氮化鎵微波功率器件馬曉華鄭雪峰張進成 9787560668451 【台灣高等教育出版社】

Name: 氮化鎵微波功率器件 馬曉華 鄭雪峰 張進成 9787560668451 【台灣高等教育出版社】
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書名：氮化鎵微波功率器件
ISBN：9787560668451
出版社：西安電子科技大學
著編譯者：馬曉華鄭雪峰張進成
叢書名：寬禁帶半導體前沿叢書
頁數：252
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1606864
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內容簡介

氮化鎵微波功率器件出現至今，無論是其關鍵技術還是工程應用均取得了快速發展，目前已在新一代移動通信、新型雷達等領域獲得了廣泛應用。為了推動氮化鎵知識的普及，促進讀者對氮化鎵技術的了解，作者結合研究團隊多年的研究及技術實踐編撰了此書。本書共6章，包括緒論、氮化物材料MOCVD生長技術、氮化鎵微波功率器件技術、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模、新型氮化鎵微波功率器件。本書可作為微電子器件領域學生的專業教材，也可作為相關領域研究生及從業人員的參考資料。

第1章緒論
1 1 背景
1 2 氮化鎵材料研究進展
1 3 氮化鎵微波功率器件研究進展
1 4 氮化鎵微波功率器件可靠性進展
參考文獻
第2章氮化物材料MOCVD生長技術
2 1 GaN材料基本特性及MOCVD生長技術
2 1 1 GaN材料的基本特性
2 1 2 MOCVD方法生長GaN簡介
2 2 磁控濺射AlN基板生長GaN薄膜技術
2 2 1 磁控濺射AlN特性簡介
2 2 2 磁控濺射AlN基板上GaN材料生長及表徵
2 2 3 磁控濺射AlN基板位錯抑制機理分析
2 3 微納球掩膜部分接觸式橫向外延過生長技術
2 3 1 部分接觸式橫向外延過生長簡介
2 3 2 微納球掩膜技術外延薄膜材料表徵
2 3 3 微納球掩膜技術外延機理分析
2 4 斜切襯底上N面GaN材料生長技術
2 4 1 N面GaN材料簡介
2 4 2 斜切襯底上N面GaN材料生長
2 4 3 斜切襯底上N面GaN材料位錯湮滅機理分析
2 5 InGaN溝道異質結
2 5 1 InGaN溝道異質結特性簡介
2 5 2 InGaN溝道異質結基本特性表徵
2 5 3 InGaN溝道異質結電學特性分析
參考文獻
第3章氮化鎵微波功率器件技術
3 1 器件的直流參數及測量
3 2 氮化鎵基器件製備工藝
3 2 1 新材料表面鏡檢與清洗
3 2 2 標記金屬製備
3 2 3 歐姆金屬製備
3 2 4 器件有源區隔離
3 2 5 表面鈍化
3 2 6 柵下鈍化層去除以及勢壘層處理
3 2 7 柵下絕緣介質生長
3 2 8 肖特基柵金屬製備
3 2 9 表面二次鈍化與互連金屬布線
3 3 微波大功率器件
3 3 1 微波大功率器件研究進展
3 3 2 微波功率器件工作電壓提升技術
3 4 毫米波器件
3 4 1 毫米波器件研究背景及發展歷程
3 4 2 毫米波器件柵結構研究
3 4 3 毫米波器件短溝道效應研究
3 5 熱分析與熱設計
3 5 1 AlGaN/GaNHEMT器件熱生成機制
3 5 2 AlGaN/GaNHEMT三維有限元熱模擬
參考文獻
第4章微波功率器件新型工藝
4 1 刻蝕形貌控制技術
4 1 1 刻蝕技術與設備
4 1 2 刻蝕形貌控制
4 2 界面等離子體處理技術
4 2 1 氧氣等離子體處理
4 2 2 N2O等離子體處理
4 3 新型表面鈍化技術
4 3 1 新型SiN鈍化技術
4 3 2 原子層沉積表面鈍化層
4 4 圖形化歐姆接觸技術
4 4 1 圖形化歐姆接觸原理
4 4 2 常規圖形化刻蝕工藝
4 4 3 圖形化刻蝕工藝的改進
參考文獻
第5章微波功率器件建模
5 1 典型微波參數及物理意義
5 2 小信號建模
5 2 1 GaNHEMT小信號模型建立
5 2 2 寄生參數提取
5 2 3 本徵參數提取
5 3 大信號建模
5 3 1 常用的大信號模型
5 3 2 Angelov模型的建立
5 3 3 擬合結果
5 4 功率放大器的實現方法
5 4 1 高效率放大器工作模式
5 4 2 S波段高效率放大器電路設計
5 4 3 S波段高效率放大器的實現與測試
參考文獻
第6章新型氮化鎵微波功率器件
6 1 GaN基FinHEMT器件
6 1 1 GaN基FinHEMT器件的研究意義
6 1 2 GaN基FinHEMT器件的閾值電壓模型
6 1 3 結構參數對於AlGaN/GaNFinHEMT器件特性的影響
6 2 氮化鎵高線性器件
6 2 1 高線性器件研究背景
6 2 2 類FinHEMT高線性氮化鎵器件
6 3 全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件
6 3 1 全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件直流特性
6 3 2 全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件C-V特性及遷移率提取
6 3 3 退火對全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件特性的影響
6 4 類存儲型增強型器件
6 4 1 GaN基存儲型器件概述
6 4 2 類存儲型Al2O3/AlGaN/GaNMISHEMT器件製備
6 4 3 類存儲型Al2O3/AlGaN/GaNMISHEMT器件特性
6 4 4 電荷俘獲作用對類存儲型增強型器件的影響
6 4 5 類存儲型增強型器件的保持特性
6 5 鐵電介質柵增強型器件
6 5 1 鐵電薄膜的製備及特性
6 5 2 PZT/Al2O3/AlGaN/GaN增強型HEMT器件
6 5 3 鐵電薄膜轉移及氮化鎵增強型HEMT器件
參考文獻

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