晶圓級應變SOI技術 戴顯英 苗東銘 荊熠博 9787560674063 【台灣高等教育出版社】

*完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。
*本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。
印行年月：202501*若逾兩年請先於客服中心或Line洽詢存貨情況，謝謝。
台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。
書名：晶圓級應變SOI技術
ISBN：9787560674063
出版社：西安電子科技大學
著編譯者：戴顯英 苗東銘 荊熠博
頁數：150
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1713940
可大量預訂，請先連絡。

內容簡介
進入21世紀以來， 應變硅和SOI(Silicon-On-Insulator， 絕緣體上硅)被公認為是深亞微米和納米工藝制程維持摩爾定律(Moore’s Law)和後摩爾定律的兩大關鍵技術， 也被稱為21世紀的硅集成電路技術。
本書共分7章， 主要介紹SOI芯片製備技術、SOI芯片材料力學特性與結構特性、機械致芯片級單軸應變SOI技術、高應力氮化硅薄膜致芯片級應變SOI技術及其相關效應、高應力氮化硅薄膜致芯片級應變SOI芯片製備、芯片級應變SOI應變模型、芯片級應變SOI應力分佈的有限元計算。
本書主要面向硅基應變半導體理論與技術領域的研究者， 同時也可作為本科微電子科學與工程專業和研究生微電子學與固體電子學專業相關課程的教學參考書。

詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於客服中心或Line或本社留言板留言，我們即儘速上架。

大陸簡體正版圖書，訂購後正常情形下約兩周可抵台。