碳化硅器件工藝核心技術 康斯坦丁.澤肯特斯 康斯坦丁.瓦西列夫斯基 9787111741886 【台灣高等教育出版社】
圖書均為代購，正常情形下，訂後約兩周可抵台。
物品所在地：中國大陸
原出版社：機械工業
物品所在地：中國大陸
原出版社：機械工業
NT$1,202
商品編號:
供貨狀況:
尚有庫存
加入最愛
此商品 「 最高 」可以折抵紅利
0
點
(約等於 NT$0 )
商品介紹
| *數量非實際在台庫存 *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為實際資訊。 印行年月：202401*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：碳化硅器件工藝核心技術 ISBN：9787111741886 出版社：機械工業 著編譯者：康斯坦丁.澤肯特斯 康斯坦丁.瓦西列夫斯基 叢書名：半導體與集成電路關鍵技術叢書 頁數：411 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1610550 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書共9章，以碳化硅（SiC）器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質製備等關鍵工藝技術，以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結構的製造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻，以反映這些方面的最新成果和發展趨勢。 本書可作為理工科院校物理類專業、電子科學與技術專業以及材料科學等相關專業研究生的輔助教材和參考書，也可供相關領域的工程技術人員參考。作者簡介 康斯坦丁·澤肯特斯 希臘研究與技術基金會(FORTH)微電子研究小組(MRG)高級研究員，以及微電子電磁與光子等實驗室訪問研究員。他目前工作的內容是SiC相關技術，開發用於製作高功率/高頻器件以及SiC基一維器件。Zekentes博士擁有超過170篇期刊和會議論文以及1項美國專利。目錄 譯者序原書前言 第1章 碳化硅表面清洗和腐蝕 1 1 引言 1 2 SiC的濕法化學清洗 1 2 1 表面污染 1 2 2 RCA、Piranha和HF清洗 1 3 SiC的化學、電化學和熱腐蝕 1 3 1 化學腐蝕 1 3 2 電化學腐蝕 1 3 3 熱腐蝕 1 4 各種器件結構中SiC腐蝕的前景 1 4 1 用於白光LED的熒光SiC 1 4 2 褶皺鏡 1 4 3 用於生物醫學應用的多孔SiC膜 1 4 4 石墨烯納米帶 1 5 總結 參考文獻 第2章 碳化硅歐姆接觸工藝和表徵 2 1 引言 2 2 歐姆接觸：定義、原理和對半導體參數的依賴性 2 3 接觸電阻率測量的方法、極限和精度 2 3 1 TLM測量接觸電阻率 2 3 2 TLM約束 2 3 3 TLM精度 2 3 4 TLM測試結構設計和參數計算實例 2 4 n型SiC歐姆接觸製備 2 4 1 n型SiC的鎳基歐姆接觸 2 4 2 硅化鎳歐姆接觸的實用技巧和工藝兼容性 2 4 3 n型SiC的無鎳歐姆接觸 2 4 4 注入n型SiC歐姆接觸的形成 2 5 p型SiC的歐姆接觸 2 5 1 p型SiC的Al基和Al/Ti基接觸 2 5 2 製作p型SiC Al基和Al/Ti基接觸的實用技巧 2 5 3 p型SiC歐姆接觸的其他金屬化方案 2 5 4 重摻雜p型SiC歐姆接觸 2 6 歐姆接觸形成與SiC器件工藝的兼容性 2 6 1 背面歐姆接觸的激光退火 2 7 SiC歐姆接觸的保護和覆蓋 2 8 結論 參考文獻 第3章 