NAND閃存技術 有留誠一 9787111773481 【台灣高等教育出版社】

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書名：NAND閃存技術
ISBN：9787111773481
出版社：機械工業
著編譯者：有留誠一
頁數：328
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1713780
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編輯推薦

NAND快閃記憶體是半導體非易失性存儲器，其應用十分廣泛，主要用於智能手機、固態硬碟（SSD）、數據中心等領域，並且在平板電腦、U盤、數碼相機、MP3播放器、遊戲機、汽車電子等各種消費電子和嵌入式設備中也有廣泛應用，隨著人工智能和DeepSeek等大模型的推動，對快閃記憶體的需求有望進一步爆發。本書作者是NAND快閃記憶體發明團隊的核心成員，擁有超過27年的快閃記憶體開發經驗，並且本書還得到了快閃記憶體之父Fujio Masuoka博士親自作序推薦。《NAND快閃記憶體技術》這本書討論了基本和先進的NAND快閃記憶體技術，包括NAND快閃記憶體的原理、存儲單元技術、多比特位單元技術、存儲單元的微縮挑戰、可靠性和作為未來技術的3D單元。《NAND快閃記憶體技術》這本書不僅把NAND快閃記憶體技術從開始出現到發展成熟的過程梳理得很清楚，還深入分析了底層原理、最新的技術突破，以及未來的發展趨勢。不管是剛接觸NAND快閃記憶體技術的新手，還是在這個行業鑽研多年的資深人士，都能從這本書里學到新知識，得到新啟發。

內容簡介

本書討論了基本和先進的NAND快閃記憶體技術，包括NAND快閃記憶體的原理、存儲單元技術、多比特位單元技術、存儲單元的微縮挑戰、可靠性和作為未來技術的3D單元。第1章描述了NAND快閃記憶體的背景和早期歷史。第2章描述了器件的基本結構和操作。接下來，第3章討論了以微縮為重點的存儲單元技術，並且第4章介紹了多電平存儲單元的先進操作。第5章討論了微縮的物理限制。第6章描述了NAND快閃記憶體的可靠性。第7章研究了3D NAND快閃記憶體單元，並討論了結構、工藝、操作、可擴展性和性能方面的優缺點。第8章討論了3D NAND快閃記憶體面臨的挑戰。最後，第9章總結並描述了未來NAND快閃記憶體的技術和市場前景。 本書適合從事NAND快閃記憶體或SSD（固態硬碟）和快閃記憶體系統開發的工程師、研究人員和設計人員閱讀，也可供高等院校集成電路、微電子、電子技術等專業的師生參考。

作者簡介

有留誠一（Seiichi Aritome）從2009年到2014年擔任韓國利川市SK海力士公司的高級研究員。他在多個國家的多家公司為NAND快閃記憶體技術做出了超過27年的貢獻。他曾在中國台灣省的力晶半導體公司擔任項目主管，在美國愛達荷州的美光科技公司擔任高級工藝可靠性工程師，在日本川崎市的東芝公司擔任首席專家。他畢業於日本廣島大學高等物質科學研究生院，獲博士學位。他是IEEE會士（Fellow）和IEEE電子器件學會（Electron Device Society）的成員。

