氮化鎵電子器件熱管理 馬爾科.J.塔德爾 特拉維斯.J.安德森 9787111764557 【台灣高等教育出版社】

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書名：氮化鎵電子器件熱管理
ISBN：9787111764557
出版社：機械工業
著編譯者：馬爾科.J.塔德爾 特拉維斯.J.安德森
頁數：415
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1710968
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內容簡介

本書概述了業界前沿研究者所採取的技術方法，以及他們所面臨的挑戰和在該領域所取得的進展。具體內容包括寬禁帶半導體器件中的熱問題、氮化鎵（GaN）及相關材料的第一性原理熱輸運建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運、固體界面熱輸運基本理論、氮化鎵界面熱導上限的預測和測量、AlGaN／GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮化鎵器件中熱特性建模、AlGaN／GaNHEMT器件級建模模擬、基於電學法的熱表徵技術——柵電阻測溫法、超晶格梯形場效應晶體管的熱特性、用於氮化鎵器件高解析度熱成像的瞬態熱反射率法、熱匹配QST襯底技術、用於電子器件散熱的低應力納米金剛石薄膜、金剛石基氮化鎵材料及器件技術綜述、金剛石與氮化鎵的三維集成、基於室溫鍵合形成的高導熱半導體界面、AlGaN／GaN器件在金剛石襯底上直接低溫鍵合技術、氮化鎵電子器件的微流體冷卻技術、氮化鎵熱管理技術在Ga2O3整流器和MOSFET中的應用。 本書可作為氮化鎵半導體器件研究人員、開發人員和工程技術人員的參考用書，也可以作為高等院校相關專業高年級本科生和研究生的參考用書。

作者簡介

馬爾科·J 塔德爾（Marko J Tadjer）博士就職于華盛頓特區美國海軍研究實驗室。他於2002年獲得阿肯色大學（University of Arkansas）電氣和計算機工程學士學位，2004年獲得杜克大學（Duke University）電氣工程碩士學位，2010年獲得馬里蘭大學帕克分校（University of Maryland，College Park）電氣工程博士學位。他在功率器件方面的研究重點是將金剛石等具有吸引力的材料與更成熟的GaN和SiC技術相結合，以及探索用於電力電子應用的新型氧化物，如Ga2O3。

