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無線電電子學、電信技術
二維GaN納米片製備技術及特性調控 崔真 柳南 李恩玲 9787502499969 【台灣高等教育出版社】
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無線電電子學、電信技術
二維GaN納米片製備技術及特性調控 崔真 柳南 李恩玲 9787502499969 【台灣高等教育出版社】
二維GaN納米片製備技術及特性調控 崔真 柳南 李恩玲 9787502499969 【台灣高等教育出版社】
圖書均為代購,正常情形下,訂後約兩周可抵台。
物品所在地:中國大陸
原出版社:冶金工業
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商品編號:
9787502499969
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印行年月:202409
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台灣(台北市)在地出版社,每筆交易均開具統一發票,祝您中獎最高1000萬元。
書名:二維GaN納米片製備技術及特性調控
ISBN:9787502499969
出版社:冶金工業
著編譯者:崔真 柳南 李恩玲
頁數:194
所在地:
中國大陸 *此為代購商品
書號:1702738
可大量預訂,請先連絡。
內容簡介
本書共分14章,主要內容包括兩步法製備氮化鎵納米片、化學氣相沉積法製備氨化鎵納米片、液態金屬催化法製備二維氮化鎵納米片,摻雜、吸附、鈍化對二維氨化鎵納米片電子和光學特性的調控機制,二維氦化鎵/Si9C15異質結光催化性能和扭曲雙層二維氨化鎵電子、力學和光學特性。 本書可供電子科學與技術、微電子學與固體電子學、光電信息工程、物理學類本科生、研究生及相關領域工程技術人員閱讀,也可作為高等院校相關專業師生的教學參考用書。
目錄
1 緒論
1 1 二維材料
1 1 1 二維材料的性質
1 1 2 二維材料的應用
1 2 GaN材料
1 2 1 GaN材料的性質
1 2 2 二維GaN材料的研究背景
1 2 3 不同構型的二維GaN
1 3 二維GaN材料的製備方法
1 3 1 化學氣相沉積法
1 3 2 模板轉換生長法
參考文獻
2 理論計算基礎
2 1 第一性原理
2 1 1 多粒子體系的Schrodinger方程
2 1 2 Born-Oppenheimer近似
2 1 3 Hartree-Fock方法
2 2 密度泛函理論
2 2 1 Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程
2 2 2 廣義梯度近似
2 3 密度泛函微擾理論
2 3 1 密度泛函微擾理論
2 3 2 晶體中的振動態計算
2 3 3 伯恩有效電荷和LO-TO分裂
2 3 4 拉曼光譜的計算
參考文獻
3 兩步法製備GaN納米片以及光譜分析
3 1 實驗製備部分
3 1 1 實驗用材及兩步法製備方法
3 1 2 實驗步驟
3 1 3 測試分析儀器
3 2 γ-Ga2O3納米片的製備與表徵
3 2 1 溫度對-Ga2O3納米片形貌的影響
3 2 2 反應時間對-Ga2O3納米片形貌的影響
3 2 3 -Ga2O3納米片的表徵
3 2 4 -Ga2O3納米片的生長機理
3 3 GaN納米片的表徵
3 4 GaN納米片的光譜特性
3 4 1 GaN納米片的拉曼光譜
3 4 2 GaN納米片的吸收光譜和光致發光譜
參考文獻
4 化學氣相沉積法製備GaN納米片
4 1 實驗試劑與儀器
4 1 1 實驗試劑與源材料
4 1 2 實驗儀器
4 2 實驗步驟
4 3 不同工藝條件下GaN納米片的製備與表徵
4 3 1 反應溫度區間對GaN納米片的影響
4 3 2 升溫速率對GaN納米片形貌的影響
4 3 3 快速降溫對GaN納米片形貌的影響
4 3 4 NH,流量對GaN納米片形貌的影響
4 3 5 EDS表徵分析
4 3 6 XRD表徵分析
4 3 7 生長機理分析
參考文獻
5 液態金屬催化法和氨化二維氧化鎵法製備二維GaN納米片
5 1 實驗原料
5 2 實驗原理
5 2 1 液態金屬催化法
5 2 2 氨化二維氧化鎵法
5 3 實驗步驟
5 3 1 液態金屬催化法
5 3 2 氨化二維氧化鎵法
5 4 實驗結果與討論——液態金屬催化法
5 4 1 NH3流量對GaN形貌的影響
5 4 2 反應時間對GaN形貌的影響
5 4 3 Ga層厚度對GaN形貌的影響
5 4 4 二維氮化鎵的XRD表徵
5 5 實驗結果與討論——氨化二維氧化鎵法
5 5 1 不同反應溫度對氧化鎵前驅體形貌的影響
5 5 2 不同氨氣流量對氮化鎵形貌的影響
5 5 3 二維氧化鎵的EDS表徵
5 5 4 二維氧化鎵的XRD表徵
5 5 5 二維氮化鎵的EDS表徵
5 5 6 二維氮化鎵的XRD表徵
參考文獻
6 工藝條件對二維GaN納米材料的影響
6 1 實驗方案
6 1 1 襯底的預處理
6 1 2 生長二維GaN納米材料
6 2 實驗材料
6 3 實驗設備
6 4 實驗原理
6 4 1 液態金屬基底催化劑
6 4 2 生長二維GaN納米材料
6 5 結果與討論
6 5 1 生長溫度對二維GaN納米材料形貌的影響
6 5 2 氨氣流量對二維GaN納米材料形貌的影響
6 5 3 反應時間對二維GaN納米材料形貌的影響
6 5 4 二維GaN納米材料EDS表徵測試
6 5 5 二維GaN納米材料XRD表徵測試
6 5 6 二維GaN納米材料拉曼光譜表徵測試
參考文獻
7 Mg、C和S摻雜g-GaN的電子結構和物理性質
7 1 研究方法與研究模型
7 1 1 研究方法與計算參數
7 1 2 研究模型
7 2 結果與討論
7 2 1 摻雜體系穩定性驗證
7 2 2 電荷分佈及電荷轉移分析
7 2 3 摻雜體系的能帶結構與態密度
7 2 4 功函數
7 2 5 載流子遷移率計算
參考文獻
8 Cs、S和O吸附二維GaN體系的理論研究
8 1 理論計算模型及方法
8 1 1 理論模型
8 1 2 計算方法
8 2 計算結果及討論
8 2 1 GaN修飾體繫結構
8 2 2 吸附能
8 2 3 電荷布居
8 2 4 能帶與態密度
8 2 5 光學性質
參考文獻
9 鈍化與摻雜二維GaN理論研究
9 1 參數設定與模型構建
9 1 1 軟體參數設定
9 1 2 二維GaN基材料模型構建
9 2 計算結果與討論
9 2 1 形成能計算
9 2 2 晶格參數優化
9 2 3 能帶與電子態密度
9 2 4 差分電荷密度分析
9 2 5 光學特性分析
參考文獻
10 二維GaN的電子與光譜特性
10 1 屈曲結構GaN的電子與光譜特性
10 1 1 屈曲GaN簡介
10 1 2 計算方法
10 1 3 結果與討論
10 2 平面結構GaN的電子與光譜特性
10 2 1 平面GaN簡介
10 2 2 結果與討論
參考文獻
11 有機分子吸附g-GaN的電子特性與電荷轉移
11 1 研究方法與計算參數
11 2 研究模型
11 2 1 有機分子吸附模型構建
11 2 2 最佳構型的確定
11 3 電荷分佈與
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