氮化鎵凹槽陽極器件理論與應用 張進成 9787030803894 【台灣高等教育出版社】

目錄

1章 緒論
1 1半導體肖特基二極管的發展
1 2平面型氮化鎵肖特基二極管存在的問題
1 3凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管的提出
1 3 1凹槽結構半導體器件的創新發展
1 3 2凹槽陽極GaN肖特基二極管的基本結構與原理參考文獻
2章 凹槽陽極 GaN肖特基結器件製備工藝
2 1凹槽陽極GaN肖特基二極管製備
2 2 AlGaN/GaN器件低漏電檯面隔離工程2 3 AlGaN/GaN器件低阻歐姆接觸
2 3 1凹槽結構低阻歐姆接觸
2 3 2 SiN插入層結構低阻歐姆接觸
2 4 AlGaN/GaN器件低損傷陽極凹槽刻蝕技術2 4 1低損傷GaN 幹法刻蝕技術
2 4 2低損傷GaN 濕法腐蝕技術
2 4 3濕法腐蝕凹槽陽極結構AlGaN/GaN SBD 特2 5 AlGaN/GaN器件陽極後退火工程
2 5 1平面陽極後退火對器件特的影響
2 5 2凹槽陽極後退火對器件特的影響
2 5 3陽極後退火處理對界面態的影響
2 5 4陽極後退火對器件肖特基結的影響機制2 6 AlGaN/GaN器件低界面態鈍化工程
2 6 1不同氧源對 Al，O，/GaN界面的影響
2 6 2不同表面處理對 Al，O;/GaN界面的影響2 7 AlGaN/GaN器件全域鈍化可靠提升技術2 7 1 LPCVD表面鈍化電流崩塌
2 7 2全域鈍化提升二極管長時可靠
參考文獻
3章 位錯免疫的凹槽陽極GaN肖特基結器件結構與特3 1凹槽陽極器件特殊工作機理與結構設計
3 1 1 Silvaco模型與參數
3 1 2凹槽陽對器件特的影響
3 1 3場板結構對器件耐壓的影響
3 2凹槽陽極結構的位錯免疫特
3 2 1不同襯底上AlGaN/GaN外延材料表徵
3 2 2平面和凹槽陽極結構AlGaN/GaN肖特基二極管特分析3 3場板結構對陽極勢壘高度及電容的影響
3 3 1鏡像力對陽極勢壘高度的影響
3 3 2凹槽陽極結構GaN肖特基二極管勢壘高度模型
3 3 3 GaN肖特基二極管勢壘高度調控模型的驗證
3 3 4場板介質及場板長度對陽極電容的影響
3 4凹槽陽極結構GaN肖特基結器件電流輸運機制
3 4 1凹槽陽極結構AlGaN/GaN SBD 變溫特
3 4 2凹槽陽極結構AlGaN/GaN SBD漏電機制
3 4 3凹槽陽極結構AlGaN/GaN SBD擊穿機制
參考文獻
4章 凹槽陽極GaN肖特基結開啟電壓調控方法
4 1金函數對陽極勢壘高度的影響
4 1 1凹槽側壁非極GaN表面原理計算
4 1 2金屬/GaN非極面界面電子結構研究
4 2不函數金屬陽極GaN肖特基結
4 2 1不函數金屬與GaN 材料肖特基勢壘分析
4 2 2不函數金屬陽極器件電學特
4 3函數金屬陽極GaN肖特基二極管
4 3 1鎢金屬陽極AlGaN/GaN肖特基二極管
4 3 2鉬金屬陽極AlGaN/GaN肖特基二極管
4 4凹槽陽極GaN MIS 准肖特基二極管
4 4 1 AlGaN/GaN MIS 准肖特基二極管基本特
4 4 2 AlGaN/GaN MIS 准肖特基二極管導通機制4 5雙陽極金屬低開啟電壓GaN肖特基二極管
參考文獻
8 3 GaN肖特基二極管整流芯片
8 3 1C波段整流MMIC 設計
8 3 2C波段整流MMIC 測試分析
8 4率GaN微波整流模塊
8 5基於GaN 二極管整流技術的微波無線能量傳輸技術
8 5 1 2 45GHz微波能量傳輸系統
8 5 2 5 8GHz微波能量傳輸系統
8 6微波限幅器概況
8 6 1微波限幅器的基本原理
8 6 2限幅器的主要技術指標
8 6 3限幅器主要指標測試方法
8 6 4微波限幅技術發展趨勢
8 7 GaN二極管檢波的率限幅電路
8 7 1率限幅電路設計、加工與組裝
8 7 2千瓦級半有源限幅電路
8 8全GaN肖特基限幅芯片
8 8 1肖特基限幅原理
8 8 2電路與版圖設計
8 8 3芯片流片
8 8 4芯片測試
參考文獻

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