模擬 混合信號集成電路抗輻照技術與實踐 黃曉宗 9787576705454 【台灣高等教育出版社】
圖書均為代購，正常情形下，訂後約兩周可抵台。
物品所在地：中國大陸
原出版社：哈爾濱工業大學
物品所在地：中國大陸
原出版社：哈爾濱工業大學
NT$687
商品編號:
供貨狀況:
尚有庫存
加入最愛
此商品 「 最高 」可以折抵紅利
0
點
(約等於 NT$0 )
商品介紹
| *數量非實際在台庫存 *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為實際資訊。 印行年月：202307*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：模擬/混合信號集成電路抗輻照技術與實踐 ISBN：9787576705454 出版社：哈爾濱工業大學 著編譯者：黃曉宗 叢書名：材料與器件輻射效應及加固技術研究著作 頁數：289 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1619557 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書系統地介紹了輻射對電子系統的損傷機理、加固技術和實踐、輻射測試技術等研究內容，並闡述了抗輻射加固技術的發展趨勢。第1章和第2章介紹了輻射環境與基本輻射效應、半導體器件的輻射效應損傷機理，並介紹了SiGe HBT BiCMOS工藝的輻射特性；第3∼5章介紹了從工藝、版圖和電路等方面進行抗輻射加固的技術；第6章針對模擬／混合信號集成電路加固技術的案例進行了研究；第7章和第8章介紹了模擬／混合信號集成電路輻射測試技術和抗輻射加固發展趨勢。 本書適合研究輻射效應與抗輻射加固技術的相關專業本科生和研究生使用，也可供相關工程技術人員和科研人員學習、參考。目錄 第1章 輻射環境與基本輻射效應1 1 空間輻射環境 1 2 基本輻射效應 本章參考文獻 第2章 半導體器件的輻射效應損傷機理 2 1 總劑量效應對半導體器件的損傷機理 2 2 單粒子效應對集成電路的損傷機理 2 3 CMOS工藝輻射效應機理 2 4 SiGe HBT BiCMOS工藝 本章參考文獻 第3章 工藝抗輻射加固技術 3 1 CMOS工藝襯底選擇 3 2 CMOS工藝氧化工序 3 3 CMOS三阱工藝 3 4 CMOS工藝尺寸對抗輻射性能的影響 3 5 雙極工藝優化技術 本章參考文獻 第4章 版圖抗輻射加固技術 4 1 環柵晶體管 4 2 單粒子閂鎖版圖加固 4 3 SiGe HBT版圖加固 本章參考文獻 第5章 電路抗輻射加固技術 5 1 模擬電路加固技術 5 2 數字電路加固技術 5 3 系統級加固技術 本章參考文獻 第6章 模擬／混合信號集成電路加固技術實踐研究 6 1 單粒子效應的模擬及建模技術 6 2 總劑量效應的模擬及建模技術 6 3 輻射加固標準數字單元庫的開發設計 6 4 帶隙基準源加固設計 6 5 放大器與比較器加固設計 6 6 鎖相環加固設計 6 7 模擬開關加固設計 6 8 A／D、D／A轉換器的加固設計 本章參考文獻 第7章 模擬／混合信號集成電路輻射測試技術 7 1 模擬／混合信號電路測試系統 7 2 總劑量測試 7 3 單粒子輻射測試 本章參考文獻 第8章 模擬／混合信號集成電路抗輻射加固發展趨勢 8 1 需求分析 8 2 現狀分析 8 3 發展趨勢及挑戰 本章參考文獻 名詞索引 附錄 部分彩圖 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
