寬禁帶半導體功率器件-材料,物理,設計及應用 賈揚.巴利加 9787111736936 【台灣高等教育出版社】
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物品所在地：中國大陸
原出版社：機械工業
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| *數量非實際在台庫存 *完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。 *本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為實際資訊。 印行年月：202401*若逾兩年請先於私訊洽詢存貨情況，謝謝。 台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。 書名：寬禁帶半導體功率器件-材料,物理,設計及應用 ISBN：9787111736936 出版社：機械工業 著編譯者：賈揚.巴利加 頁數：331 所在地：中國大陸 *此為代購商品 書號：1601585 可大量預訂，請先連絡。 內容簡介 本書系統地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應用中不同類型的器件結構，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設計、製造，以及智能功率集成中的技術細節。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅動設計，以及SiC和GaN功率器件的應用。最後對寬禁帶半導體功率器件的未來發展進行了展望。 本書適合從事第三代半導體SiC和GaN方面相關工作的工程師、科研人員和技術管理人員閱讀，也可以作為高等院校相關專業高年級本科生和研究生的教材和參考書。作者簡介 賈揚·巴利加（B Jayant Baliga），教授是國際公認的功率半導體器件領域的專家，發表了500多篇學術文章，擁有120項美國專利。他在IGBT概念、發展和商業化方面的工作得到了美國奧巴馬總統的認可，獲得了2011年美國國家技術創新獎章——這是美國政府授予工程師的最高榮譽，以及2014年IEEE榮譽勳章——電氣工程領域的最高榮譽。目錄 譯者序原書前言 第1章 引言 1 1 硅功率器件 1 2 硅功率器件的應用 1 3 碳化硅理想的比導通電阻 1 4 碳化硅功率整流器 1 5 硅功率MOSFET 1 6 碳化硅功率MOSFET 1 7 碳化硅功率結勢壘肖特基場效應晶體管（JBSFET） 1 8 碳化硅功率MOSFET高頻性能的改進 1 9 碳化硅雙向場效應晶體管 1 10 碳化硅功率器件的應用 1 11 氮化鎵功率器件 1 12 氮化鎵功率器件的應用 1 13 小結 參考文獻 第2章 碳化硅材料的特性 2 1 晶體和能帶結構 2 2 電學特性 2 2 1 雜質摻雜和載流子密度 2 2 2 遷移率 2 2 3 漂移速度 2 2 4 碰撞電離係數和臨界電場強度 2 3 其他物理特性 2 4 缺陷和載流子壽命 2 4 1 擴展缺陷 2 4 2 點缺陷 2 4 3 載流子壽命 參考文獻 第3章 氮化鎵及相關Ⅲ-Ⅴ型氮化物的物理特性 3 1 晶體結構和相關特性 3 2 極化電荷 3 3 用於氮化鎵外延生長的襯底 3 3 1 藍寶石襯底 3 3 2 碳化硅襯底 3 3 3 硅襯底 3 4 禁帶結構和相關特性 3 4 1 載流子的有效質量 3 4 2 有效態密度 3 5 傳輸特性 3 5 1 GaN/AlGaN結構中的2D遷移率 3 6 碰撞電離係數 3 7 氮化鎵中的缺陷 3 7 1 本徵點缺陷 3 7 2 其他缺陷 3 7 3 氮化鎵中的雜質 3 7 4 Ⅱ族雜質 3 7 5 Ⅳ族雜質 3 7 6 