半導體乾法刻蝕技術 (原書第2版) 野尻一男 9787111742029 【台灣高等教育出版社】

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物品所在地:中國大陸
原出版社:機械工業
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書名:半導體乾法刻蝕技術 (原書第2版)
ISBN:9787111742029
出版社:機械工業
著編譯者:野尻一男
叢書名:集成電路科學與工程叢書
頁數:161
所在地:中國大陸 *此為代購商品
書號:1603592
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內容簡介

本書是一本全面系統的干法刻蝕技術論著。針對干法刻蝕技術,在內容上涵蓋了從基礎知識到最新技術,使初學者能夠了解干法刻蝕的機理,而無需複雜的數值公式或方程。本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝,而且對每種材料的關鍵刻蝕參數、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋。本書討論了具體器件製造流程中涉及的干法刻蝕技術,介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產生機理,例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子迴旋共振等離子體和電感耦合型等離子體,並介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術。

作者簡介

許恆宇,研究員、博士生導師,曾任職于中國科學院微電子研究所。2006年本科畢業於四川大學微電子學專業,同年留學日本。長期致力於功率半導體器件的模擬設計、工藝開發整合和可靠性失效機理分析等工作,尤其在碳化硅等高壓大功率器件的產業化方面具有豐富的經驗。

目錄

譯者序
第2版前言
第1版前言
第1章 半導體集成電路的發展與干法刻蝕技術
1 1 干法刻蝕的概述
1 2 干法刻蝕的評價參數
1 3 干法刻蝕在LSI的高度集成中的作用
參考文獻
第2章 干法刻蝕的機理
2 1 等離子體基礎知識
2 1 1 什麼是等離子體
2 1 2 等離子體的物理量
2 1 3 等離子體中的碰撞反應過程
2 2 離子鞘層及離子在離子鞘層中的行為
2 2 1 離子鞘和Vdc
2 2 2 離子鞘層中的離子散射
2 3 刻蝕工藝的設置方法
2 3 1 干法刻蝕的反應過程
2 3 2 各向異性刻蝕的機理
2 3 3 側壁保護工藝
2 3 4 刻蝕速率
2 3 5 選擇比
2 3 6 總結
參考文獻
第3章 各種材料刻蝕
3 1 柵極刻蝕
3 1 1 多晶硅的柵極刻蝕
3 1 2 CD的晶圓面內均勻性控制
3 1 3 WSi2/多晶硅的柵極刻蝕
3 1 4 W/WN/多晶硅的柵極刻蝕
3 1 5 Si襯底刻蝕
3 2 SiO2刻蝕
3 2 1 SiO2刻蝕機理
3 2 2 SiO2刻蝕的關鍵參數
3 2 3 SAC刻蝕
3 2 4 側牆刻蝕
3 3 布線刻蝕
3 3 1 Al布線刻蝕
3 3 2 Al布線的防后腐蝕處理技術
3 3 3 其他布線材料的刻蝕
3 4 總結
參考文獻
第4章 干法刻蝕設備
4 1 干法刻蝕設備的歷史
4 2 桶式等離子體刻蝕機
4 3 CCP等離子體刻蝕機
4 4 磁控管RIE
4 5 ECR等離子體刻蝕機
4 6 ICP等離子體刻蝕機
4 7 干法刻蝕設備實例
4 8 靜電卡盤
4 8 1 靜電卡盤的種類及吸附原理
4 8 2 晶圓溫度控制的原理
參考文獻
第5章 干法刻蝕損傷
5 1 Si表面層引入的損傷
5 2 電荷積累損傷
5 2 1 電荷積累損傷的評估方法
5 2 2 產生電荷積累的機理
5 2 3 各種刻蝕設備的電荷積累評估及其降低方法
5 2 4 等離子體處理中柵氧化膜擊穿的機理
5 2 5 因圖形導致的柵氧化膜擊穿
5 2 6 溫度對柵氧化膜擊穿的影響
5 2 7 基於器件設計規則的電荷積累損傷對策
參考文獻
第6章 新的刻蝕技術
6 1 Cu大馬士革刻蝕
6 2 Low-k刻蝕
6 3 使用多孔Low-k的大馬士革布線
6 4 金屬柵極/High-k刻蝕
6 5 FinFET刻蝕
6 6 多重圖形化
6 6 1 SADP
6 6 2 SAQP
6 7 用於3D NAND/DRAM的高深寬比孔刻蝕技術
6 8 用於3D IC的刻蝕技術
參考文獻
第7章 原子層刻蝕(ALE)
7 1 ALE的原理
7 2 ALE的特性
7 2 1 Si、GaN和W的ALE工藝順序
7 2 2 自限性反應
7 2 3 去除步驟中EPC的離子能量依賴性
7 2 4 表面平坦度
7 3 ALE的協同效應
7 4 影響EPC和濺射閾值的參數
7 5 SiO2 ALE
7 6 總結
參考文獻
第8章 未來的挑戰和展望
8 1 干法刻蝕技術革新
8 2 今後的課題和展望
8 3 工程師的準備工作
參考文獻
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