硅基氮化鎵外延材料與晶元 李國強 9787030809582 【台灣高等教育出版社】

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書名：硅基氮化鎵外延材料與晶元
ISBN：9787030809582
出版社：科學
著編譯者：李國強
頁數：263
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1718981
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內容簡介

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與晶元的研究意義，著重分析了GaN材料的性質和Si基GaN外延材料與晶元製備的發展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術難點及對應的生長技術調控手段。第3～7章依次介紹了Si基GaNLED材料與晶元、Si基GaN高電子遷移率晶體管、Si基GaN肖特基二極體、Si基GaN光電探測晶元和Si基GaN光電解水晶元的工作原理、技術瓶頸、製備工藝以及晶元性能調控技術，並介紹了上述各種Si基GaN晶元的應用與發展趨勢。第8章對Si基GaN集成晶元技術進行了闡述。 本書可用作高等學校半導體、微電子、光電子、材料科學與工程等學科專業的教輔用書；也可供上述相關領域，特別是Si基GaN材料及晶元領域的科研工作者及從業人員參考。

目錄

《半導體科學與技術叢書》出版說明
序
前言
第1章 Si基GaN材料與晶元的研究意義
1 1 半導體材料的分類
1 2 GaN的結構與性質
1 3 GaN製備的難點
1 4 Si基GaN材料與晶元
參考文獻
第2章 Si基GaN材料的外延生長
2 1 Si基GaN薄膜的外延生長
2 1 1 Si基GaN外延薄膜生長的科學技術難題
2 1 2 GaN薄膜生長的基本模型
2 1 3 橫向外延過生長
2 1 4 插入層技術
2 1 5 低溫生長技術
2 1 6 應力補償技術
2 2 零維GaN量子點的生長技術
2 2 1 Si基GaN量子點的優勢及生長難點
2 2 2 緩衝層生長技術
2 2 3 自組織生長技術
2 2 4 選區生長技術
2 3 一維GaN納米線的生長技術
2 3 1 一維GaN納米線的優勢及生長難點
2 3 2 催化劑輔助生長技術
2 3 3 掩模法選區生長技術
2 3 4 自組裝生長技術
2 4 二維GaN的生長技術
2 4 1 二維GaN的優勢及生長難點
2 4 2 石墨烯封裝的遷移增強技術
2 4 3 模板技術
2 4 4 表面限域生長技術
參考文獻
第3章 Si基GaN LED材料與晶元
3 1 引言
3 2 GaNLED晶元工作原理
3 3 Si基GaN LED材料的發展意義
3 3 1 Si基GaN LED的優勢
3 3 2 Si基GaN LED面臨的瓶頸
3 4 Si基GaN LED材料的生長與優化
3 4 1 V形坑調控技術
3 4 2 超晶格應力釋放層
3 4 3 InGaN/GaN多量子阱的優化
3 4 4 電子阻擋層
3 4 5 p 型GaN的設計
3 5 Si基大功率GaN LED晶元的製備工藝
3 5 1 各類結構性能對比
3 5 2 Si基GaN LED晶元的工藝流程
3 5 3 分割線電極技術
3 5 4 三維通孔電極技術
3 5 5 電流阻擋層
3 5 6 鏡面結構
3 5 7 金屬鍵合
3 5 8 激光剝離技術
3 5 9 表面粗化
3 6 Si基GaN LED晶元的應用及發展趨勢
3 6 1 照明及其發展趨勢
3 6 2 micro/mini-LED及全彩顯示
3 6 3 Si基紫外LED
3 6 4 可見光通信應用及其發展趨勢
參考文獻
第4章 Si基GaN高電子遷移率晶體管
4 1 引言
4 2 GaNHEMT晶元的工作原理及製備工藝
4 2 1 GaN異質結及其極化效應
4 2 2 GaNHEMT晶元的工作原理
4 2 3 GaNHEMT晶元的基本工藝技術
4 3 GaNHEMT晶元分類及應用
4 3 1 耗盡型GaN HEMT晶元
4 3 2 增強型GaN HEMT晶元
4 3 3 GaNHEMT晶元的性能參數
4 4 Si基GaN HEMT晶元性能提升技術
4 4 1 Si基GaN HEMT晶元性能提升面臨的難點
4 4 2 異質外延結構調控技術
4 4 3 Si基GaN HEMT晶元關鍵技術
4 5 Si基GaN HEMT晶元應用及發展趨勢
4 5 1 電力電子應用及其發展趨勢
4 5 2 射頻應用及其發展趨勢
參考文獻
第5章 Si基GaN肖特基二極體
5 1 引言
5 2 Si基GaN SBD的原理及性能參數
5 2 1 工作原理
5 2 2 性能參數
5 3 Si基GaN SBD晶元性能調控
5 3 1 Si基GaN SBD晶元的優勢及面臨的瓶頸
5 3 2 Si基GaN SBD晶元結構設計
5 3 3 Si基GaN SBD關鍵工藝
5 4 Si基GaN SBD的應用及發展趨勢
5 4 1 電源管理
5 4 2 射頻前端
5 4 3 發展趨勢
參考文獻
第6章 Si基GaN光電探測晶元
6 1 引言
6 2 Si基GaN光電探測晶元的工作原理及製備工藝
6 2 1 Si基GaN光電探測晶元的工作原理
6 2 2 Si基GaN光電探測晶元的性能參數
6 2 3 Si基GaN光電探測晶元的製備工藝
6 3 Si基GaN光電探測晶元性能調控技術
6 3 1 Si基GaN光電探測晶元面臨的瓶頸
6 3 2 局域表面等離激元共振技術
6 3 3 新型異質結技術
6 3 4 低維納米材料技術
6 4 Si基GaN光電探測晶元的應用
6 4 1 光通信
6 4 2 光學成像
參考文獻
第7章 Si基GaN光電解水晶元
7 1 引言
7 2 Si基GaN光電解水晶元的工作原理與結構參數
7 2 1 光電解水晶元的工作原理
7 2 2 Si基GaN光電解水晶元的結構
7 2 3 Si基GaN光電解水晶元的性能參數
7 3 Si基GaN光電解水晶元的發展意義
7 3 1 Si基GaN光電解水晶元的優勢
7 3 2 Si基GaN光電解水晶元面臨的瓶頸
7 4 Si基GaN光電解水晶元的製備及性能
7 4 1 Si基GaN光電解水晶元的製備工藝
7 4 2 低失配外延技術
7 4 3 摻雜工程
7 4 4 異質結工程
7 4 5 表面改性技術
7 5 Si基GaN光電解水晶元的應用
7 5 1 污染物分解
7 5 2 海水電解
7 5 3 PV-PEC耦合
參考文獻
第8章 Si基GaN集成晶元
8 1 引言
8 2 Si基GaN集成晶元工作原理及工藝
8 3 Si基GaN集成晶元的優勢及應用
8 3 1 Si基GaN數字晶元
8 3 2 Si基GaN模擬晶元
8 4 Si基GaN集成晶元的發展趨勢
參考文獻
《半導體科學與技術叢
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