碳化硅功率器件-特性.測試和應用技術 (第2版) 高遠 張岩 9787111778936 【台灣高等教育出版社】

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書名：碳化硅功率器件-特性.測試和應用技術 (第2版)
ISBN：9787111778936
出版社：機械工業
著編譯者：高遠 張岩
頁數：536
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1724358
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內容簡介

本書綜合了近幾年工業界的最新進展和學術界的最新研究成果，詳細介紹並討論了碳化硅功率器件的基本原理、發展現狀與趨勢、特性及測試方法、應用技術和各應用領域的方案。本書共分為12章，內容涵蓋功率半導體器件基礎，SiC二極體的主要特性，SiC MOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈衝測試技術，SiC器件的測試、分析和評估技術，高di/dt影響與應對——關斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應對——串擾，高dv/dt影響與應對——共模電流，共源極電感影響與應對，驅動電路，SiC器件的主要應用。 本書面向電力電子、新能源技術、功率半導體晶元和封裝等領域的廣大工程技術人員和科研工作者，可滿足從事功率半導體器件設計、封裝、測試、應用、生產的專業人士的知識和技術要求。

作者簡介

張岩，西安交通大學電氣學院副教授，博士生導師，2014年西安交通大學電氣工程博士畢業留校任教至今，2016-2017年于加拿大女王大學從事博士后訪問研究。主要研究方向為碳化硅器件測試及應用技術，高性能電力電子變換及其先進數字控制技術。主持國家自然科學基金2項、國家重點研發計劃子課題2項、省部級項目2項，博士后基金項目2項及校企合作項目20餘項。以第一作者/通信作者發表SCI/EI論文100餘篇；出版中（英）文專著各1部，參編《電氣工程師手冊（第4版）》；授杈國家發明專利20餘項。

