半導體材料及器件輻射缺陷與表徵方法李興冀 9787576705447 【台灣高等教育出版社】

Name: 半導體材料及器件輻射缺陷與表徵方法 李興冀 9787576705447 【台灣高等教育出版社】
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書名：半導體材料及器件輻射缺陷與表徵方法
ISBN：9787576705447
出版社：哈爾濱工業大學
著編譯者：李興冀
頁數：401
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1619560
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內容簡介

空間輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結構密切相關。全書共分為4章，系統闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論、數值模擬方法、表徵技術及應用。本書可供從事航天技術研究的專業人員和相關應用領域的科技人員參考，也可作為高等院校航空宇航科學與技術、空間科學、材料物理和集成電路學科的研究生教材。

第1章半導體物理基礎
1 1 概述
1 2 半導體的晶體結構與價鍵模型
1 3 半導體能帶
1 4 熱平衡載流子
1 5 載流子輸運現象
1 6 非平衡載流子
1 7 缺陷對載流子輸運性質的影響
1 8 缺陷結構和性質的理論模擬
本章參考文獻
第2章半導體材料器件與原始缺陷
2 1 半導體材料概述
2 2 硅、鍺及其外延材料
2 3 化合物半導體材料
2 4 寬禁帶半導體材料
2 5 其他半導體材料
2 6 二極體
2 7 雙極型晶體管
2 8 MOS場效應晶體管
本章參考文獻
第3章輻射誘導缺陷
3 1 輻射物理基礎
3 2 原子位移
3 3 級聯損傷
3 4 輻射誘導缺陷模擬模擬
本章參考文獻
第4章缺陷表徵與分析方法
4 1 半導體材料參數測試
4 2 半導體器件參數測試
4 3 深能級瞬態譜測試
4 4 光致熒光譜測試
本章參考文獻
名詞索引
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