電子元器件可靠性 王守國 9787111777083 【台灣高等教育出版社】

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書名：電子元器件可靠性
ISBN：9787111777083
出版社：機械工業
著編譯者：王守國
頁數：326
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1718979
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內容簡介

電子元器件是電子電路和設備的組成基礎，其良好的性能參數和可靠性決定高層系統的功能實現及穩定工作。電子元器件工程種類繁多，是一項包含研發、生產、使用的複雜工程。 本書從可靠性科學的發展入手，引出可靠性的概念，然後詳細討論可靠性數學、可靠性試驗等內容，由失效分析引出電子元器件的可靠性物理，接下來重點論述電子元器件工程的內容和電子元器件在電路中的可靠性應用兩大部分，然後講述可靠性管理，最後給出目前可靠性應用的實例。 本書的理論內容立足於專業基礎，包括半導體物理、理論物理等，並結合數理統計等數學工具，能夠為從事電子元器件可靠性相關工作的科研人員提供參考；本書的應用部分，兼具實用性強和時效性強的特點，立足於目前電子元器件市場，圖文並茂，使讀者了解電子元器件的種類、使用特點和可靠性應用等內容，並學會如何安全可靠地使用電子元器件；本書是高等院校電子信息類專業的教材，也可為從事電路設計、電器維修和電子元器件銷售等工作的工程行業從業人員提供幫助。

目錄

前言
第1章 概述
1 1 可靠性發展
1 1 1 國外可靠性發展
1 1 2 我國可靠性發展
1 1 3 可靠性發展的階段
1 2 質量觀與可靠性概念
1 2 1 當代質量觀
1 2 2 可靠性的定義
1 2 3 經濟性和安全性
1 3 可靠性工作的內容
1 3 1 元器件工程
1 3 2 可靠性工作內容
1 3 3 可靠性數學
1 3 4 可靠性物理
1 3 5 可靠性工程
1 3 6 可靠性設計和可靠性預計
1 3 7 可靠性試驗
1 3 8 教育交流
習題
第2章 可靠性數學
2 1 可靠性數學的重要性
2 1 1 可靠性問題的複雜化
2 1 2 電子元器件失效的概率性
2 2 可靠性數據的收集
2 3 可靠性基本術語和主要特徵量
2 3 1 可靠度R或可靠度函數R(t)
2 3 2 失效概率或累積失效概率F(t)
2 3 3 失效率與瞬時失效率λ(t)
2 3 4 失效密度或失效密度函數f(t)
2 3 5 壽命
2 3 6 總結
2 4 電子元器件的失效規律
2 4 1 浴盆曲線
2 4 2 早期失效期
2 4 3 偶然失效期
2 4 4 耗損失效期
2 5 威布爾分佈及其概率紙的結構和用法
2 5 1 威布爾分佈函數
2 5 2 威布爾概率紙
2 5 3 威布爾概率紙的應用
2 6 指數分佈——偶然失效期的失效分佈
2 7 正態分佈或高斯分佈
2 7 1 正態分佈規律
2 7 2 失效率的狀態分佈
2 7 3 正態分佈概率紙
2 8 計算機威布爾概率紙的構造及軟體分析法
習題
第3章 可靠性試驗
3 1 可靠性試驗的意義
3 1 1 可靠性試驗的目的與內容
3 1 2 可靠性試驗的分類
3 1 3 用於可靠性試驗的失效判據
3 1 4 用於可靠性試驗的技術標準
3 2 抽樣理論及抽樣方法
3 2 1 抽樣檢驗的理論基礎
3 2 2 抽樣的特性曲線
3 2 3 抽樣方案及程序
3 3 可靠性篩選試驗
3 3 1 可靠性篩選的種類
3 3 2 篩選方法的評價
3 3 3 篩選方法的理論基礎
3 3 4 幾種常見可靠性篩選試驗的作用原理及條件
3 3 5 篩選項目及篩選應力的確定原則
3 3 6 篩選應力大小及篩選時間的確定
3 3 7 失效模式與篩選試驗方法的關係
3 3 8 幾種典型產品的可靠性篩選方案介紹
3 4 失效分佈類型的檢驗
3 4 1 分佈擬合流程
3 4 2 χ2檢驗法
3 4 3 K-S檢驗法
3 5 指數分佈情況的壽命試驗
3 5 1 試驗方案的確定
3 5 2 壽命試驗數據的統計分析——點估計和區間估計
3 6 恆定應力加速壽命試驗
3 6 1 加速壽命試驗的提出
3 6 2 加速壽命試驗的理論基礎
3 6 3 加速壽命試驗方案的考慮
3 6 4 加速壽命試驗的數據處理
3 6 5 加速係數的確定
3 7 電子元器件失效率鑒定試驗
3 7 1 置信度與失效率
3 7 2 試驗方案的要求
3 7 3 失效率試驗程序
習題
第4章 可靠性物理
4 1 失效物理的基礎概念
4 1 1 失效物理的目標和作用
4 1 2 材料的結構、應力和失效
4 2 失效物理模型和應用
4 2 1 失效物理模型
4 2 2 失效物理的應用
4 3 氧化層中的電荷
4 3 1 電荷的性質與來源
4 3 2 對可靠性的影響
4 3 3 降低氧化層電荷的措施
4 4 熱載流子效應
4 4 1 熱載流子效應對器件性能的影響
4 4 2 電荷泵技術
4 4 3 退化量的表徵
4 4 4 影響因素
4 4 5 改進措施
4 5 柵氧擊穿
4 5 1 擊穿情況
4 5 2 擊穿機理
4 5 3 擊穿的數學模型與模擬
4 5 4 薄柵氧化層與高場有關的物理/統計模型
4 5 5 改進措施
4 6 電遷移
4 6 1 電遷移原理
4 6 2 影響因素
4 6 3 失效模式
4 6 4 抗電遷移措施
4 6 5 鋁膜的再構
4 6 6 應力遷移
4 7 與鋁有關的界面效應
4 7 1 鋁與二氧化硅
4 7 2 鋁與硅
4 7 3 金與鋁
4 8 熱電效應
4 8 1 熱阻
4 8 2 熱應力
4 8 3 熱穩定因子
4 8 4 二次擊穿
4 9 CMOS電路的閂鎖效應
4 9 1 物理過程
4 9 2 檢測方法
4 9 3 抑制閂鎖效應的方法
4 10 靜電放電損傷
4 10 1 靜電的來源
4 10 2 損傷機理與部位
4 10 3 靜電損傷模式
4 10 4 靜電損傷模型及靜電損傷靈敏度
4 10 5 防護措施
4 11 輻射損傷
4 11 1 輻射來源
4 11 2 輻照效應
4 11 3 核電磁脈衝損傷
4 11 4 抗核加固
4 12 軟誤差
4 12 1 產生機理
4 12 2 臨界電荷
4 12 3 改進措施
4 13 水汽的危害
4 13 1 水汽的來源與作用
4 13 2 鋁布線的腐蝕
4 13 3 外引線的鏽蝕
4 13 4 電特性退化
4 13 5 改進措施
4 14 失效分析方法
4 14 1 失效
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