摻雜GAN納米線製備技術 崔真 吳輝 李恩玲著 9787502496401 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：冶金工業
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| *數量非實際在台庫存 *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為實際資訊。 印行年月：202310*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：摻雜GAN納米線製備技術 ISBN：9787502496401 出版社：冶金工業 著編譯者：崔真 吳輝 李恩玲著 頁數：158 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1606715 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書共分9章，主要內容包括各種元素摻雜GaN納米線的製備工藝與性能測試。對摻雜可以改善GaN納米線電學特性的原因進行了討論。另外，還介紹了AIN包覆GaN納米線的製備及表徵，分析了AIN包覆GaN納米線的形成機理。本書內容涉及物理、化學、材料和電子信息等多個領域的相關知識，書中詳細地給出了各種摻雜GaN納米線製備的最佳工藝，以便讀者更好地了解本書的內容。 本書可供電子科學與技術、微電子學與固體電子學、光電信息工程、物理學類本科生、研究生及相關領域工程技術人員閱讀。也可作為高等院校相關專業師生的教學參考書。目錄 1 緒論1 1 納米材料概述 1 2 GaN材料概述 1 2 1 物理性質 1 2 2 化學性質 1 2 3 電學性質 1 2 4 光學特性 1 3 GaN納米線的合成方法 1 3 1 分子束外延法 1 3 2 金屬有機化學氣相沉積法 1 3 3 氫化物輸運氣相外延生長法 1 3 4 模板限制生長法 1 3 5 激光燒蝕法 1 3 6 氧化物輔助生長法 1 3 7 化學氣相沉積法 1 3 8 溶膠-凝膠法 1 4 納米線的生長機制 1 4 1 氣-液-固機制 1 4 2 氣-固機制 1 4 3 GaN納米線表徵與性能測試方法 1 5 場發射理論 1 5 1 經典F-N理論 1 5 2 半導體場致電子發射 1 5 3 相關概念 參考文獻 2 P摻雜GaN納米線的製備及性能 2 1 實驗原料 2 2 襯底的處理 2 3 實驗步驟及形貌分析 2 3 1 基本實驗步驟 2 3 2 不同氨化溫度對P摻雜GaN納米線形貌的影響 2 3 3 不同氨化時間對P摻雜GaN納米線形貌的影響 2 3 4 不同氨氣流量對P摻雜GaN納米線形貌的影響 2 3 5 不同濃度P摻雜對GaN納米線形貌的影響 2 4 P摻雜GaN納米線的物相分析 2 4 1 純凈GaN納米線的物相分析 2 4 2 摻雜源比例為1：30的P摻雜GaN納米線的物相分析 2 4 3 摻雜質量比為1：20的P摻雜GaN納米線的物相分析 2 4 4 摻雜質量比為1：10的P摻雜GaN納米線的物相分析 2 5 P摻雜GaN納米線的性能 2 6 P摻雜GaN納米的生長機制分析 參考文獻 3 Te摻雜GaN納米線的製備及性能 3 1 實驗方法及設備 3 2 實驗過程 3 3 樣品的表徵與分析 3 3 1 樣品的表徵方法 3 3 2 GazOg和Te質量比對納米線的影響 3 3 3 反應溫度對納米線的影響 3 3 4 Te摻雜GaN納米線的Raman分析 3 4 Te摻雜GaN納米線的性能 參考文獻 4 Sn摻雜GaN納米線的製備及性能 4 1 實驗方案 4 1 1 製備方法 4 1 2 實驗藥品的選擇 4 2 實驗設備 4 3 實驗過程 4 4 結果與討論 4 4 1 氨化溫度對Sn摻雜GaN納米線的影響 4 4 2 氨氣流量對Sn摻雜GaN納米線的影響 4 4 3 氨化時間對Sn摻雜GaN納米線的影響 4 4 4 Sn摻雜濃度對GaN納米線材料的影響 4 4 5 Sn摻雜GaN納米線的XRD表徵 4 4 6 Sn摻雜GaN納米線的EDX表徵 4 5 Sn摻雜GaN納米線生長機制分析 4 5 1 氣-液-固生長機制 4 5 2 Sn摻雜GaN納米線的生長機制分析 4 6 Sn摻雜GaN納米線的性能 參考文獻 5 Ge摻雜GaN納米線的製備及性能 5 1 製備方法 5 2 表徵方法 5 3 實驗過程 5 3 1 實驗原料與主要設備 5 3 2 Ge摻雜GaN納米線的製備 5 4 不同濃度Ge摻雜GaN納米線的製備及性能 5 4 1 樣品製備 5 4 2 SEM表徵 5 4 3 EDS表徵 5 4 4 XRD表徵 5 4 5 TEM表徵 5 5 六稜錐狀Ge摻雜GaN納米線的製備及性能 5 5 1 樣品製備 5 5 2 SEM表徵 5 5 3 EDS表徵 5 5 4 XRD表徵 5 5 5 生長機理分析 參考文獻 6 Sb摻雜GaN納米線的製備及性能 6 1 實驗儀器 6 2 實驗方法和藥品試劑 6 2 1 實驗方法 6 2 2 藥品試劑 6 3 樣品表徵方法 6 4 樣品製備及形貌分析 6 4 1 氨化溫度對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響 6 4 2 氨化時間對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響 6 4 3 氨氣流量對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響 6 4 4 摻雜質量比對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響 6 5 不同摻雜質量比的Sb摻雜GaN納米線物相分析 6 5 1 不同摻雜質量比的Sb摻雜GaN納米線XRD分析 6 5 2 不同摻雜質量比的Sb摻雜GaN納米線EDS分析 6 6 Sb摻雜GaN納米線的生長機制分析 參考文獻 7 C-Sn共摻GaN納米線的製備及性能 7 1 實驗方法及設備試劑 7 1 1 實驗方法 7 1 2 實驗設備及實驗藥品試劑 7 2 襯底的選擇 7 3 實驗步驟及形貌分析 7 3 1 實驗步驟 7 3 2 氨化溫度對C-Sn共摻GaN納米線形貌的影響 7 3 3 不同濃度C-Sn共摻對GaN納米線形貌的影響 7 3 4 摻雜比為1：1：15時氨化時間和氣流量對納米線形貌的影響 7 3 5 摻雜比為1：1：20時氨化時間和氣流量對納米線形貌的影響 7 4 C-Sn共摻GaN納米線的EDS表徵 7 5 C-Sn共摻GaN納米線的XRD表徵 參考文獻 8 Se-Te共摻GaN納米線的製備及性能 8 1 Se-Te共摻GaN納米線的製備 8 2 實驗結果與分析 8 2 1 不同氨化溫度對Se-Te共摻GaN納米線形貌的影響 8 2 2 不同氨氣流量對Se-Te共摻GaN納米線形貌的影響 8 2 3 不同氨化時間對Se-Te共摻GaN納米線形貌的影響 8 2 4 摻雜濃度對Se-Te共摻GaN納米線形貌的影響 8 3 Se-Te共摻GaN納米線的物相分析 8 3 1 純凈GaN納米線的物相分析 8 3 2 摻雜比例為20：1：1的GaN納 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
