電子器件輻射效應模擬技術 丁李利 陳偉 王坦 9787030805010 【台灣高等教育出版社】

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書名：電子器件輻射效應模擬技術
ISBN：9787030805010
出版社：科學
著編譯者：丁李利 陳偉 王坦
頁數：184
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1718980
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內容簡介

輻射效應指的是輻射與物質相互作用產生的現象。為揭示電子器件中的輻射效應機理規律，探尋有效的抗輻射加固手段，科研工作者將輻射效應模擬視作一種有用的研究方法。本書主要介紹總劑量效應模擬技術、單粒子效應模擬技術、位移損傷模擬技術、瞬時劑量率效應模擬技術、輻射效應模擬軟體等內容，給出粒子輸運模擬、器件級模擬、電路級模擬等不同層級模擬手段在輻射效應研究中的應用案例。 本書可作為輻射效應領域的參考用書，可供從事輻射物理、電子器件輻射效應與抗輻射加固技術研究的相關人員參考閱讀。

目錄

叢書序
前言
第1章 緒論
1 1 輻射環境與效應
1 1 1 空間輻射環境與效應
1 1 2 核輻射環境與效應
1 2 輻射效應評估手段
1 2 1 輻射效應試驗
1 2 2 輻射效應模擬
1 3 輻射效應模擬技術
1 4 小結
參考文獻
第2章 總劑量效應模擬技術
2 1 總劑量效應物理過程
2 2 總劑量效應器件級模擬
2 2 1 總劑量效應器件級模擬基本流程
2 2 2 小尺寸器件總劑量效應作用機制研究
2 2 3 總劑量效應對單管獨立性的影響研究
2 2 4 輻照偏置對總劑量效應敏感性的影響研究
2 3 總劑量效應電路級模擬
2 3 1 總劑量效應電路級模擬基本流程
2 3 2 基準源電路總劑量效應研究
2 3 3 SRAM型FPGA總劑量效應研究
2 4 小結
參考文獻
第3章 單粒子效應模擬技術
3 1 單粒子效應物理過程
3 2 單粒子效應粒子輸運模擬
3 2 1 單粒子效應粒子輸運模擬基本流程
3 2 2 重離子核反應對SRAM器件SEU截面的影響研究
3 2 3 不同種類粒子引發的單粒子效應敏感性差異研究
3 3 單粒子效應器件級模擬
3 3 1 單粒子效應器件級模擬基本流程
3 3 2 有源區形狀尺寸變化對單粒子效應敏感性的影響研究
3 3 3 單粒子柵穿隨工藝尺寸減小的趨勢性變化研究
3 3 4 累積輻照對單粒子翻轉敏感性的影響研究
3 4 單粒子效應電路級模擬
3 4 1 單粒子效應電路級模擬基本流程
3 4 2 驅動能力對標準單元單粒子效應敏感性的影響研究
3 4 3 版圖結構對標準單元單粒子效應敏感性的影響研究
3 4 4 重離子斜入射對標準單元單粒子效應敏感性的影響研究
3 5 單粒子效應系統級模擬
3 5 1 單粒子效應系統級模擬基本思路
3 5 2 SRAM型FPGA單粒子功能中斷截面評價
3 6 小結
參考文獻
第4章 位移損傷模擬技術
4 1 位移損傷物理過程
4 2 位移損傷多尺度模擬方法
4 2 1 輻照誘發缺陷計算
4 2 2 缺陷演化和遷移研究
4 3 位移損傷粒子輸運模擬
4 3 1 不同源引發的位移損傷差異研究
4 3 2 CMOS 圖像感測器位移損傷研究
4 4 位移損傷器件級模擬
4 4 1 位移損傷器件級模擬基本流程
4 4 2 位移損傷誘發雙極晶體管性能退化研究
4 4 3 位移損傷誘發CMOS 圖像感測器性能退化研究
4 5 位移損傷電路級模擬
4 5 1 位移損傷電路級模擬基本流程
4 5 2 利用電路級模擬計算模擬電路位移損傷敏感性
4 6 小結
參考文獻
第5章 瞬時劑量率效應模擬技術
5 1 瞬時劑量率效應物理過程
5 2 瞬時劑量率效應器件級模擬
5 2 1 瞬時劑量率效應器件級模擬基本流程
5 2 2 瞬時劑量率效應加固方法有效性驗證
5 2 3 累積劑量影響瞬時劑量率效應的物理機制研究
5 3 瞬時劑量率效應電路級模擬
5 3 1 瞬時劑量率效應電路級模擬基本流程
5 3 2 典型數字電路瞬時劑量率效應敏感性計算
5 3 3 典型模擬電路瞬時劑量率效應敏感性計算
5 4 瞬時劑量率效應路軌塌陷現象模擬
5 5 小結
參考文獻
第6章 輻射效應模擬軟體
6 1 輻射效應模擬相關的商用軟體
6 1 1 Space Radiation軟體
6 1 2 Geant4軟體
6 1 3 TCAD軟體
6 1 4 LAMMPS軟體
6 2 國外自研輻射效應模擬軟體
6 3 國內自研輻射效應模擬軟體
6 4 小結
參考文獻
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