Ⅵ族雜質 3 7 7 深能級 3 8 小結 參考文獻 第4章 碳化硅功率器件設計與製造 4 1 引言 4 2 碳化硅二極體 4 2 1 導言 4 2 2 低導通態損耗的SiCJBS器件設計 4 2 3 SiCJBS器件的邊緣終端 4 2 4 更高耐用性的SiCJBS器件設計 4 2 5 SiCJBS和SiIGBT混合型模塊 4 2 6 pin二極體 4 2 7 雙極退化 4 2 8 小結 4 3 SiCMOSFET 4 3 1 引言 4 3 2 器件結構及其製造工藝 4 3 3 未來的SiCMOSFET結構 4 3 4 小結 4 4 SiCIGBT 4 4 1 引言 4 4 2 器件結構及其製造工藝 4 4 3 小結 參考文獻 第5章 氮化鎵智能功率器件和集成電路 5 1 引言 5 1 1 材料特性 5 1 2 外延和摻雜 5 1 3 極化和2DEG 5 1 4 MOS 5 1 5 功率器件應用 5 2 器件結構和設計 5 2 1 橫向結構 5 2 2 垂直結構 5 3 器件的集成工藝 5 3 1 橫向集成工藝 5 3 2 垂直集成工藝 5 4 器件性能 5 4 1 靜態特性 5 4 2 動態開關 5 4 3 魯棒性 5 4 4 應用中的器件選擇 5 5 商用器件示例 5 5 1 分立晶體管 5 5 2 混合晶體管 5 5 3 集成晶體管 5 6 單片集成 5 6 1 功率IC 5 6 2 光電IC 5 7 未來趨勢、可能性和挑戰 致謝 參考文獻 第6章 氮化鎵基氮化鎵功率器件設計和製造 6 1 引言 6 2 功率開關的要求 6 2 1 常關工作 6 2 2 高擊穿電壓 6 2 3 低導通電阻和高電流密度 6 2 4 高溫工作 6 3 襯底和外延層 6 4 氮化鎵襯底的可用性 6 5 垂直器件：電流孔徑垂直電子晶體管 6 6 氮化鎵垂直器件簡史 6 7 電流孔徑垂直電子晶體管及其關鍵組成部分的設計 6 8 孔徑中的摻雜(Nap)和孔徑長度(Lap) 6 9 漂移區厚度（tn-） 6 10 溝道厚度(tUID)和有效柵極長度（Lgo） 6 10 1 通過CBL 6 10 2 未調製的電子 6 10 3 通過柵極 6 11 電流阻斷層 6 11 1 關於摻雜與注入電流阻斷層的討論 6 12 溝槽電流孔徑垂直電子晶體管 6 13 金屬-氧化物半導體場效應晶體管 6 13 1 基於非再生長金屬-氧化物半導體場效應晶體管 6 13 2 基於再生長的金屬-氧化物半導體場效應晶體管（OGFET） 6 13 3 OGFET開關性能 6 14 氮化鎵高壓二極體 6 15 器件的邊緣終端、泄漏和有源區面積 6 16 小結 致謝 參考文獻 拓展閱讀 第7章 寬禁帶半導體功率器件的柵極驅動器 7 1 引言 7 2 低壓（LV）碳化硅器件的柵極驅動器（1200V和1700VSiCMOSFET和JFET） 7 2 1 引言 7 2 2 柵極驅動器的基本結構 7 2 3 LVSiCMOSFET的設計考慮 7 2 4 有源柵極驅動 7 2 5 1200V/1700V器件的柵極驅動器評估 7 2 6 1200V、100ASiCMOSFET的特性 7 2 7 1700VSiCMOSFET的表徵以及與1700VSiIGBT和1700VSiBIMOSFET的比較 7 2 8 1200V、45ASiCJFET模塊的表徵 7 2 9 商用柵極驅動器回顧 7 3 氮化鎵器件的柵極驅動器（最高650V） 7 3 1 GD規範和設計考慮、挑戰和實現 7 3 2 布局建議 7 3 3 氮化鎵四象限開關（FQS）的柵極驅動設計 7 3 4 商用柵極驅動器IC和趨勢 7 4 柵極驅動器的認證 7 4 1 控制MOSFET開啟/關斷的柵極驅動器操 詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於PChome商店街私訊告知ISBN或書號，我們即儘速上架。 |
