半導體存儲與系統 安德烈.雷達利 法比奧.佩利澤 等 9787111777366 【台灣高等教育出版社】

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書名：半導體存儲與系統
ISBN：9787111777366
出版社：機械工業
著編譯者：安德烈.雷達利 法比奧.佩利澤 等
頁數：279
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1724357
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內容簡介

本書提供了在各個工藝及系統層次的半導體存儲器現狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應用之後，本書重點介紹了各種主流技術，詳述了它們的現狀、挑戰和機遇，並特別關注了可微縮途徑。這些述及的技術包括靜態隨機存取存儲器（SRAM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）、非易失性存儲器（NVM）和NAND快閃記憶體。本書還提及了嵌入式存儲器以及儲存類內存（SCM）的各項必備條件和系統級需求。每一章都涵蓋了物理運行機制、製造技術和可微縮性的主要挑戰因素。最後，本書回顧了SCM的新興趨勢，主要關注基於相變的存儲技術的優勢和機遇。 本書可作為高等院校微電子學與固體電子學、電子科學與技術、集成電路科學與工程等專業的高年級本科生和研究生的教材和參考書，也可供半導體和微電子領域的從業人員參考。

作者簡介

法比奧·佩利澤（Fabio Pellizzer）於1996年在義大利帕多瓦大學獲得電子工程碩士學位，畢業論文課題是薄柵氧化物的表徵和可靠性。自2001年以來，他一直負責基於硫族化合物材料的相變存儲器的工藝開發。他在國際期刊和書籍上發表了70多篇論文，並多次受邀在國際會議上發表演講。他擁有200多項相變存儲器和硫族化合物材料方面的美國和歐洲授權專利（涉及工藝集成、算法和設計解決方案）。