目錄

譯者序
原書序
原書前言
第1章 寬禁帶半導體器件中的熱問題
1 1 器件工作狀態下的熱產生
1 1 1 功率器件的工作狀態
1 1 2 射頻器件的工作狀態
1 2 熱對器件特性和工作狀態的影響
1 2 1 最大工作電流密度
1 2 2 器件特性：載流子遷移率及電流崩塌效應
1 2 3 可靠性及魯棒性
1 2 4 最高工作溫度和結溫
1 3 寬禁帶半導體器件熱管理問題
1 3 1 高導熱材料的集成
1 3 2 器件設計
1 3 3 封裝級熱管理
1 4 小結
致謝
參考文獻
第2章 氮化鎵（GaN）及相關材料的第一性原理熱輸運建模
2 1 引言
2 2 建模機制
2 2 1 結構
2 2 2 聲子
2 2 3 非諧相互作用
2 2 4 晶格熱導率
2 2 5 非本徵聲子散射
2 2 6 相關聲子性質
2 3 氮化鎵及其相關材料的應用
2 3 1 氮化鎵
2 3 2 其他Ⅲ族氮化物和非氮化物纖鋅礦結構
2 4 小結
致謝
參考文獻
第3章 多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運
3 1 引言
3 2 介觀尺度的熱傳導：集合平均性質
3 2 1 幾何模型：晶粒結構對熱導率的影響
3 2 2 實驗表徵各向異性和與z相關的熱輸運
3 2 3 關於DARPA金剛石循環計劃的簡要說明
3 3 納米尺度下的聲子傳輸：晶界附近的熱導率抑制效應
3 3 1 聲子晶界散射的微觀圖像
3 3 2 晶界附近的空間分辨熱導率測量
3 3 3 聲子的漫散射導致熱導率的非局部降低
3 4 結論與展望
致謝
參考文獻
第4章 固體界面熱輸運基本理論
4 1 引言
4 2 諧波匹配界面間的熱輸運
4 3 TBC的非彈性貢獻
4 4 界面鍵合對TBC的影響
4 5 TBC建模方法的比較
致謝
參考文獻
第5章 氮化鎵界面熱導上限的預測和測量
5 1 引言
5 2 GaN界面熱導理論上限
5 3 實驗測量ZnO/GaN高界面熱導
5 4 穩態熱反射（SSTR）作為一種新型薄膜和界面的熱導率測量技術：以GaN為例
致謝
參考文獻
第6章 AlGaN/GaN HEMT器件物理與電熱建模
6 1 引言
6 2 AlGaN/GaN HEMT
6 2 12 DEG的形成
6 2 2 AlGaN/GaN HEMT的自熱效應
6 2 3 HEMT建模方案
6 2 4 全耦合三維電熱建模方案綜述
6 32 D TCAD模型
6 3 1 HEMT器件物理
6 3 2 Sentaurus技術計算機輔助設計
6 3 3 校準程序
6 4 三維有限元熱學模型
6 4 1 器件描述
6 4 2 模型描述
6 4 3 電熱耦合
6 4 4 模型驗證
6 5 小結
附錄
參考文獻
第7章 氮化鎵器件中熱特性建模
7 1 引言
7 2 線性熱電彈性理論
7 3 Ⅲ族氮化物高電子遷移率晶體管的二維熱模擬
7 4 GaN HEMT的二維與三維熱模擬對比
7 5 使用CVD金剛石改善散熱
7 6 GaN HEMT的電熱力學模擬
7 7 小結
致謝
參考文獻
第8章 AlGaN/GaN HEMT器件級建模模擬
8 1 引言
8 2 第一部分：新的或需強調的物理特性
8 3 第二部分：老化建模
8 4 第三部分：其他重要注意事項
8 4 1 維度和對稱性
8 4 2 偏壓依賴性
8 4 3 正確求解問題
8 5 第四部分：其他模擬提示與技巧
8 5 1 合理的網格劃分
8 5 2 收斂性
8 6 小結
參考文獻
第9章 基於電學法的熱表徵技術——柵電阻測溫法
9 1 引言
9 2 穩態分析
9 2 1 電流驅動
9 2 2 電壓驅動
9 2 3 電阻溫度係數
9 2 4 確定熱阻
9 3 瞬態分析
9 3 1 時域特性
9 3 2 靈敏度分析
9 3 3 頻域
9 4 射頻工作條件
9 5 小結
參考文獻
第10章 超晶格梯形場效應晶體管的熱特性
10 1 超晶格梯形場效應晶體管
10 2 SLCFET 中的熱輸運
10 2 1 SLCFET 上的柵極電阻熱成像
10 2 2 SLCFET上的拉曼熱成像
10 3 降低SLCFET的峰值溫度
10 4 小結
參考文獻
第11章 用於氮化鎵器件高解析度熱成像的瞬態熱反射率法
11 1 引言
11 2 方法與背後的物理學
11 2 1 溫度和熱
11 2 2 反射率熱成像
11 3 結果
11 3 1 同步穩態採集
11 3 2 同步瞬態採集
11 3 3 非同步瞬態採集
11 3 4 熱反射響應的非線性
11 4 小結
致謝
參考文獻
第12章 熱匹配QST襯底技術
12 1 引言
12 2 QST結構
12 3 QST熱導率和QST堆的熱阻
12 4 QST上的GaN外延
12 5 功率器件
12 5 1 QST上的橫向功率器件
12 5 2 QST上的垂直功率器件
12 6 射頻器件
致謝
參考文獻
第13章 用於電子器件散熱的低應力納米金剛石薄膜
13 1 引言
13 2 納米金剛石化學氣相沉積
13 2 1 襯底表面預處理
13 2 2 爆轟納米金剛石引晶工藝
13 2 3 納米金剛石化學氣相沉積
13 3 納米金剛石薄膜的應力優化
13 4 小結
致謝

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