目錄

譯者序
原書序
原書前言
致謝

第1章 引言
1 1 背景
1 2 概述
參考文獻
第2章 NAND快閃記憶體原理
2 1 NAND快閃記憶體器件與結構
2 1 1 NAND快閃記憶體單元結構
2 1 2 外圍器件
2 2 單元操作
2 2 1 讀操作
2 2 2 編程和擦除操作
2 2 3 編程和擦除的動力學過程
2 2 4 編程升壓操作
2 3 多電平單元（MLC）
2 3 1 單元閾值電壓設置
參考文獻
第3章 NAND快閃記憶體器件
3 1 引言
3 2 LOCOS單元
3 2 1 常規LOCOS單元
3 2 2 先進LOCOS單元
3 2 3 隔離技術
3 2 4 可靠性
3 3 帶浮柵翼的自對準STI單元
3 3 1 自對準STI單元結構
3 3 2 製備工藝流程
3 3 3 帶浮柵翼的自對準STI單元的特性
3 3 4 外圍器件特性
3 4 無浮柵翼的自對準STI單元
3 4 1 自對準STI單元結構
3 4 2 製備工藝流程
3 4 3 STI技術
3 4 4 自對準STI單元的特性
3 5 平面浮柵單元
3 5 1 結構優勢
3 5 2 電學特性
3 6 側壁傳輸晶體管（SWATT）單元
3 6 1 SWATT單元概念
3 6 2 製備工藝
3 6 3 電學特性
3 7 NAND快閃記憶體的先進技術
3 7 1 虛擬字線
3 7 2 p型浮柵
參考文獻
第4章 多電平單元的先進操作
4 1 引言
4 2 緊湊Vth分佈寬度的編程操作
4 2 1 單元Vth設置
4 2 2 增量步進脈衝編程（ISPP）
4 2 3 逐位驗證操作
4 2 4 兩步驗證方案
4 2 5 頁編程中的偽通過方案
4 3 頁編程序列
4 3 1 原始頁編程方案
4 3 2 新的頁編程方案（一）
4 3 3 新的頁編程方案（二）
4 3 4 全位線（ABL）架構
4 4 TLC（3比特位/單元）
4 5 QLC（4比特位/單元）
4 6 三電平（1 5比特位/單元）NAND快閃記憶體
4 7 移動讀算法
參考文獻
第5章 NAND快閃記憶體單元微縮面臨的挑戰
5 1 引言
5 2 讀窗口裕度（RWM）
5 2 1 RWM的假設條件
5 2 2 編程態Vth分佈寬度
5 2 3 Vth窗口
5 2 4 RWM
5 2 5 RWM中Vth設置的依賴性
5 3 浮柵電容耦合干擾
5 3 1 浮柵電容耦合干擾模型
5 3 2 溝道直接耦合
5 3 3 源漏耦合
5 3 4 空氣隙和低k材料
5 4 編程電子注入展寬（EIS）
5 4 1 編程EIS理論
5 4 2 浮柵低摻雜效應
5 5 隨機電報信號雜訊（RTN）
5 5 1 快閃記憶體單元中的RTN
5 5 2 RTN的微縮趨勢
5 6 單元結構挑戰
5 7 高場限制
5 8 少電子現象
5 9 光刻工藝限制
5 10 變化性效應
5 11 微縮對數據保持的影響
5 12 小結
參考文獻
第6章 NAND快閃記憶體的可靠性
6 1 引言
6 2 編程/擦除循環耐久和數據保持
6 2 1 編程/擦除方案
6 2 2 編程/擦除循環耐久
6 2 3 數據保持特性
6 3 編程/擦除循環耐久和數據保持的特性分析
6 3 1 編程/擦除循環退化
6 3 2 應力誘導漏電流（SILC）
6 3 3 NAND快閃記憶體產品中的數據保持
6 3 4 分散式循環測試
6 4 讀干擾
6 4 1 編程/擦除方案的依賴性
6 4 2 脫阱和SILC
6 4 3 NAND快閃記憶體產品中的讀干擾
6 4 4 讀干擾中的熱載流子注入機制
6 5 編程干擾
6 5 1 自升壓模型
6 5 2 熱載流子注入機制
6 5 3 溝道耦合
6 6 不穩定的過度編程
6 7 閾值電壓的負向偏移現象
6 7 1 背景和實驗
6 7 2 閾值電壓負向偏移
6 7 3 編程速度和受害單元的閾值電壓依賴性
6 7 4 編程條件下的載流子分離
6 7 5 模型
6 8 小結
參考文獻
第7章 3D NAND快閃記憶體單元
7 1 背景
7 2 BiCS/P-BiCS
7 2 1 BiCS的概念
7 2 2 BiCS製備工藝流程
7 2 3 電學特性
7 2 4 管形BiCS
7 3 TCAT/V-NAND
7 3 1 TCAT結構和製備工藝流程
7 3 2 電學特性
7 3 3 128Gbit MLC NAND快閃記憶體
7 3 4 128Gbit TLC V-NAND快閃記憶體
7 4 SMArT
7 4 1 SMArT結構的先進性
7 4 2 電學特性
7 5 VG-NAND
7 5 1 VG-NAND的結構和製備工藝流程
7 5 2 電學特性
7 6 DC-SF單元
7 6 1 電荷陷阱型3D單元的問題
7 6 2 DC-SF NAND快閃記憶體單元
7 6 3 結果和討論
7 6 4 微縮能力
7 7 先進DC-SF單元
7 7 1 DC-SF單元上的改進
7 7 2 MCGL工藝
7 7 3 新的讀方案
7 7 4 新的編程方案
7 7 5 可靠性
參考文獻
第8章 3D NAND快閃記憶體面臨的挑戰
8 1 引言
8 2 3D NAND單元的比較
8 3 數據保持
8 3 1 快速初始電荷損失
8 3 2 溫度依賴性
8 4 編程干擾
8 4 1 新的編程干擾模式
8 4 2 編程干擾的分析
8 5 字線RC延遲
8 6 單元電路波動
8 6 1 傳導機理

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