1 離子注入機
5 6 2 離子注入工藝
5 7 離子注入的其他應用
5 7 1 淺結的形成
5 7 2 調整MOS晶體管的閾值電壓
5 7 3 自對準金屬柵結構
5 8 離子注入與熱擴散比較
第6章 化學氣相沉積CVD
6 1 CVD概述
6 2 CVD工藝原理
6 2 1 薄膜沉積過程
6 2 2 薄膜質量控制
6 3 CVD工藝方法
6 3 1 常壓化學氣相沉積
6 3 2 低壓化學氣相沉積
6 3 3 等離子增強化學氣相沉積
6 3 4 CVD工藝方法的進展
6 4 薄膜的沉積
6 4 1 氮化硅的性質
6 4 2 多晶硅薄膜的應用
6 4 3 CVD金屬及金屬化合物
第7章 物理氣相沉積PVD
7 1 PVD概述
7 2 真空系統及真空的獲得
7 3 真空蒸鍍
7 3 1 工藝原理
7 3 2 蒸鍍設備
7 3 3 多組分蒸鍍工藝
7 3 4 蒸鍍薄膜的質量控制
7 4 濺射
7 4 1 工藝原理
7 4 2 濺射方式
7 4 3 濺射薄膜的質量及改善
7 5 金屬與銅互連引線
第8章 光刻
8 1 概述
8 2 基本光刻工藝流程
8 2 1 底膜處理
8 2 2 塗膠
8 2 3 前烘
8 2 4 曝光
8 2 5 顯影
8 2 6 堅膜
8 2 7 顯影檢驗
8 2 8 去膠
8 2 9 最終檢驗
8 3 光刻掩模版
8 4 光刻膠
8 5 光學解析度增強技術
8 5 1 離軸照明技術
8 5 2 移相掩模技術
8 5 3 光學鄰近效應校正技術
8 6 紫外光曝光技術
8 6 1 接觸式曝光
8 6 2 接近式曝光
8 6 3 投影式曝光
8 6 4 其他曝光技術
第9章 刻蝕技術
9 1 概述
9 2 濕法刻蝕
9 2 1 硅的濕法刻蝕
9 2 2 二氧化硅的濕法刻蝕
9 2 3 氮化硅的濕法刻蝕
9 2 4 鋁的濕法刻蝕
9 3 干法刻蝕
9 3 1 刻蝕參數
9 3 2 典型材料的干法刻蝕
第10章 外延
10 1 概述
10 1 1 外延概念
10 1 2 外延工藝種類
10 2 氣相外延工藝
10 2 1 外延原理
10 2 2 外延的影響因素
10 2 3 外延摻雜
10 2 4 外延技術
10 3 分子束外延
10 4 其他外延方法
10 4 1 液相外延
10 4 2 固相外延
10 4 3 金屬有機物氣相外延
10 4 4 化學束外延
第11章 集成電路工藝與封裝
11 1 隔離工藝
11 2 雙極型集成電路工藝
11 3 CMOS電路工藝流程
11 4 晶元封裝技術
11 4 1 封裝的作用和地位
11 4 2 引線連接
11 4 3 幾種典型封裝技術
參考文獻
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