半導體器件建模與測試實驗教程-基於華大九天器件建模與驗證平臺XModel 9787121493713 杜江鋒 石豔玲 朱

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書名：半導體器件建模與測試實驗教程-基於華大九天器件建模與驗證平臺XModel
ISBN：9787121493713
出版社：電子工業
著編譯者：杜江鋒 石豔玲 朱能勇
頁數：213
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1700315
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【台灣高等教育出版社簡體書】 半導體器件建模與測試實驗教程-基於華大九天器件建模與驗證平臺XModel 787121493713 杜江鋒 石豔玲 朱能勇

內容簡介

本書基於國產EDA軟體Empyrean Xmodel器件模型提取工具，系統、全面地介紹硅基MOSFET和GaN HEMT的器件建模、測試分析和參數提取的設計和實驗全流程。本書在簡要介紹半導體器件的基本理論、測試結構和測試方案的基礎上，詳細闡述MOSFET BSIM模型和參數提取實驗、Xmodel集成的數據圖形化顯示系統、MOSFET器件直流模型和射頻模型的提取實驗、基於ASM-HEMT模型的GaN功率器件和射頻器件的模型參數提取實驗等，以及半導體器件中常見的各種二階效應(如短溝道效應、版圖鄰近效應、工藝角模型和溫度特性等)非線性模型參數的提取和驗證方法。本書力求做到理論與實踐相結合，可作為高校半導體相關專業高年級本科生和研究生的教材，也可供從事半導體器件研發的工程師參考。

目錄

前言
第1章 MOSFET的特性和模型
1 1 MOSFET的器件結構和基本工作原理
1 1 1 MOSFET的器件結構
1 1 2 MOSFET的工作原理
1 2 MOSFET的基本電學特性
1 2 1 MOSFET直流電流電壓方程
1 2 2 MOSFET直流參數與溫度特性
1 2 3 MOSFET小信號參數
1 2 4 MOSFET電容參數和C-V特性曲線
1 2 5 MOSFET頻率參數
1 3 MOSFET的二階效應
1 3 1 背柵效應
1 3 2 溝道長度調製效應
1 3 3 亞閾值導電
1 3 4 短溝道效應
1 3 5 版圖鄰近效應
1 4 MOSFET器件模型
習題
參考文獻
第2章 MOSFET BSIM參數提取
2 1 器件模型及建模意義
2 2 MOSFET建模的測試結構設計
2 3 MOSFET建模的測試方案
2 3 1 C-V測試
2 3 2 I-V測試
2 3 3 溫度測試
2 4 MOSFET BSIM參數提取流程
2 4 1 初始化模型
2 4 2 C-V和I-V參數提取
2 4 3 溫度模型及其他模型的建立
2 4 4 工藝波動、失配和統計建模
2 4 5 模型品質檢驗
習題
參考文獻
第3章 器件模型提參工具Empyrean XModel
3 1 Empyrean XModel介紹
3 2 XModel的基本功能和界面
3 2 1 菜單欄
3 2 2 工具欄
3 2 3 任務欄
3 2 4 擬合曲線界面
3 2 5 模型面板界面
3 2 6 模型參數界面
3 2 7 調參界面
3 2 8 模擬輸出界面
習題
第4章 MOSFET器件特性測試平台
4 1 半導體測試探針台
4 2 半導體器件參數分析儀
4 2 1 分析儀簡介
4 2 2 測試模式
4 2 3 測試流程
習題
第5章 MOSFET器件電學特性測試
5 1 MOSFET交流C-V特性測試
5 2 MOSFET轉移特性測試
5 3 MOSFET輸出特性測試
5 4 超深亞微米MOSFET柵極電流特性測試
5 5 超深亞微米MOSFET襯底電流特性測試
5 6 MOSFET溫度特性測試
習題
參考文獻
第6章 MOSFET模型參數提取實驗
6 1 基本工藝參數和模型標記參數的設定
6 2 MOSFET Cgg特性模型參數的提取
6 3 MOSFET Cgc特性模型參數的提取
6 4 MOSFET大尺寸Root器件直流參數的提取
6 5 MOSFET短溝道效應參數的提取
6 6 MOSFET窄溝道效應參數的提取
6 7 MOSFET窄短溝道效應參數的提取
6 8 MOSFET泄漏電流Ioff模型參數的提取
6 9 MOSFET襯底電流Isub模型參數的提取
6 10 MOSFET溫度效應參數的提取
6 11 MOSFET版圖鄰近效應參數的提取
6 12 MOSFET Corner模型的建立及參數提取
6 13 MOSFET Mismatch模型建立及參數的提取
6 14 MOSFET模型報告及檢查
習題
參考文獻
第7章 MOSFET射頻模型參數提取
7 1 MOSFET射頻模型的發展歷程
7 2 MOSFET小信號等效電路
7 3 測試環境搭建和測試方案
7 3 1 矢量網絡分析儀簡介
7 3 2 校準
7 3 3 測試和提參
習題
參考文獻
第8章 基於XModel的MOSFET射頻模型參數提取實驗
8 1 去嵌
8 1 1 去嵌方法
8 1 2 開路-短路去嵌法的步驟
8 1 3 開路測試結構等效電路及參數提取
8 1 4 短路測試結構等效電路及參數提取
8 1 5 基於XModel的開路-短路去嵌步驟
8 2 射頻MOSFET零偏寄生參數提取
8 2 1 射頻MOSFET零偏寄生參數簡介
8 2 2 基於XModel的零偏寄生參數提取步驟
8 3 射頻MOSFET不同偏置下寄生參數的驗證與優化
8 3 1 不同偏置下寄生參數的提取方法
8 3 2 基於XModel的不同偏置下寄生參數的驗證與優化
8 4 射頻MOSFET襯底阻抗網絡參數的提取
8 4 1 射頻MOSFET襯底阻抗網絡參數的提取方法
8 4 2 利用XModel提取襯底阻抗網絡參數
8 5 射頻MOSFET雜訊參數的提取
8 5 1 雜訊理論
8 5 2 雜訊去嵌
8 5 3 雜訊參數推導
8 5 4 利用XModel提取雜訊參數的步驟
習題
參考文獻
第9章 GaN HEMT及模型介紹
9 1 GaN HEMT的材料特性和工作原理
9 1 1 GaN異質結的材料特性
9 1 2 GaN HEMT基本結構和工作原理
9 2 GaN HEMT模型介紹
9 2 1 GaN HEMT模型概述
9 2 2 ASM-HEMT緊湊型模型的結構
9 2 3 GaN HEMT的直流特性和交流特性
9 3 GaN HEMT的二級效應
9 3 1 夾斷效應
9 3 2 速度飽和效應
9 3 3 柵極電流
9 3 4 非理想亞閾值斜率效應
9 3 5 溝道長度調製效應
9 3 6 DIBL效應
9 3 7 陷阱效應
9 3 8 溫度特性
習題
參考文獻
第10章 基於XModel的GaN HEMT功率模型參數提取實驗
10 1 GaN HEMT功率器件建模測試方案
10 1 1 直流特性測試
10 1 2 電容-電壓特性測試
10 1 3 溫度特性測試
10 2 基於ASM-HEMT模型的I-V參數提取
10 2 1 基本工藝參數和模型控制參數的設置
10 2 2 線性區轉移特性的擬合
10 2 3 飽
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