目錄

譯者序
原書序
原書前言
致謝
第1章 半導體存儲器的歷史回顧
1 1 20世紀80年代初：先驅者
1 2 20世紀90年代：DRAM技術驅動因素
1 3 新世紀：NAND技術驅動因素
1 4 通用存儲器的夢想
1 5 3D集成時代
1 5 1 垂直3D DRAM面臨的挑戰
1 5 2 NAND技術中的垂直3D演化
1 5 3 3DxP技術
1 6 未來
參考文獻
第2章 存儲器在當今系統中的應用
2 1 系統的定義及多樣性
2 1 1 電子系統的定義
2 1 2 電子系統的多樣性
2 1 3 存儲器的作用
2 2 存儲層次結構
2 2 1 存儲分層的目的
2 2 2 本地內存
2 2 3 主內存
2 2 4 固態存儲
2 2 5 打破存儲層次結構
2 3 系統中存儲的架構及目的
2 3 1 實際應用中的存儲層次結構
2 3 2 本地內存的系統使用
2 3 3 主內存在系統上的應用
2 3 4 固態存儲在系統上的應用
2 4 小結
參考文獻
第3章 SRAM技術現狀及前景
3 1 引言
3 2 SRAM位單元微縮化的挑戰
3 2 1 6T SRAM位單元操作與分析
3 2 2 版圖和設計考慮
3 2 3 波動性和可靠性
3 3 在納米微縮節點的SRAM微縮化和性能提升
3 3 1 有源柵極上接觸（COAG）工藝
3 3 2 埋入式供電的SRAM
3 4 新器件環境下的SRAM
3 4 1 器件微縮到3nm之下的新架構
3 4 2 基於納米片的SRAM
3 4 3 基於叉片型的SRAM
3 4 4 基於CFET的SRAM
3 5 SRAM的混合集成
3 6 小結
參考文獻
第4章 DRAM電路及工藝技術
4 1 高帶寬和低功耗DRAM的發展趨勢
4 2 電路技術
4 2 1 核心電路
4 2 2 數據路徑
4 2 3 輸入/輸出
4 2 4 直流電源
4 3 DRAM工藝技術
4 3 1 單元結構
4 3 2 單元存取晶體管
4 3 3 單元電容器
4 4 封裝及模組
4 4 1 DRAM封裝歷史
4 4 2 模組
4 4 3 用於伺服器/PC DRAM的DIMM
4 4 4 用於移動式DRAM的堆疊封裝
4 4 5 HBM的堆疊封裝
參考文獻
第5章 NAND快閃記憶體技術現狀與展望
5 1 引言
5 2 NAND快閃記憶體基本原理
5 2 1 基本的存儲單元操作
5 2 2 NAND快閃記憶體陣列架構
5 2 3 NAND快閃記憶體陣列操作
5 2 4 多比特操作
5 2 5 NAND快閃記憶體可靠性
5 3 從2D NAND到3D NAND
5 3 1 垂直NAND陣列基礎
5 3 2 與2D NAND相比的性能和可靠性改進
5 3 3 3D NAND獨特的可靠性考慮因素
5 3 4 3D NAND陣列結構
5 3 5 3D NAND微縮
5 4 3D NAND快閃記憶體的新興應用
5 5 小結
參考文獻
第6章 嵌入式存儲解決方案：電荷存儲、阻性存儲和磁性存儲
6 1 引言
6 2 嵌入式非易失性存儲的演進（傳統存儲）
6 3 嵌入式非易失性存儲的革命（新型存儲）
6 3 1 嵌入式FRAM
6 3 2 嵌入式RRAM
6 4 嵌入式PCM
6 4 1 PCM單元的演變
6 4 2 汽車級ePCM
6 4 3 28nm工藝的FDSOI ePCM
6 5 嵌入式MRAM
6 5 1 MRAM單元演變
6 5 2 RAM類MRAM對比NVM類MRAM
6 5 3 嵌入式MRAM技術現狀
6 6 未來展望
6 6 1 MRAM
6 6 2 PCM
參考文獻
第7章 SCM在伺服器和大型系統中不斷演進的作用
7 1 引言
7 2 非易失性存儲器技術的現狀
7 2 1 前景光明的SCM技術
7 2 2 單比特成本上的考慮
7 2 3 SCM在內存-儲存層次結構中的定位
7 3 英特爾傲騰存儲器
7 4 SCM運用範例
7 4 1 作為數據儲存
7 4 2 用於儲存緩存
7 4 3 作為突發緩衝器
7 4 4 作為混合內存-儲存的子系統
7 4 5 作為持久性內存
7 5 利用SCMM的應用程序
7 5 1 存內資料庫
7 5 2 大型圖形應用程序
7 5 3 文件系統
7 6 服務介面
7 6 1 高級編程模型
7 7 對雲端的影響
7 7 1 雲端和基礎設施即服務（IaaS）
7 7 2 虛擬機佔用空間
7 7 3 單伺服器部署更多容器
7 7 4 網絡功能虛擬化（NFV）
7 7 5 分散式計算
7 8 未來前景
7 8 1 嵌入式SCM
7 8 2 存內計算
7 9 小結
參考文獻
第8章 3DXpoint技術基礎
8 1 分立PCM架構的歷史回顧
8 1 1 文獻綜述
8 1 2 PCM陣列操作
8 1 3 PCM性能和局限
8 1 4 PCM應用
8 2 3DXpoint技術：PCM低成本SCM解決方案
8 2 1 3DXpoint陣列操作
8 2 2 讀操作
8 2 3 編程操作
8 2 4 OTS與PCM的要求及材料特性
8 2 5 3DXpoint單元性能
8 3 3DXpoint未來發展
8 4 3DXpoint系統
8 4 1 3DXpoint產品：儲存和內存應用
8 5 小結
參考文獻
第9章 其他新型存儲器
9 1 引言
9 2 導電細絲阻變RAM
9 2 1 導電細絲阻變RAM概述
9 2 2 關鍵挑戰
9 3 用於超低功耗存儲器的
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