圖解入門-半導體器件缺陷與失效分析技術精講 9787111749622 日本可靠性技術叢書編輯委員會
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物品所在地：中國大陸
原出版社：機械工業
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| *數量非實際在台庫存 *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為實際資訊。 印行年月：202402*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：圖解入門-半導體器件缺陷與失效分析技術精講 ISBN：9787111749622 出版社：機械工業 著編譯者：日本可靠性技術叢書編輯委員會 頁數：159 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1619559 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書共分為4章，內容包括半導體器件缺陷及失效分析技術概要、硅集成電路（LSI）的失效分析技術、功率器件的缺陷及失效分析技術、化合物半導體發光器件的缺陷及失效分析技術。筆者在書中各處開設了專欄，用以介紹每個領域的某些方面。在第2∼4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學技術聯盟主辦的「初級可靠性技術者」資格認定考試，題型為5選1，希望大家可以利用這些例題來測試一下自身的水平。 本書的讀者包括：半導體器件工藝及器件的相關技術人員，可靠性技術人員，失效分析技術人員，試驗、分析、實驗的負責人，以及大學生、研究生等。因此，羅列的內容層次從基礎介紹到最新研究，覆蓋範圍較廣。作者簡介 汪久龍，畢業於中科院半導體研究所材料工程專業，碩士學位。目前在北京智慧能源研究院從事碳化硅外延材料生長工藝開發工作。目錄 前言第1章 半導體器件缺陷及失效分析技術概要 1 1 失效分析的定位 1 2 缺陷分析的定位 1 3 用於缺陷及失效分析的分析工具概要 專欄：NANOTS的成立與更名 第1章參考文獻 第2章 硅集成電路（LSI）的失效分析技術 2 1 失效分析的步驟和近8年新開發或普及的技術 2 2 封裝部件的失效分析 2 3 晶元部件失效分析過程和主要失效分析技術一覽 2 4 晶元部件的無損分析方法 2 5 晶元部件的半破壞性分析 2 6 物理和化學分析方法 專欄：應該如何命名 第2章練習題 第2章縮略語表 第2章參考文獻 第3章 功率器件的缺陷及失效分析技術 3 1 功率器件的結構和製造工藝 3 2 由晶圓製造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術 專欄：晶圓背面狀態對工藝的影響 3 3 由晶元製造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術 專欄：鹼金屬的加速氧化 3 4 由模塊製造工藝引起的設備缺陷及失效分析技術 3 5 功率器件的其他分析技術 專欄：增大用於功率器件的晶圓直徑 第3章練習題 第3章參考文獻 第4章 化合物半導體發光器件的缺陷及失效分析技術 4 1 化合物半導體發光器件的工作原理和結構 4 2 化合物半導體發光器件的可靠性（以半導體激光器為例） 4 3 化合物半導體發光器件的可靠性測試 4 4 化合物半導體發光器件缺陷及失效分析的基本技術 4 5 化合物半導體發光器件缺陷及失效分析流程圖 專欄：高速增長的VCSEL市場，可靠性沒問題？不！ 第4章練習題 第4章縮略語表 第4章參考文獻 作者簡介 練習題答案 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