目錄

電力電子新技術系列圖書序言
第2版前言
第1版前言
第1章 功率半導體器件基礎
1 1 功率半導體器件與電力電子
1 2 Si功率二極體
1 2 1 pn結
1 2 2 pin二極體
1 2 3 快恢復二極體
1 2 4 肖特基二極體
1 3 Si功率MOSFET
1 3 1 MOSFET的結構和工作原理
1 3 2 橫向雙擴散MOSFET
1 3 3 垂直雙擴散MOSFET
1 3 4 溝槽柵MOSFET
1 3 5 屏蔽柵MOSFET
1 3 6 超結MOSFET
1 4 Si IGBT
1 4 1 IGBT的結構和工作原理
1 4 2 PT-IGBT
1 4 3 NPT-IGBT
1 4 4 FS-IGBT
1 4 5 溝槽柵IGBT
1 5 SiC材料的物理特性
1 5 1 晶體結構
1 5 2 能帶和禁帶寬度
1 5 3 擊穿電場強度
1 5 4 雜質摻雜和本徵載流子濃度
1 5 5 載流子遷移率和飽和漂移速度
1 5 6 熱導率
1 6 SiC產業鏈概況
1 6 1 襯底
1 6 2 外延
1 6 3 晶元製造
1 6 4 封裝測試
1 6 5 系統應用
1 7 SiC二極體和SiC MOSFET的發展概況
1 7 1 商用SiC二極體的結構
1 7 2 商用SiC MOSFET的結構
1 8 SiC功率模塊的發展概況
1 8 1 SiC功率模塊的製造流程
1 8 2 SiC功率模塊的技術發展
1 8 3 SiC功率模塊的方案
參考文獻
延伸閱讀
第2章 SiC二極體的主要特性
2 1 最大值
2 1 1 反向電流和擊穿電壓
2 1 2 熱阻抗
2 1 3 耗散功率和正嚮導通電流
2 1 4 正向浪涌電流和i2t
2 2 靜態特性
2 2 1 導通電壓
2 2 2 結電容、結電荷和結電容能量
參考文獻
第3章 SiC MOSFET的主要特性
3 1 最大值
3 1 1 漏電流和擊穿電壓
3 1 2 耗散功率和漏極電流
3 1 3 安全工作域
3 2 靜態特性
3 2 1 傳遞特性和閾值電壓
3 2 2 輸出特性和導通電阻
3 2 3 體二極體和第三象限導通特性
3 3 動態特性
3 3 1 結電容
3 3 2 開關特性
3 3 3 柵電荷
3 4 極限特性
3 4 1 短路
3 4 2 雪崩
3 5 品質因數
3 6 功率器件損耗計算
3 6 1 損耗計算方法
3 6 2 模擬軟體
3 7 SiC MOSFET建模
3 7 1 SPICE模型基礎
3 7 2 建模方法
3 7 3 商用SiC MOSFET模型
3 7 4 SiC MOSFET建模的挑戰
參考文獻
延伸閱讀
第4章 SiC器件與Si器件特性對比
4 1 SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET
4 1 1 傳遞特性
4 1 2 輸出特性和導通電阻
4 1 3 C-V特性
4 1 4 開關特性
4 1 5 柵電荷
4 2 SiC MOSFET和Si IGBT
4 2 1 傳遞特性
4 2 2 輸出特性
4 2 3 C-V特性
4 2 4 開關特性
4 2 5 柵電荷
4 2 6 短路特性
4 3 SiC二極體和Si二極體
4 3 1 導通特性
4 3 2 反向恢復特性
延伸閱讀
第5章 雙脈衝測試技術
5 1 功率變換器換流模式
5 2 雙脈衝測試基礎
5 2 1 雙脈衝測試基本原理
5 2 2 雙脈衝測試參數設定
5 2 3 SiC器件的動態過程
5 2 4 雙脈衝測試平台
5 3 測量儀器
5 3 1 示波器
5 3 2 電壓和電流測量
5 3 3 測量柵-源極電壓VGS
5 3 4 測量漏-源極電壓VDS
5 3 5 測量漏-源極電流IDS
5 3 6 測量柵極電流IG
5 3 7 時間偏移
5 4 電壓測量點間寄生參數
5 4 1 寄生參數引入測量偏差的基本原理
5 4 2 寄生參數引入的測量偏差
5 4 3 測量偏差的補償方法
5 4 4 測量偏差的補償效果
5 5 動態過程測試結果評判
5 5 1 測量的準確度和重複性
5 5 2 動態過程測試的場景及結果的評判標準
5 6 動態特性測試設備
5 6 1 自建手動測試平台
5 6 2 實驗室測試設備
5 6 3 生產線測試設備
參考文獻
延伸閱讀
第6章 SiC器件的測試、分析和評估技術
6 1 參數測試的原理及挑戰
6 1 1 測試機
6 1 2 閾值電壓VGS(th)
6 1 3 柵極漏電流IGSS
6 1 4 擊穿電壓V(BR)DSS
6 1 5 漏極漏電流IDSS
6 1 6 導通電阻RDS(on)
6 1 7 跨導GFS
6 1 8 體二極體正向壓降VF
6 1 9 雪崩UIS
6 1 10 瞬態熱阻DVDS
6 1 11 結電容Ciss、Coss、Crss
6 1 12 柵極電阻RG
6 1 13 開關特性和柵電荷QG
6 2 量產測試
6 2 1 量產測試概況
6 2 2 CP測試
6 2 3 WLBI測試
6 2 4 KGD測試
6 2 5 PLBI測試
6 2 6 ACBI測試
6 2 7 FT測試
6 2 8 測試效率和成本評估
6 3 可靠性評估
6 3 1 可靠性標準
6 3 2 主要可靠性測試項目
6 4 失效分析
6 4 1 失效分析概述
6 4 2 鎖相熱成像
6 4 3 微光顯微鏡
6 4 4 激光誘導阻變
6 4 5
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