碳化硅肖特基接觸：物理、技術和應用 3 1 引言 3 2 SiC肖特基接觸的基礎 3 2 1 肖特基勢壘的形成 3 2 2 肖特基勢壘高度的實驗測定 3 2 3 n型和p型SiC的肖特基勢壘 3 2 4 4H-SiC肖特基二極體的正反向特性 3 3 SiC肖特基勢壘的不均勻性 3 3 1 SBH不均勻性的實驗證據 3 3 2 非均勻肖特基接觸建模 3 3 3 肖特基勢壘納米級不均勻性的表徵 3 4 高壓SiC肖特基二極體技術 3 4 1 肖特基勢壘二極體（SBD） 3 4 2 結勢壘肖特基(JBS)二極體 3 4 3 導通電阻(RON)和擊穿電壓(VB)之間的折中 3 4 4 4H-SiC肖特基二極體的邊緣終端結構 3 4 5 SiC異質結二極體 3 5 SiC肖特基二極體應用示例 3 5 1 在電力電子領域的應用 3 5 2 溫度感測器 3 5 3 UV探測器 3 6 結論 參考文獻 第4章 碳化硅功率器件的現狀和前景 4 1 引言 4 2 材料和技術局限 4 2 1 襯底和外延層 4 3 器件類型和特性 4 3 1 橫向溝道JFET 4 3 2 垂直溝道JFET 4 3 3 雙極SiC器件和BJT 4 3 4 平面MOSFET（DMOSFET） 4 3 5 溝槽MOSFET 4 4 性能極限 4 4 1 溝道遷移率 4 4 2 溝槽MOSFET中的單元間距 4 5 材料和技術曲線 4 5 1 超結結構 4 5 2 使用其他WBG材料的垂直器件 4 6 系統優勢及應用 4 7 SiC電子學的挑戰 4 8 魯棒性和可靠性 4 8 1 表面電場控制 4 8 2 柵氧化層可靠性 4 8 3 閾值電壓穩定性 4 8 4 短路能力 4 8 5 功率循環 4 8 6 高溫和潮濕環境下的直流存儲 4 9 結論和預測 參考文獻 第5章 碳化硅發現、性能和技術的歷史概述 5 1 引言 5 2 SiC的發現 5 2 1 Acheson工藝 5 2 2 自然界中的SiC 5 3 SiC材料性能 5 3 1 SiC的化學鍵和晶體結構 5 3 2 SiC多型體的晶體結構和符號 5 3 3 SiC多型體的穩定性、轉化和丰度 5 3 4 SiC的化學物理性質 5 3 5 SiC的多型性和電性能 5 3 6 SiC作為高溫電子材料 5 3 7 SiC作為大功率電子材料 5 4 早期無線電技術中的SiC 5 5 SiC的電致發光 5 6 SiC變阻器 5 7 Lely晶圓 5 8 SiC體單晶生長 5 9 SiC外延生長 5 10 SiC電子工業的興起 5 10 1 Cree Research公司成立和第一款商用藍光LED 5 10 2 工業SiC晶圓生長 5 10 3 SiC電力電子的前提條件和需求 5 10 4 4H-SiC多型體作為電力電子材料 5 10 5 4H-SiC單極功率器件 5 10 6 4H-SiC功率雙極器件的發展 5 10 7 SiC車用電力電子器件的出現 5 11 結論 參考文獻 第6章 碳化硅器件中的電介質：技術與應用 6 1 引言 6 1 1 界面俘獲電荷效應及要求 6 1 2 近界面陷阱效應 6 1 3 SiC MOS界面的要求 6 2 SiC器件工藝中的電介質 6 2 1 SiC器件中的二氧化硅 6 2 2 SiC器件中的氮化硅 6 2 3 SiC器件中的高κ介質 6 3 SiC器件工藝中使用的介質沉積方法 6 3 1 SiC上電介質的等離子體增強化學氣相沉積 6 3 2 使用TEOS沉積氧化硅薄膜 6 3 3 SiC器件中柵介質的原子層沉積 6 3 4 SiC上沉積介質的緻密化 6 3 5 沉積方法小結 6 4 SiC熱氧化 6 4 1 SiC氧化速率和改進的Deal-Grove模型 6 4 2 SiC熱 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
