半導體器件物理導論 向斌 9787312058035 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：中國科學技術大學
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| *數量非實際在台庫存 *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為實際資訊。 印行年月：202401*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：半導體器件物理導論 ISBN：9787312058035 出版社：中國科學技術大學 著編譯者：向斌 頁數：144 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1619561 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書主要介紹半導體器件基本原理相關內容，反映當今半導體器件在概念和性能等方面的最新進展，可以使讀者快速地了解當今主要半導體器件，如雙極、場效應、微波和光子器件的性能特點。內容包括：半導體基本知識、半導體pn結、金屬-半導體接觸、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、雙極晶體管、結型場效應晶體管、光器件、高壓功率器件、器件微納加工技術、半導體器件輻射效應。本書適合研究生和高年級本科生學習使用，也可以作為半導體科研人員的參考書。目錄 前言第1章 半導體基本知識 1 1 電子材料及其分類 1 2 半導體材料的特性 1 3 半導體能帶結構 1 4 載流子輸運 第2章 半導體pn結 2 1 熱平衡狀態 2 2 非平衡狀態 2 3 耗盡層電容 2 4 pn結直流特性 第3章 金屬-半導體接觸 3 1 功函數 3 2 肖特基接觸 3 3 歐姆接觸 3 4 肖特基勢壘二極體 3 5 表面態 3 6 金屬-半導體接觸能帶結構圖 第4章 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管 4 1 金屬-氧化物-半導體器件結構及能帶圖 4 2 耗盡層寬度 4 3 表面電荷濃度 4 4 功函數差 4 5 平帶電壓 4 6 閾值電壓 4 7 電容-電壓特性 4 8 MOSFET基本工作原理 4 9 跨導 4 10 頻率限制特性 4 11 亞閾值電導 4 12 溝道長度的調製 4 13 遷移率變化及速度飽和 4 14 彈道輸運 4 15 單電子晶體管 第5章 雙極晶體管 5 1 雙極晶體管的工作原理 5 2 雙極晶體管的工作模式 5 3 雙極晶體管的放大作用 5 4 雙極晶體管兩種擊穿機制 5 5 漂移晶體管 第6章 結型場效應晶體管 6 1 pn JFET的基本工作原理 6 2 MESFET的基本工作原理 6 3 pn JFET夾斷電壓 6 4 pn JFET I-V特性 6 5 pn JFET跨導 6 6 MESFET閾值電壓和I-V特性 第7章 光器件 7 1 光學吸收及其吸收係數 7 2 pn結太陽能電池 7 3 異質結太陽能電池 7 4 非晶態硅太陽能電池 7 5 光電導體 7 6 pn結光電二極體 7 7 PiN光電二極體 7 8 發光二極體 7 9 激光二極體 第8章 高壓功率器件 8 1 功率MOSFET 8 2 絕緣柵雙極型晶體管 8 3 碳化硅PiN二極體高壓器件 8 4 碳化硅PiN二極體微波器件 第9章 器件微納加工技術 9 1 光學曝光技術 9 2 電子束曝光技術 9 3 納米壓印技術 9 4 刻蝕技術 第10章 半導體器件輻射效應 10 1 器件輻射損傷 10 2 雙極晶體管輻射損傷基本現象 10 3 雙極晶體管輻射損傷基本機理 10 4 雙極晶體管結構加固基本措施 參考文獻 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
