內容簡介
王中林研究組分別在2007年和2010年引入創立了壓電電子學和壓電光電子學的基本概念。當具有非中心對稱性的纖鋅礦結構材料(如氧化鋅、氮化鎵和氮化銦等)受到外加應力時,由於晶體中離子的極化而在材料內產生壓電電勢(亦稱壓電勢)。由於同時具有壓電和半導體特性,所以晶體中產生的壓電勢可顯著影響界面/結處的載流子傳輸。壓電電子學器件是利用壓電勢作為「門」電壓調節/控制接觸處或結區載流子傳輸過程的電子器件。壓電光電子學器件則利用了壓電勢來控制載流子的產生、分離、傳輸和/或複合過程,從而提高諸如光電探測器、太陽能電池和發光二極體等光電器件的性能。壓電電子學和壓電光電子學器件提供的功能是對傳統硅基互補金屬-氧化物-半導體(CMOS)技術的補充。壓電電子學和壓電光電子學器件與硅基技術的有效集成可望在人機介面、納米機器人的感測和驅動、智能化與個性化的電子簽名、智能微納機電系統、納米機器人和能源科學等領域提供獨特的應用。本書將介紹壓電電子學和壓電光電子學的基本理論、原理和器件。第2版相較第1版增加了壓電電子學量子器件、量子壓電基礎科學及與壓電電子學相關的撓曲電效應等內容。 本書是一部系統性強、深入淺出、圖文並茂的專業著作,可供相關領域的科研工作者參考使用,同時也可以用作高年級本科生和研究生專業課程的教科書。目錄
第2版前言